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標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？ [打印本頁]
作者: lynker    時間: 2008-11-3 04:08 PM
標題: BCD制程下的基準應該怎樣設計？
小弟想在0.35um_BCD制程下，設計一個bandgap，電源電壓為4V到9V，輸出1.25或者2.5V皆可。為了節省面積不想設計為純bipolar結構。如果是使用MOS管的話，我該如何下手啊？MOS管的耐壓大概在5V左右，而電源電壓卻是4V到9V。是否需要一個簡單的降壓電路為bangap供電呢？望高手們指教啊。
作者: shaq    時間: 2008-11-3 11:15 PM
因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。
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[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 09:02 AM
標題: 回復 2# 的帖子
多謝指教！; r3 [# Y: h( O2 O
查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什麽？
% \  A3 y' n( t9 ^, i+ E% E$ ~5 ]7 O) b: M
[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-4 09:04 AM 編輯 ]
作者: lynker    時間: 2008-11-4 11:01 AM
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:32 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表
1 y1 w0 H' _: r( S: o7 t剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？
9 r7 R+ y: b$ d+ i. l% Q5 K7 I+ i; I

8 f/ q/ }5 S( c7 @' N
* L+ P" {9 P/ [9 f' GDMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率* C$ u2 V- K% d# e
HVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端
8 `: G: z) ~& _/ N) c8 ~4 [- g2 w' h# M. }
若有缺漏，麻煩其他高手補足。
作者: shaq    時間: 2008-11-4 12:33 PM
原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表 1 F* P3 r( v8 D. B3 S% f
多謝指教！
) v) s& p* e8 B! ]0 f* r- ^- A查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？
7 D' k0 m' [( `3 K0 {
% U1 D4 H+ D* L' C. x# j: T+ ]
有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。
作者: lynker    時間: 2008-11-4 03:30 PM
標題: 回復 6# 的帖子
不知道我這樣做Pre-regulator，是否正確。
8 n( c! Q3 p% G6 o( r( {3 \我是將幾個接為diode形式的bipolar串起來產生一個4V左右的電壓然後經過source follower， buffer出一個3V的電壓。用這個電壓為MOS結構的bandgap供電。: ?1 L" z+ X) ~* _2 Z; h
大家都是用什麼方法實現的Pre-regulator呢？請指教。
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-4 03:58 PM
不建议bandgap直接用HV MOS做，因为HV Vth不是很准！还是把电压降下来，再设计bandgap
作者: zorro    時間: 2008-11-4 05:22 PM
可否直接用Bipolar來做，因爲B的耐壓一向比較高，到9V應該沒什麽問題。
作者: yutian    時間: 2008-11-6 09:04 AM
請問一樓的樓主，你采用的制程是VGS=5V、VDS=4V至9V的呢？# W4 b/ n/ ^, _; e' P; r9 a
我用VGS=5V、VDS=18V做過bandgap和regulator，design時要特別注意制程對NMOS和PMOS的VGS的要求，因為不允許其VGS超過5V，tape out出來測試還可以。  A9 Q4 y( Q( O8 K& |
直接用Bipolar的做bandgap我還沒做過，有機會交流一下。
作者: lynker    時間: 2008-11-6 03:27 PM
回復 10# 的帖子# E- j9 v5 t$ U4 ]2 U
我使用的是BCD制程，bipolar，HVMOS，DMOS耐壓較高，LVMOS則都是3.3V的。現在把電壓降下來了，用LVMOS做的bandgap。
- m( ~) r7 Z* t5 s5 D2 D以前做過一個LDO，是bipolar的，其中bandgap結構如下：7 R9 y  `. K1 c& y0 s" J2 q( W* }  m
因為LDO要求不高，所以bandgap未做trimming，4V的LDO tape回來，輸出偏低，分佈在3.92到3.96之間。
作者: enjoymartin    時間: 2008-11-14 11:35 PM
最好还是先做pre-regulator,then design a bandgap circuits.这样你选择的余地比较多了，其实纯bipolar的bandgap主要是功耗和layout面积比较大，但精度还是不错的。建议还是在电路中使用一些lvmos来设计bandgap,结构还是比较多的，看点paper就明白了



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