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標題: CMOS,DMOS,BJT Process [打印本頁]

作者: chenwhae 時間: 2008-10-6 06:36 PM
標題: CMOS,DMOS,BJT Process
最近看到有人在討論DMOS,想請問有經驗的的大大,這三種的製程
在開關速度、熱效應及價格上,各有甚麼特色
謝謝

作者: iamif520 時間: 2008-10-6 08:51 PM
標題: 我所知不多
BJT特色是電流驅動力強，所以才沒被淘汰，速度早就跟不上MOS。

CMOS是十幾年來積體電路的主力。(總不會不知道吧)

DMOS的用途我倒是不清楚，沒接觸過。

結論：開關速度當然是MOS強啊~現在講的幾GHz電腦世代指的就是MOS的CLK。

(PS:所知不多，僅供參考。)

作者: yoyo20701 時間: 2008-10-6 11:43 PM
嗯~~蠻詳細的解答~~多謝大大喔~~~~~謝謝你~~~~~~~~~~~~~~~�

作者: yutian 時間: 2008-10-7 02:03 PM
你可以在網絡找相關的BCD制程了解一下，挺多的。
有詳細的流程圖

作者: basil 時間: 2008-10-8 12:45 AM
BJT特色是電流驅動力強，所以才沒被淘汰，速度早就跟不上MOS

好像做射频的王道还是Bipolar吧，说“速度早就跟不上MOS”是不是欠妥。

DMOS主要是高压器件

作者: summer638 時間: 2008-10-14 10:52 AM
http://www.smte.net/Get/Docs/Ele ... 311013166732619.htm
這裡面針對這三種工藝有概略的說明，請自行連結參考吧！

作者: chenwhae 時間: 2008-10-22 11:31 AM
標題: 謝謝
謝謝summer638的回應，內容很不錯
轉載部分內容如下

國內有些FAB有用CDMOS製程在高壓元件上

另
聽說有些大陸design house使用BJT製程
不知performance,yield ,price上會有什麼issue
請有經驗的大大幫忙分享一下
謝謝

⑴高压BCD
主要的电压范围是500∼700V，目前用来制造LDMOS的唯一方法为RESURF技术，原意为降低表面电场（ reduced surface field）[9-10]，在1979年由J.A.Appels等人提出。它是利用轻掺杂的外延层制作器件，使表面电场分布更加平坦从而改善表面击穿的特性，使击穿发生在体内而非表面,从而提高器件的击穿电压。高压BCD主要的应用领域是电子照明（ electronic lamp ballasts）和工业应用的功率控制。
⑵高功率BCD
主要的电压范围是40∼90V，主要的应用为汽车电子。它的需求特点是大电流驱动能力、中等电压，而控制电路往往比较简单。因此主要发展趋势
侧重于提高产品的鲁棒性（robustness），以保证在恶劣的环境下应用能够具备良好的性能和可靠性；另一个方面是如何降低成本。
⑶高密度BCD
主要的电压范围是5∼50V，一些汽车电子应用会到70V。

作者: tigermouth 時間: 2008-11-19 12:15 AM
個人愚見，歡迎討論。
DMOS，高耐壓，相對較低的Rdson。
Bipolar在某些制程某些領域上（如速度）還是很有優勢，如GaAs工藝。硅基在某些低端產品中仍舊很有市場，如TTL，驅動等，高速中如ECL電路。只是SoC中不適合用它。
CMOS不用講了，由於制程技術不斷更新換代，特徵尺寸不斷下降，速度越來越快，工作電壓越來越低。

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