Chip123 科技應用創新平台
標題:
關於nm 的 Design Rule
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作者:
jauylmz
時間:
2008-7-9 06:24 PM
標題:
關於nm 的 Design Rule
今天在看一份
45nm
的Design Rule ，
1 h' E+ Q* ~% U3 G$ g' g# F
* s3 L* p9 _! \ I; B
看完後真的是要吐血了
- s9 u/ r( i& b1 K1 f( R
1 C" F7 u. \2 `! G, P' W% H
這麼多的Rule 要記，這要怎麼畫 Layout 啊!!!!!!!!!!
6 a; p0 g e$ L) e
" e2 A( `) n5 L* p2 Z: _5 ?
不知道有沒有什麼前輩可以提供一下意見，看您是如何處理這麼多的
"鳥"
Rule.
" V1 V4 ?# h0 I' t6 A" ~
4 b+ U1 m# J" O, v0 L* z- T) D
不然我看，真的要花很多時間在 run DRC & 修 DRC 了
作者:
jauylmz
時間:
2008-7-10 10:31 AM
天啊!! 光一個Metal 1的 Spacing Rule 就有 11條
& K) M, O1 u3 M8 W* ^
% N! p4 {* W) i6 S8 L0 C1 }# a
這是18 13 的 4倍之多。
( z$ G1 b1 ^" Z' n' q: {
2 [* Z. H; e7 Z) z
這還只是Metal 1 .........
作者:
lawrence0411
時間:
2008-7-12 11:13 PM
通常都是直接 lay久了常用的就會記起來了
作者:
joby
時間:
2008-7-15 11:32 AM
標題:
回復 3# 的帖子
我都習慣layout到一個階段.就先run drc.一來做修正,二來可以記rule
作者:
nebula0911
時間:
2008-7-15 11:47 AM
正常的.製程越先進,所要注意的地方越多,更要小心謹慎!!我的習慣是從最小的Cell開始畫,畫好一個驗證一個,有可能比較慢;但等到各個block畫好之後,通常也把rule背起來了,成為直覺反應,驗證的錯誤率會降低不少,整體的進度會加快.這只是個人經驗,與大家分享.
作者:
minxia.lee
時間:
2008-7-16 05:22 PM
我同意楼上的做法，我都是边画边记，一两天就都熟悉了~~~
作者:
terriours
時間:
2008-7-17 09:44 AM
標題:
自己吓自己
没画你就怕了
没什么，通常只记metal，poly，和有源区的规则然后去画，这样画个小的模块做个drc，在你改错的同时rule就记住了。
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没什么，通常只记metal，poly，和有源区的规则然后去画，这样画个小的模块做个drc，在你改错的同时rule就记住了。