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標題: 請問p阱裡邊的淺色邊框是什麽? [打印本頁]

作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 11:18 AM
標題: 請問p阱裡邊的淺色邊框是什麽?
如題所說,n阱裡邊有一層淺色邊框,請教大家是什麽,謝謝~
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-10 04:46 PM
Pwell,Nwell标清楚一些麽!
作者: m851055    時間: 2008-12-10 07:31 PM
it is Active .....................) Z) f/ ^1 [" l2 R

) |; j  Q% Y' m+ o! A[ 本帖最後由 m851055 於 2008-12-10 07:33 PM 編輯 ]
作者: kirk    時間: 2008-12-10 08:05 PM
我猜....
0 u: u, f1 W4 E* ~6 s: J4 O裡面是DIFF. U2 ~+ C  w$ y$ u
外面是NIMP
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 10:01 PM
標題: 回復 3# 的帖子
有源區為藍色,                                 
0 N2 k( x. U' v8 A' P; R/ k5 S我的問題是藍色外面的那個框是什麽?
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 10:04 PM
原帖由 semico_ljj 於 2008-12-10 04:46 PM 發表
9 L& {+ Z0 N% a& c+ NPwell,Nwell标清楚一些麽!

# \3 i1 t: e  H( F) u' @9 Qn-sub跟pwell我都有標注,請仔細看* k2 T$ w1 C1 h% h2 q
外面的為n-sub,即n襯底,該mos電晶體為nmos,這下應該夠清楚了吧
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-10 10:07 PM
這個是一個nmos管的照片,第一張是襯底層,第二張是染色層。) W+ g1 n6 `& H2 x
對應同一個管子,只是不同層而已。
作者: jian1712    時間: 2008-12-11 11:45 AM
个人感觉有点像field oxide,nmos很清晰,旁边的1条是沉底接触
作者: LGHHUST    時間: 2008-12-11 01:10 PM
原帖由 jian1712 於 2008-12-11 11:45 AM 發表 8 n; e. Y: @1 ]- r7 ]
个人感觉有点像field oxide,nmos很清晰,旁边的1条是沉底接触

* O4 c% m+ X, P4 @! a" E1 l整個電路中僅有nmos電晶體有這種淺色邊框,pmos是沒有的(這個我先前忘說,抱歉,這裡進上傳了nmos電晶體照片), J* O7 a" F7 }6 N& K/ P
如果是場氧,那么pmos也該有這種痕跡才對哦。




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