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標題: LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?) [打印本頁]

作者: andywu    時間: 2008-11-14 12:06 PM
標題: LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)
LDO DC-DC分壓電阻的疑問(等比例的差異!?)6 D' N  h, y8 @

& Y* }0 n# [* y( q) A想請問一下,在LDO或是DC-DC都有回授電阻來分壓+ m7 y: }2 o1 ^5 D  ]5 s

  E. I8 j4 T; u& G- A這些分壓電阻大小有什麼影響嗎?還是等比例就OK呢?: ?  t5 t, R6 ]1 W+ H4 ]' w

/ C. Z, Q: C! _( m; @) G& ?) hEX:   R1=200K     R2=100K 和  R1=20K    R2=10K的差異,分壓出來電壓都一樣,那到底如何選用呢?
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+ |; ^' L; d- M# v9 [以下是 LDO 的相關討論:
" Y! _' k! l3 p2 f) zLow Drop-Out Voltage Regulators
3 b) Q- j: F# B4 C9 e$ o) |Rincón-Mora 《Analog IC Design with LDOs》
/ f2 |/ h8 e% kPMOS Low_Dropout Voltage Regulator Introduction
/ K8 R" t- U4 U- K, z6 s5 }LCD Driver 設計術語簡介[Chip123月刊資料]$ x/ t1 h' H9 X
The evolution of voltage regulators with focus on LDO[NS講義]
6 j8 K% f1 S6 i' \Design of High-Performance Voltage Regulators; q! g7 L0 ]- N. a1 @) t; d
请教有关LDO的问题! R3 }9 V  A% [: P& \& V) [

% a$ Z6 J7 m! j7 U- g- g4 @6 G4 u
5 A, S% H8 J; K
  c/ K1 e2 A# \( o# D0 M
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-5-14 11:33 PM 編輯 ]
作者: baggio    時間: 2008-11-14 01:25 PM
应该是越大越ok,当然也要在同一个数量级上,这点可以从一些产品的datasheet上看出来,, S1 `7 {7 F9 @4 u
在spec中一般会有IFB current 这一项。。。3 x+ P9 A7 X6 h- G  j( W& D, Y6 [9 F: E
其实,你可以这么看,
! a% p1 o1 `0 q8 L6 j) ^feedback电阻和你的output loading是并联在一起的,为了使output得到更大的功率(电流)同时尽可能的减小对你的output loading current精度的影响,要得到100ma就是100ma,而不小于100ma,所以,你的feedback电阻这条支路的电流就要尽可能的小,所以选大的反馈电阻。。。一般IFB current在ua量级。。。。7 X+ m# J/ _+ s
有兴趣加我msn,大家交流交流:baggiodong1982@live.com
# P4 z8 L" V* o( _% C) S
4 b* X9 `+ {" g& G7 u0 `7 A& e[ 本帖最後由 baggio 於 2008-11-14 01:27 PM 編輯 ]
作者: andywu    時間: 2008-11-14 03:36 PM
那分壓電阻有VIN到VFB的R1   和   VFB到GND的R2   這兩個R1,R2要那個大比較好呢?
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-14 08:24 PM
范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
作者: baggio    時間: 2008-11-15 09:09 AM
原帖由 semico_ljj 於 2008-11-14 08:24 PM 發表 ' J/ G1 i2 I" Q, V6 G4 k6 u3 d
范围在几十K到几百K,太大费面积,太小耗功耗!
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5 Q+ P+ ?  U+ k6 H
费面积?会费多大?在pcb板子上都是贴片电阻把。。。+ q- P: T: t9 ]7 E, M" K
楼主意思应该是在pcb上,而非集成在电路内部。。。
作者: tigermouth    時間: 2008-11-18 10:49 PM
面積、功耗的trade off。取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積。( J8 K  _4 n' y- s0 k6 i, f
一般幾百K左右。
作者: hisanick    時間: 2008-11-27 02:40 AM
我之前上 ntu 陳秋麟老師的 power ic, _0 m2 N0 c& f$ r
4 I, w1 B/ W2 g; R7 q! z
有說到電阻值並不是越大越好.. 詳細原因我不知道..& }* c4 R* r' f# I# Z9 @$ a

5 X4 H$ m# X7 `6 N' T  Z雖然以公式來看 效率等等會越好
- \' `  g4 {6 @' P/ _" |2 Z3 x. V5 w$ \. e; `' l3 M
我個人感覺(純猜測)  當電阻十分大時
% V0 Z2 R! c2 S
3 f4 M8 @' ^( Z# q- P* S4 m0 h流的電流會非常小...,然而小電流很 sensitive , ~0 d8 m5 I) h% n+ R
; W6 K% `7 F& Z( i0 w* m
導致LDO輸出端,十分的敏感。.....
6 _) J- m$ V2 ?1 y( n9 s9 v
- y/ V: I1 c9 e, o2 }
8 E* N+ Y& ~$ O1 Y純猜測...
作者: USTM    時間: 2009-4-29 02:36 PM
取值太小會影響功耗,取值太大會增大面積- T4 z$ r* j/ L7 J9 X1 Q0 x
另:- B+ I! \; L& K! E0 b
FB電阻太大會不會產生很大的熱雜訊?
作者: chungming    時間: 2009-4-30 10:51 PM
thermal noise從output端去看應該還好
8 [0 a2 E0 V& h* A因為外面有掛輸出電容noise power會變成KT/C跟電阻無關. [' L' F8 G; `" K% Y
不過下電阻沒掛電容直接進入feedback端的noise就要看LDO整顆的loop gain來決定能否壓的下來1 N5 a- M8 ?5 W8 J  |6 r: H

! C. X; n5 j) H- D. M9 O# r其他就和大大們說的差不多
3 D$ W+ y& e6 R) G8 m太大 占面積* y' {. \4 `0 v: \- |- H% M
太小 耗電流
* {3 T5 [  W, I" x1 t" H$ a' P: S- t" w/ }, U
不過太大 還有一個壞處 就是low load時頻率補償較不容易吧.




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