Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉

jiming

Editorial: MPR Analysts' Choice Awards
4 u/ X5 `. u5 e( g) i- MMPR Innovation Award: Razor
% W: X# z! w3 x# nMPR Innovation Award: Eutecus
MPR Innovation Award: High-k
- d) ]0 {6 ~7 g' ~( ~2 kMPR Innovation Award: Planet82's SMPD
MPR Innovation Award: Ambric
: T* P; _0 d8 `3 H! CMPR Innovation Award: ARM996HS
. ]/ {( _! d  ]4 V9 w% QMPR Innovation Award: MRAM
MPR Innovation Award: Intel Core

飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項
) W2 W+ @2 [6 v* ZMR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體，陸續獲得業界肯定

- G3 C$ W+ {8 F( I9 A2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾，其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。
9 ]7 g9 I, l1 `
, e/ s. [/ d  i' C; yMR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory，NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點，為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用，例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案，以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體，以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。

飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示：「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定，更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商，我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品，絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」

獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得，他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構，於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍，候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。

有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情，請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html。

% Y0 D9 V( H; v2 k" |[ 本帖最後由 jiming 於 2007-3-1 06:01 PM 編輯 ]