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標題: Statistical和Mismatch model [打印本頁]
作者: blueskyinair    時間: 2008-8-8 04:19 PM
標題: Statistical和Mismatch model
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?
( R4 I. k9 A& G0 r' L+ z% M7 j3 s+ y1 m; n- c  a3 v
感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo
3 ~% @3 d5 ]# {4 V0 ?0 `" K# r% h! R" V0 i3 d" s# o
如果我是拿來run OP的offset，應該用哪一個呢?% H6 `* x* {" N. T: \) A$ e
* n# g' i% b( j) u* ?
謝謝
作者: finster    時間: 2008-8-10 11:38 PM
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model5 j* |1 @" J, P( Y! N; m$ _  _
另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題- `3 P8 J; J3 [& R( A4 F6 I
至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
作者: blueskyinair    時間: 2008-8-11 01:42 AM
先謝謝您熱心的回答
/ i4 u5 N5 u$ f7 V( I6 u; w
5 y7 H; p+ E7 b: M$ W0 Q目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
  r4 O6 R0 Y: U/ }- _提供您更新的資訊~~( I% T; L1 X5 C1 g; W( J
  |$ T) R, k/ A! D) U
不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?
& o4 R* V- Z5 E& s: C, }若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?
: x- Z& v/ e! e4 I) foffset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?4 r' X# v9 g) e7 I# Y
謝謝
作者: finster    時間: 2008-8-11 11:17 AM
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述( F/ t: \' q2 e3 H7 a- i
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬
8 `  x+ Z/ p- X$ x3 i3 g* `* Z# u因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看1 x; H* Q4 l: `+ y+ B) U
* C# b3 E$ r) o. c3 _" M6 O
至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數
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$ n, \0 t4 `% |# a另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
作者: blueskyinair    時間: 2008-8-11 01:44 PM
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
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( f' N" I9 e! j9 A- I- [Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念0 T% x2 w# D8 x
mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model# l& `& A, J1 Y+ r! U

3 N( R  \% O1 _( u/ |1 u請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
作者: finster    時間: 2008-8-11 05:03 PM
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的5 e# W* a3 F4 M) w3 k
就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數
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7 z% h4 }3 I' v* m6 [9 b而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model( z' z5 T# [/ F! M8 _
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣
" q2 s" D1 V6 Z  n1 f9 N* D一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明
作者: daidai    時間: 2008-8-13 11:11 PM
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.
作者: AIC6632    時間: 2015-11-2 09:24 PM
哎呀，這個都沒去跑
' m9 O# F; J& D8 ~0 @# _: S我太偷懶了



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