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標題: 关于BIPOLAR电路仿真问题 [打印本頁]

作者: basil    時間: 2009-1-15 10:29 PM
標題: 关于BIPOLAR电路仿真问题
一般我们在做MOS电路仿真时,器件主要参数就是W/L,而在
9 [8 G0 p5 a9 g9 F% w做BIPOLAR电路仿真时,器件尺寸主要就是发射区的面积,* m+ u* |3 g% n, o5 D. r, y" c
我们一般主要是看器件的发射区面积的比值,不同发射区面积
% D# ^5 C" U8 V% E8 s,又不成比例,尤其是大功率管时,仿真很烦心,在后仿真时,
( o3 h6 c! V/ yLPE提取出来的管子的发射区面积值是实际的版图所画面积,跟
" f; s5 v* m6 t( g! Z& r比值有点不同,仿真很麻烦,大家有什么好办法?
作者: 122013137    時間: 2009-1-17 04:15 PM
跟比值有点不同???????????????????????????????
作者: pudandan    時間: 2009-1-20 10:41 PM
可以说得详细点吗?发射区面积的大小应该是有规格的!
作者: basil    時間: 2009-1-22 09:01 PM
也就是在输入器件的参数,我是不是直接输入器件的实际发射极面积,
* O( P. i! R" {/ a如5×5=25e-12
: v- O' p1 s9 I# X: c- }7 G2 ~) t: N9 ~) S
另外,在设计功率管的均流电阻时,一般取多大值?
2 `0 G0 q# l1 k
$ t3 {& {; ~4 Y2 }$ v' `[ 本帖最後由 basil 於 2009-1-22 09:03 PM 編輯 ]
作者: lewis339    時間: 2009-11-10 04:20 PM
不太了解您說的意思
: q6 z- H8 P- v# v# L. s, P$ {( S一般來說是依照所需流過的電流大小取BJT的值
作者: ncLM    時間: 2009-11-18 09:05 PM
bipolar模型中器件发射区面积都是一定的,仿真时候器件参数里面填的是和所选择模型发射区面积的比值。后仿真的时候提取出的如果是真实的面积,那么可以考虑写成子电路形式,仍旧得到一个比值。




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