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標題: 功率MOS管漏区面积比源区大?! [打印本頁]

作者: minxia.lee 時間: 2008-6-3 05:29 PM
標題: 功率MOS管漏区面积比源区大?!
各位大大好,小妹最近看的版图里发现功率MOS管漏区面积比源区大,就象ESD的画法,这里面的作用是为了泄放更多的电流吗?还是别的,或者还有别的作用.请各位指教,倘若能提供这方面的资料更好,谢谢~~~

作者: finster 時間: 2008-6-4 12:09 AM
這是因為在高壓製程中有分Symmetric和Asymmetric兩種不同的元件
如果是Asymmetric,那Drain和Source就會是一邊比較大,一邊比較小
若是Symmetric,那Drain和Source就會是一樣大
要用那一種元件,基本上看電路設計者對於電路的應用來選擇,因為這兩種元件有一些不太一樣的限制和使用
會用Asymmetric,主要是因為它的面積會比較省一些,但,要特別留意接法,因為一旦Drain和Source接反了,那問題就大條了

作者: minxia.lee 時間: 2008-6-4 10:38 AM
小妹说的不是在高压下面的LDD,而是普通电压下的对称MOS管,它的作用我知道有一点就是可以泄放大电流,就象有些ESD的漏区也是这样画的,我想作用一样的.
小妹想找这方面的版图技巧,再次谢谢斑竹

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