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標題: Sansen讀書會... [打印本頁]
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-10 03:11 PM
標題: Sansen讀書會...
剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...7 r3 n. P$ k7 r* d, @
Slide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S)
: w. B. D2 V$ [+ z8 r  i, U% _Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V5 e% W) Y9 O3 b' O: d' a  b' g) E
歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀
作者: lynker    時間: 2008-11-11 01:37 PM
我看的是中文版的，摟主看的是英文的還是中文的？
0 ^7 A' w# g# Q" ]�面是有些錯誤，我也剛看完第一章，還好基本上都是字母的錯誤還是可以容忍的。
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-11 04:41 PM
我是看英文的...
& Z1 X6 G4 P+ z" W6 H- c* T+ s因為有些式子或許字母打錯..+ B& V" A2 ^& m/ Y) c; g; `$ }
所以讀起來就卡卡的哩....
3 X, {8 z( x: N' b" m1 vSlide 0148: 我覺得transition voltage式子好像應該是" `8 `2 \8 e. H& v/ t. e- H; N
(VGS-VT)vs=1/2theta5 i/ R) D7 ]" q
不知道你的看法是???
* K- r3 N) o4 K5 N3 sThanks!!
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 10:28 AM
標題: Sansen讀書會
Sansen這一本新書有中文的嗎????(藍皮封面)
! f3 V+ n/ t1 tSlide 0129->我覺得是沒錯
% V* A0 B( s# J9 q3 eBluck 接地時應該是D->S
  x; z! p9 s, D+ O# M& f- N如果Vbs>0, 電流應該是由S->D2 [! ]! h: X+ Q6 c# u
Slide 0134&0136->我要在看一下
作者: lynker    時間: 2008-11-12 11:57 AM
標題: 回復 3# 的帖子
確實是1/2theta，估計是計算VGS-VT的時候少算了一個1/2，你看書好認真啊。
) H5 P9 `$ F2 I; i
; r4 d* Y: @5 Z& I$ q8 d[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-12 12:01 PM 編輯 ]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 12:44 PM
標題: 回復 5# 的帖子
>_<...沒想到真的有中文版,我真是孤陋寡聞啦...# N7 T& e- r- |" O; t' H+ D
sorry阿...大大...
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-12 01:56 PM
標題: 回復 4# 的帖子
Dear ~~
! y2 A2 j! R; ]( e- S8 w# @我的看法是:
: y6 ^2 O4 Q7 A" A; n3 xVbs增加=>Vth減少=>Id增加...所以gmb=Ids對Vbs偏微分...所以方向應該D->S(Vbs>0)1 H" d3 D6 S: C  {
根據Razavi看法...p35
7 I* b7 [& s# J$ q9 s2 ~( v# wNote the gmVgs and gmVbs have the same polarity.i.e., raising the gate voltage has the effect as raising the bulk potential.! u- X& c5 O3 r5 Z
你的想法是??
+ d' V1 X! f/ ?3 N' S! N歡迎一起討論>>' C" ^1 q" C, K8 B
Thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-19 02:14 PM
Charp22章
4 o, t! q/ P# Q8 Y2219
; L* u( A9 V$ T. b" o4 Q# F. o有錯誤的地方...
! l, U& B/ f1 C1 c4 s3 h6 N看投影片的地方.... 圖裡面..." m' d. b6 F( s0 W- ^% U$ l
Zs應該成為Zc......
) v3 W) {3 g' M4 k大家注意一下...1 K; y7 p! S" ]( ]
歡迎大家一起討論哩......
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-23 04:38 PM
Dear~~
" p0 J& R6 b: BSlide 2219: Start-up time 應該是2*Ls/Re(Zc)+Rs.....9 a4 _. m, f% X
應該要2倍哩..
: z1 G0 I8 _/ V$ x( z7 I. U+ u8 aSlide 2222: gma=4RsCLCLWsWs...少*4哩....
. _, d# D  D* z5 p  ?- x還有Rb>>1/(RsC1*C1*Ws*Ws)吧..... 4 l$ ?7 n7 W8 m. w% _
歡迎討論!!!!
; a2 t( i& @) F6 J# f
+ n2 k5 v& P/ T# D9 v, dThanks!!!
3 k7 I  e/ a; i7 K& ?- V& M3 k; U9 @% t  p
[ 本帖最後由 賴永諭 於 2009-3-23 04:41 PM 編輯 ]
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-7 03:07 PM
Dear~~' ?1 |7 ~0 `& e" o. }& V, m
Slide 1915: It should be double the value of all ground and series capacitors.
2 V* g/ q3 M% M' w$ g/ L) F$ ^1 f) HThanks!!!!
作者: fcchang    時間: 2009-4-20 01:28 PM
有誰知道這本書中文版哪裡買啊
, A5 m8 n# M* K, V1 p2 Y& m看他的講義就覺得很棒了，現在又看到有書可以買* M: W: [) k2 Z' u) ~9 w$ o+ E: C' ]
有誰可以告知？
作者: chungming    時間: 2009-4-22 12:19 AM
slide0129  的確是有錯, 如大大所說的才是對的( X' H7 M7 c% `* b3 z
slide0134 我不太懂大大的意思?您指的是解說的部分嗎?那邊我也覺得是作者寫錯& p$ t3 `9 J; Q4 b# [  U
                   slide內容也有錯,Idst是for pMOS才對,作者寫 for nMOS那Idst應該是5uA左右
$ h! [8 V$ v: D, cSlide0148 我倒是覺得沒錯6 G+ M5 i7 ]* l+ o0 Y* m1 \  J
                    我是用  Ids,sat = KP/2n*(W/L)*(Vgs-VT)^2  和Ids,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)" V0 ~2 }, G8 w5 s# [' p' K. q% C
                     Let 這兩式相等 , (Vgs-VT)vs就可寫出=1/theta
8 ^6 F& r8 F4 u3 Q+ b; r其他19,22章我沒看不知道
- n- ]: v" }/ U8 c# L/ T7 h) i" R; W) w$ J
感覺這本書錯誤不算少,第一章其實還有一各怪怪的地方 ,像是slide0117,0119算出的電壓都不對...; `. Y/ s2 \2 R
書中很多都是跳耀式的思考和解說,剛開始我是滿喜歡這書的內容,但讀了一陣子之後總覺得有一種不連貫的感覺.
' ^  k4 P% Q# U他的小信號真的滿不錯的,很直覺# ]/ d9 `* ~7 a5 N2 u
不過後來倒是找到這個作者有出過另外一本不錯書
  m; p  I9 U/ [5 E* B) eDesign of analog integrated circuits and systems - Laker, Sansen
+ ^4 p# }# O) J6 i裡面公式推倒的滿詳細的,對回受和頻率響應部分部分"好像"有詳加解說(說好像是因為我還沒看到那邊,只是先翻一翻)2 B# n/ f5 b6 |8 i& P: V" y
大大們也可以去看看囉
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-22 10:43 AM
Dear~~% L, c' A8 l' W3 u- T+ e: V5 S' I
Ids,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)~* f6 M" j/ h7 y& u  Z
see Slide 0146
2 E+ j* z/ Z. q6 n# WIds,vs = (Kn'/theta)*(W/L)(Vgs-VT)7 R% a$ o9 a. g; y
so ....check it again....9 o$ C4 y* z- ?; f& \( C0 u
thanks!!!
作者: chungming    時間: 2009-4-22 08:14 PM
kgbriver 大大你好9 O' e/ f- R# ^0 Y' c
我在另一本書上的推導的確如大大所說..........* p" T& f, P, D" d
是1/2theta/ Z/ p! T" g' m& W8 m& C
要找一下為什麼這邊哪裡錯了@@6 |) b5 \3 E, P, o7 Z/ U$ B
感謝指正 ^^
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-23 01:48 PM
我個人覺得他的書要配合他上的課會有比較大的效果,
- Y8 l" {" C+ f, F; X( ]: e  s像自己看的話,我會發比較多時間想一下他說的東西與概念...  |8 L+ u. I; z0 f8 }8 ]
所以事實上他的書並不好自己看哩...我覺的有老師帶著敎會比較好哩
% J0 v( x, D( u0 _5 L/ G% u4 ]台灣好像還沒老師是敎這一本哩....
作者: donothing    時間: 2009-5-15 09:54 AM
想請問一下
  d# j  ]4 I0 A, @在bandgap那章 1611) k% _8 n" T( j1 Y9 G/ \
有提到 Ic2=A/R2  A=KT/q * ln nr =0.12V
. J6 y4 h  {4 v6 |5 z) `, Y6 z0 Q4 B
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V gm2R2 =2.3
4 [' J( y# y; b9 k7 D9 Y/ U. G$ }; i9 g
這是誤植呢 還是有特別的涵意
; {, n; c) x1 G  N  `+ O另請教各位大大  gm2R2 應該 4.6 吧+ q8 S* J7 `* ?2 y) t! [  x
但是我只能推出是 跟 gm1R1 =20 比較得知. i" O; r" ?2 y' ]' G7 n2 E
但不曉得gm1R1 為何是 20 有請各位告知
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 10:03 AM
最近比較忙哩,今天會研究一下,再上來跟大家分享一下...! u& C3 P2 |' p- B* }# k# Z2 A
thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 11:46 PM
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V..... 我想應該是寫錯了吧(0.12V)* g+ U: L; ]3 V( G+ S2 J: z
..gm1R1=Ice/(KT/q)*R1=0.5V/26mV=20) \, t% l6 ~' U7 s! d
了解嗎!!!0 F+ R% x2 p, X, R, l) i
Thanks!!; s" ?( }4 h$ V+ D# m
Kgbriver
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-16 01:11 PM
slide 1813
8 |, u1 r9 D  z* I# n' {由圖可知 baseband應該是3MHz,
' R/ V5 x: v. v$ l% i# P  P" YHD2 6MHz: s3 A- \  h. Y/ I1 J
HD3 9MHz0 t9 X5 c* R( `9 g
thanks!!
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~7 W: i" v  a2 i. s  X' D8 l+ i
已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:12 AM
是简体中文版！
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:13 AM
可以在、网上直接下载扫描版的1
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-20 10:06 AM
建議還是看原版的書會比較有感覺哩
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:28 PM
推薦slide 1979...6 B) Y' k# X; j6 c4 Q* h: l
Filter的比較圖喔....7 {$ i: ^7 c2 h, p
最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...& e: |$ D, R% p% C
看有沒有新發現哩.......
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:29 PM
推薦slide 1979...: W: h' `4 D+ Z1 q/ x6 G) h3 N
Filter的比較圖喔....
% M4 v8 N) L( S3 ~1 R4 `最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...* Z( ?; `, t* T0 k' ^" j
看有沒有新發現哩.......
作者: china.linrong    時間: 2010-3-21 11:09 AM
有中文的，我们学校图书馆刚买我就借到了。感觉是有些小错误，但是还是很有用啊，对设计有很大的帮助
作者: tuza2000    時間: 2010-7-7 09:40 AM
slide:0732 M1 see 1/gm but M2 see 1/gm divided by the gain of M3 gm3ro3, why?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-9 06:42 PM
從M3 drain 看進去的電阻是  1/gm3 ,then 考慮這各電阻值之common gate input resistor 及可估出來(可參考Gray的書3.3節)
/ v- ]* e1 |4 v0 K5 C4 b5 |6 pthanks!!% M9 ^' x) m  i- T5 Q* {
. S3 n" f% A% v
補充內容 (2015-4-21 12:41 AM):
- z6 l+ k$ l# g# x1 m6 {修正說法～～
% A7 j4 Q! W: N* a 1/gm3/loop gain and loop gain approximation gm3ro3
; j1 b/ h: O5 x. X  HThanks,
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:02 AM
thanks for your help,but for common gate mos,it works as res scalar,the ri equal 1/gm + rout/gmro,not (1/gm)/gmro,is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:43 AM
you means that M3 act as diode,so drain res is1/gm,to the source the res equal (1/gm/gm*ro),is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 02:02 PM
0837:the left pmos diode‘s gate should connect to m6 gate?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:37 PM
回復 31# tuza2000
3 l, ?' }9 X9 O, e5 P" F
+ |8 p- |9 ^- ^& o4 P, Q. d0 M# _  L; W6 O# X  p/ e
    Yes~~~~
4 F4 H. ]- \' U; d    You got it~~~
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000 . w% b6 U7 \) C2 n+ L

( h9 ~" g& R3 x6 `: n
0 |) ^$ p5 w$ W    書上有提到M5~M6 and M9 gate 電位相同,  bias電位數量少一各...9 {' n# s/ n1 z4 p; f7 v2 K
Please see the sansen's book.0 N) B" ]/ c4 B; J
thanks!!!
0 d; G: n' H# P4 @9 J5 g
. g# Y2 S3 L( A5 v補充內容 (2021-9-1 12:37 AM):
: a! H; \  q4 T$ P6 v0 C2 t" ^是的
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-26 01:39 PM
slide 0118
5 L& [5 W& ~- L# o圖上VBS應改為VSB比較合適..
作者: 賴永諭    時間: 2010-8-23 02:17 PM
Slide 0262! Y* z3 _9 t/ ^+ `; A0 m
個人覺得應該是series-series feedback.(current sampling and voltage mixing )
7 ^  ]0 x3 W9 Ithanks!!
6 r9 P; |5 G+ z6 ~0 ~; J% W! s/ U
* E' U2 b9 d7 t; s: w! U) ~補充內容 (2021-9-1 01:26 AM):
( e& j; x/ E) b3 S5 s4 q更正說明～應該沒錯是shunt-series feedback, current sampling and current mixing;可參考1410
作者: bigben    時間: 2010-9-2 01:50 PM
是有中文的
7 I1 [- `$ O/ b; n+ r+ c# t3 K有些翻译不太准确 还是要看原版的啊
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:28 AM
Slide 0148: 2nLVsat/u should be changed to nLVsat/u
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:46 AM
Slide 0128: Symbol 似乎有劃錯 且PMOS 小訊號source to drain current should be changed to
  k' Y6 Q: Y' k1 k: s0 DgmVsg ,不過Fellow Sansen 可能有自己的一套解釋方法~~
作者: flywb    時間: 2012-10-24 08:40 PM
这本书很不错啊，刚看了一部分，内容主要都是JSSC上的~
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-11 03:01 PM
slide 154+ j. d7 l( ^4 h
A gain of 1000 is expected.
: y% I) K1 g: `=>應該是 A gain of 100 is expected.
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-31 05:24 PM
Slide1524: 1 q% T+ _9 B! j. ~. `
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
- z0 N5 _0 G, D3 c, R" Y1 n" c  k  d3 M6 n$ Q
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
, [' q$ n* H0 d7 O+ G; y: gSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1! p% H/ F. t+ g3 J7 U  A# p' h* L" {
( u' j# q) v  ?3 M) x8 B
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
% |; N' |5 h6 C5 ?Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-8 08:10 PM
Slide 1312:
! k# F5 B7 F) {8 H3 L/ F( AInput shunt: Current mixing輸入電阻變小* S7 G" n( ]4 u1 n$ G2 k# H
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大5 o' C: D# i0 I0 A2 ~: L
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小* x6 s( R3 O0 ?3 t# U. m/ [0 [3 ?
Output series: Current sampling輸出電阻變大
' ]) q. l% f& T; |( h
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-30 11:14 AM
slide 0731/ Q) b$ |( F& W; Z' m
需要4各bias 點~8 G  A6 G2 `6 q2 R- B1 v' G& E
  @. _' T& V: |
side 0732
- ^5 y( \/ |# b& h$ f只需要3各bias 點~
& R+ F5 S' m2 D( v" f6 T$ c' @- B% RM2 D 端的極點比slide更遠
作者: 賴永諭    時間: 2019-2-12 04:46 PM
slide 0977 K* R2 S* i% W0 t1 j
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW8 w9 _2 l+ l# ?7 ]9 z2 D
depending on the phase margin required.' Q) R2 s: J+ _0 l, h: b1 O. G" J) r
=> 更正
1 \9 R- d$ s" @+ H3 zIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
2 R: ~; ]0 s3 N# Mdepending on the phase margin required.
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-1 12:36 AM
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
) R  e# A* T# [5 N$ g$ J% X/ B回復 32# tuza2000

) b+ ]- a: m, N- [+ B上面說明有誤～+ `$ y0 b, x5 [4 x) @! l
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
+ Z% l; \, a% Q; ?
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 05:27 PM
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
9 @3 X/ ^; L0 {  H7 vCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻2 V" X1 @: u% L
所以Rm增加beta
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 07:45 PM
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
0 O+ r/ z+ }+ ^/ X' ORef: silde2219
; g+ x* L0 E! |Start-up of oscillation 可知
作者: 賴永諭    時間: 2022-3-30 12:22 PM
Slide 025( ?2 N5 j) r7 j) E( a
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
作者: 賴永諭    時間: 2022-8-5 12:03 PM
slide 0444
+ t1 L7 i8 K( dNoise of a current mirror with series R:2 N7 j# P# i. H1 k$ @7 c
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!3 f6 i3 Z, F5 k' X5 j" V: a  l4 Z
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
& N7 y: I. P, N5 \謝謝~~幫忙回附一下5 F$ `4 [% V2 z* s6 d+ g* O6 V
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:05 PM
slide 0513
+ L) d' ]) Y6 Y& j+ o6 v分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
! x3 S  ~( p; ^- F8 b1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
& G( {& m$ R* T/ ^+ H. I2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。( O5 X9 K8 G7 l- p! K9 Z
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:07 PM
slide 0513. U( B+ C3 A4 U) R/ ^4 U
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下0 l2 b2 C" U. X" M
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
6 e8 h, T7 R, x7 k4 v0 x  G9 `2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。' _; T/ T% h) {( G( }4 I7 b
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 03:59 PM
slide 2222
' }# v# }4 S/ jVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2): \+ P' X6 g2 [' h% A3 J9 n

( L# B7 w: f' Z% j" W: o=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C24 A* Q% @! g. }: O7 \1 W
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
2 C2 t! v9 S# J. a* O4 g所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)3 y7 i4 u% C) R' n4 X; o! `- [; W! E
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222  P% q! f# q. z3 G7 w9 N& }
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)+ f5 ]) ]. l8 y9 O

! ]2 m* r3 a. G, O=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
5 Z) p5 V/ y1 P- y用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
% G: [# B  z! p% G& _' a: y2 ~所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 Z) ~6 Y+ P5 Q9 Y* |8 _, K& i" w
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222
5 c' o; g3 H8 }) j. }Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)5 I) G% w+ k' v8 T1 B0 z
. ]) Z: u# j# q" L, D, c
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C22 p( p8 P" n) s; \# k
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
0 z8 r8 D( Y- u. S所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)4 b- K9 M4 s' L
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222$ J" `+ [4 a$ {0 U
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
6 S; n! P2 h, ]4 X2 p3 W+ h+ [3 Y/ g; P9 g# C5 s+ I3 I
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  t1 E+ Y! N. C$ c  g# w" [用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
! A6 Z6 f5 o! u' [所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
1 G% t8 m3 f. _1 U/ G
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-6 11:07 AM
slide 2264 Calculation of gmA+ H7 K4 D9 o0 _( c5 f

  _# {0 D4 K  H9 |+ _; cgmmax 應該是C1WC1/2C3
& M, d. o4 q, \
1 d% G3 s8 Z, o7 Q8 c8 ]# ~% D' X=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-7 05:51 PM
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
  y2 L" m; T$ ?slide 2222
# I( Y  q7 W. Q# lVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

  N# G! V' N  y# @8 Z: h& ]* TgmA~ 4RsCL^2Ws^2
: i' }. N8 u$ B( B# Pand 4WsCL^2/QCS3 ~) R2 m5 ~2 c8 o
# k7 E5 k! j1 [' @0 s  c0 g, e' ^

- O& U5 j/ x+ C+ ?: r; V
作者: 賴永諭    時間: 2024-4-30 10:52 AM
RIP
) P6 j' c5 S: p" I4 y% {
( ^" k/ t0 A- d& p/ }& H! ]! cIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
9 w3 z9 E1 W2 M  o" r, T2 f1 J8 Z# K, U5 S5 S7 w) V
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-4 10:22 AM
Design of Crystal Oscillators
0 O5 N3 X; N% u- n4 R* lslide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis4 R7 p8 _) M( j8 Q/ M
; o9 x" Y( w: k) z  u
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
$ }' R1 }0 X! c, B& V/ F8 R
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-6 11:12 AM
Update 文件~
  t1 [! V- g- ^- {( ATwo stage ring oscillator analysis
: ^1 [$ x# L. P* @# H
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-6 11:16 AM
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~0 S' l2 _+ S8 J0 O
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-7 10:04 AM
本帖最後由 賴永諭 於 2024-6-7 10:05 AM 編輯
# Z6 x2 z% x8 q& U
賴永諭 發表於 2024-6-6 11:16 AM
4 r9 g+ J3 g) h* H  m# P$ a+ K! tTwo stage ring oscillator analysis文件上傳~~
! r2 y$ M0 {- B3 {4 f9 P6 R+ r3 W$ @) S
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
2 ?2 m) l& s  X8 @$ e$ ~* x: ~8 d2 e+ q
作者: 賴永諭    時間: 2024-8-30 05:19 PM
slide 1010
. E" k7 @- W, g3 F* a2 [2 X. F, D: s. c; l# R+ e% R( [: i
For a CFB amplifier the open-loop gain is ZT and its feedback factor is 1/RF, making the loop-gain TCFB = ZT/RF.
( d% K- p2 Q' u( Y) _  EThe signal bandwidth is determined by RF and not by the circuit gain.
; m0 @* c% g- m. {  jThe circuit gain is independently set with RS.
" R' I. }' D4 r/ o( VThe signal bandwidth remains stable for all gain settings .: F/ w7 q5 e2 e* O, P
Even for unity-gain operation, an RF resistor is required.
. {+ D) t+ |2 lThe best practice when designing with CFB op-amps is to use the RF values given in the datasheet and to adjust the desired gain level through RS.
3 {' V: b2 I$ b' I3 w
作者: 賴永諭    時間: 2024-9-9 10:21 AM
slide 10206 `* K5 M4 o/ v+ P" W

7 l$ m" o+ U. Q& z: H+ t（1) The closed-loop gain can be modified by changing RS, leaving the closed-loop bandwidth unchanged.7 V+ s* H% z5 m9 j& w( @7 V
（2) For a given RF, frequency compensation can be optimized.6 g  k3 U* V. U3 V& ]. e9 v9 d2 l1 _
（3)Suitable for high frequency applications.
  b, r$ X' p0 U" s; V- n: p% X# m
作者: 賴永諭    時間: 2024-9-27 04:33 PM
silde 1557：
  L7 y5 l. K" A* `3 {1. Input offset: Bipolar is better than MOS1 ~0 `9 F# a# `8 Y
KT/C = 26mV << MOS Vov
( s+ t: o- }2 _: H* s4 g2 q( D2. Mismatch 造成Randon offset 8 ]3 a9 m0 t3 i; d1 B5 e
3. 電路不對稱所造成Systematic offset
作者: 賴永諭    時間: 2024-10-17 03:43 PM
本帖最後由 賴永諭 於 2024-10-17 03:48 PM 編輯 1 R, l% Z% T6 s

; S3 T0 N4 s4 fslide 215-216
3 b' K) _, K% D  m* A/ B, _1. Signal 的輸入雜訊直接到輸出
0 H8 z1 z0 t! [, ?' V% w2. DAC 的輸出雜訊也直接到輸出$ W+ c% D8 M$ H3 `+ Y8 P
3. Quantizer noise 才有noise shaping 到輸出
作者: 賴永諭    時間: 2024-10-18 02:26 PM
slide 2188 {) |5 U* {# t8 G  p$ ^
1. First order Sigma-Delta patterns in the output spectrum5 Z# j; S2 J9 O; ]& w; F" T/ L
=> Idle tones(pattern noise, limit cycles); A& e* |9 \) R3 p+ V$ ~
2. Second order Sigma-delta 輸入太大時還是會不穩定
作者: 賴永諭    時間: 4 天前
slide 1756：5 h! Z' N& Q' y- j) y' _

8 @2 z+ @9 p! f3 h( @. n1.SC積分器的BW=(Feedback factor) X Gm/Ceff
* D! t- s; h+ E2.Feedback factor=Cf/(Cf+Cs+Cp)=Beta2 D: e. K9 s6 h6 U) [2 G4 Q) T
3.Ceff=(Cf串(Cs並Cp)): Cf回授電容，Cs取樣電容，Cp 輸入開關電容求和節點處的寄生電容
9 H- p3 q$ F4 [% K* T4.Integration期間的GBW=BetaXGm/Ceff) c% T% h/ Z6 Y
5.Integration期間的SR=Io/Ceff(Io opamp 輸出電流）- u, O% f* D/ _' v. G* \; @, Y# k$ l
9 x9 E1 @2 F1 ~5 b& `' `




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