Chip123 科技應用創新平台
標題:
請求會tsmc .25製程的高手
[打印本頁]
作者:
eva123
時間:
2008-12-10 05:45 PM
標題:
請求會tsmc .25製程的高手
$ R7 k% F: u @( `# S7 l- y" R8 m. S
拜託各位高手 ， 請幫我看看下面的問題 ^^
2 w& g2 w0 [: Z6 k
1.請問TSMC.25的OD2 layer 包在nmos_g5/pmos_g5 上面0.45um 之外，是否可以cover在P+OD /N+OD bias上面嗎??
# d; Z+ m$ M' B1 u, l0 i4 O5 c0 F; u
2. TSMC.25製程中的poly如果只是當一般LV走線，是否一定需要蓋上N+ or P+的imp
作者:
sw5722
時間:
2008-12-11 04:59 PM
TSMC0.25是沒用過,不過我以tsmc0.18來說吧
, l, Q! j# n+ L2 O, ~- }. i
1 OD2我們是包到guard ring外了,應該是可以
; I r( l% ?( ]* R* ~8 Z
2 poly當導線,應該是不用弄什麼imp的
作者:
ryan1
時間:
2008-12-11 06:10 PM
告訴你好了.
5 [& s. W; U4 i. m' C5 p9 T
1.OD2 layer 是可以cover在P+OD /N+OD bias上面.
. q1 I' R- L, v) V
2.POLY 外面要蓋上N+ or P+的imp.要不然drc會出現錯誤喔.
作者:
caesarxl
時間:
2008-12-13 09:20 AM
楼主，这种case有个万能的解决办法：跑DRC就知道了~~~
作者:
ywliaob
時間:
2008-12-16 07:03 PM
標題:
回復 2# 的帖子
poly 不用implant 如何當走線
$ d" Q8 x! H& o8 {. q
電阻很大
作者:
andyfan66
時間:
2008-12-17 11:39 PM
嗯，手頭沒有T的。25的rule，所以沒法查看，一般來講0.25的工藝應該已經有salicide的啦
; i0 z$ h4 [0 I& m
2 b, J- J( t5 p) z/ i
poly即便沒有implant的注入，由于表面金屬化，也不會有電阻很大的情況出現，但是前提是你的線要寬一點
: N2 _, a- n; x. L3 N) B" G! U
& Z |; G: n/ a% F- a
如果是很細的，由于沒有implant的時候，好像，我不是很確認，narrow line effect的效應會相對嚴重，有可能出現硅表面金屬化形成的不夠好，造成電阻變大。
) p+ A! d. b: c- n W
1 M% B* L1 D- a% K7 b
最簡單的辦法，就是跑DRC，不畫implant看看，過了就說明工廠對這個制程有信心沒問題的，沒過就說明有問題嘍。但是我確認有對這個有不同要求的規則存在。當然，為了安全起見，你加上是完全沒有問題的
作者:
semico_ljj
時間:
2008-12-18 12:40 PM
標題:
回復 6# 的帖子
回答细致！好
作者:
sw5722
時間:
2008-12-22 05:49 PM
標題:
回復 5# 的帖子
抱歉,應該是我搞錯了,因為用POLY當導線已經是很多年前的事了,記憶有點
4 x/ L- J( i: A! l2 b2 b2 n0 Q
模糊,後來遇到的rd,都是嚴禁用METAL以外的東西接線.
作者:
csleea
時間:
2008-12-22 06:16 PM
Thanks for your sharing!
a' `, z* `& x5 V6 a6 e
+ r1 C* {/ W; e6 m' C$ R
poly如果只是當一般LV走線，是不需要蓋上N+ or P+的imp
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://free.vireal.world/chip123_website/innoingbbs/)
Powered by Discuz! X3.2
