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標題: IR推出兩款可配置雙相位PWM控制IC 適用於高效能同步降壓DC-DC轉換器 [打印本頁]
作者: heavy91    時間: 2007-7-19 02:09 PM
標題: IR推出兩款可配置雙相位PWM控制IC 適用於高效能同步降壓DC-DC轉換器
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出兩款雙通道同步降壓控制IC，並為數據網絡、電腦運算及通訊系統適用的中至高電流負載點 (POL) 降壓轉換器加入了整合式高效能驅動器。
8 i4 ^6 }# i1 W
9 m& t& i# h. i$ H8 G# C新的IR3622MPbF及IR3622AMPbF能為支援在電流分享模式中的單組輸出作出配置，提供最大80安培電流，又或支援兩組獨立輸出。有關的獨立通道以180° 反相運作，並降低了對輸入電容的要求。在單組輸出模式中的輸出脈動電壓也顯著減少。2 ~! O8 R0 f0 r5 ~5 n& T$ Q2 k! ]  }( N
3 ~7 W. z! P9 }: b8 w0 Z1 R! s5 s# e
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「這些靈活兼功能豐富的IC帶來了更強的保護和配置能力，足以迎合現今高效能系統的設計要求。」& X; ?' L( e; h; x* A

" O1 \  K) N( I2 e" YIR3622MPbF以12伏單組輸入應用為目標，而IR3622AMPbF則能支援5伏和12伏的應用。它們的主要保護功能包括：可選擇斷續式或鎖存電流限制、預置偏壓啟動功能、熱斷電保護，以及欠壓和過壓保護。
  g/ D4 b" x$ f- B" Z/ b$ d  q. _" [  P6 x0 m
新元件的可編程開關頻率最高可達600kHz，以降低輸入和輸出濾波器要求，且盡量縮小外置濾波電容器的體積和數量，以及減少所需電感器數目。採用32腳MLPQ封裝的新IC擁有兩種獨立可編程軟起動功能，為系統層面起動所必需的不同配置，在系統層面上作出輸出電壓定序。9 Q4 _4 m/ T& u# q+ F9 \! ~0 z# y

, H8 }3 f4 b3 R6 N5 ?+ _IR3622系列綜合了追蹤、定序、充許，以至能觸發跨越多個POL轉換器的輸出電壓上升之「電源良好」輸出功能，因而非常適合要求先進通電和省電追蹤，以及多軌定序的多軌應用。+ R3 e: }5 h6 D  i: V7 A* R
# z5 z3 a3 U/ T
新元件現在已開始供貨，並備有兩款參考設計，當中IRDC3622S為IR3622MPbF而設，IRDC3622D則配合IR3622AMPbF使用。新元件的基本規格如下：
元件編號
) i6 \2 P  O; j# p) C* J9 @& c8 g
封裝
" v$ L  T' {0 K, x  e1 M3 K
最高輸入電壓 (V)
+ ^& t' T, p3 O( t( [
最低輸入電壓 (V)

' d" s- z' c0 Z! Z
最高輸出電壓 (V)
2 r3 ^) h. y2 T' A5 S
最高輸出電壓 (V)

$ w5 y2 v3 n4 j( A/ |. F9 d
最大電流

0 B: f3 g9 f$ {/ n% Z4 ^( m2 i
(A)

+ x7 r9 z$ K3 U3 p. Q3 z1 i
IR3622MPbF
7 y8 ~* _/ u8 q		32L MLPQ
, j+ K6 [  H( @7 j- B: t1 t$ P/ k5 ?		14.55 I6 O- o7 b; Z. e! o
7.5
7 H* `0 T) h! _2 z& Z$ Y		Vcc * 0.84
/ K: a& D( k8 G$ {5 |) f		0.8
' e9 v: E2 c, N		80
$ T- N4 Q0 b" e) g
IR3622MTRPbF7 F% ~$ P3 V0 d$ a
32L MLPQ) H$ w! K3 J0 @. Y
14.5+ R  g. W4 I0 L5 L
7.5
" k  H+ I* z7 V& L" S5 T		Vcc * 0.84" V- K8 Y0 w. H8 N% ?
0.8* |- f6 k( X" w0 `9 [* z" @# p
80
* [* B, h  r( v. A
IR3622AMPbF
: d; l! j& I7 Y* l  U# g		32L MLPQ$ O! N6 {- z1 K0 w& {
14.5% a5 q+ p9 _: ]6 Y
4.57 Y0 a( |# ~% s4 A
Vcc * 0.84. j! `: _. g, [/ O4 W
0.8
: K( G8 q* h7 |6 S0 r  M		80. X7 {  j0 h$ ^* B1 ?0 a. K
IR3622AMTRPbF( n8 q9 p$ ~5 a% p/ G% t
32L MLPQ* a) c) z: z. g8 G# D6 s. z
14.5
; i& C7 W; I- }. S; ]- N		4.5
5 d; n2 L1 m5 y6 V		Vcc * 0.84
7 |" C+ @- e& L6 l, R2 g		0.8- Q" n0 Q* u3 }2 a
80; [6 z0 p3 W% u$ f8 A  [

7 J  Z  e; |: c( B  q  f. K3 r5 e! i: d/ t% W1 Y# x! B
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
$ p# z0 ^% D; k6 ~# W: f6 D國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。5 _( d0 e& w9 ?# q' x
+ j! L8 G6 h- k4 z' p  U: b4 Q  @
[attach]1277[/attach]
9 @3 j* ?; _" b; v' b                      IR3622MPbF
作者: jiming    時間: 2007-9-27 11:12 PM
標題: IR給予Infineon Technologies DirectFET封裝技術授權
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 與英飛凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布，後者將獲授權使用IR已取得專利的DirectFET先進功率管理封裝技術。
" z& R9 {# y/ ~- |# K/ u
; C5 X( t# f4 r& z' S  J* c5 q" ~DirectFET 功率封裝是業界首項於SO-8或更少的佔位面積，提供具效率上部散熱的表面粘著功率MOSFET封裝技術，專為電腦、筆記簿型電腦、電訊和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用而設計。相比標準塑料分立封裝，DirectFET的金屬容器結構提供雙面散熱功能，因而可把高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力，有效增加一倍。1 H# `# V% O% i+ m5 E, ?: D+ @2 N

2 _" W  l. {' N+ o, m英飛凌將會把DirectFET功率封裝技術運用到旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3晶片技術上，並預計由2008年初開始提供採用DirectFET封裝的OptiMOS 2樣本。
1 W; Y0 S$ x4 q
0 m! h5 h, ]* RIR企業功率業務部副總裁Tim Phillips表示：「由於具備獨特的雙面散熱設計，IR的DirectFET封裝技術成為先進電腦運算、消費及通訊應用所樂於採用的解決方案，以減低能源損耗，同時亦減少設計佔位面積。」( f4 @' D5 `; ^' S# q
" k% `$ Z! e5 ?7 B' n' z
他補充說：「我們不斷為節省能源開發尖端技術，並透過授權協議，擴大 DirectFET這類創新技術在節能方面的影響力，以及進一步擴展我們在功率管理市場最主要領域的業務。」9 d' R) p' t  N# M. u$ L

; O* W4 `- V$ ^8 }+ |- P* ]英飛凌科技功率管理及驅動器業務部高級副總裁兼總經理Arunjai Mittal指出：「有了這項協議，英飛凌將繼續擴充旗下的功率半導體產品系列。把我們成功的OptiMOS晶片技術與不同封裝選擇結合，以適應廣泛的應用，使電源設計師可以為指定應用採用具備能源和成本效益的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3元件本身已擁有卓越的功能特性，現再加上能夠提供雙面散熱效能的封裝，將更加鞏固英飛凌在功率轉換市場的地位。」
作者: jiming    時間: 2007-10-17 09:21 AM
標題: IR新款600V高壓IC融合多種保護功能
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新一代600V高壓IC (HVIC) 。這個IRS212x 600V單通道閘驅動器系列適用於低、中和高壓馬達控制應用以及不同電路拓撲，包括三相轉換器、H-橋，和其他採用MOS閘控功率元件的拓撲。, F5 S& j4 L5 ]* g( ]3 |

# M4 P$ Q9 x6 ~IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IR的IRS212x高壓IC系列具備全面的整合保護功能，包括對電源開關的過電流偵測，同時為非常緊密的8接腳佔位空間提供堅固可靠的方案。」
5 _* [8 x( x# R7 D& B, s6 k$ A5 N7 Q1 e# j  S; w+ J5 k
IRS212x系列IC提供最高20V閘電壓，典型接通電流為290mA，而典型關閉電流則為600mA，並接受3.3V、5V和15V的輸入邏輯水平。其他整合保護功能包括欠壓閉鎖保護、過電流偵測保護，以及錯誤報告。
# N8 ?3 g. p9 i" L/ }9 L" u
* v; c/ Y" J/ f' b( d# O新IC採用一項稱為G5 HVIC的先進高壓IC製程，以加添更多新功能和增強效能。新一代的高壓電平位移和終端技術，也可提供超卓的電力過應保護和更高的場可靠性。( l! H: x0 T. y# d4 Z* l

3 X( {" s" j+ B. z所有G5 HVIC已通過多項品質和可靠性測試，並且接受了長期的可靠性測試，確認堅固程度超越產品在個別應用環境下的預期可用壽命。這項認可要求元件通過數項應力測試，包括一項長達2,000小時的高溫偏壓測試。% i/ x+ f6 y3 B2 r7 @% T: ^

9 j. Q3 U, V/ F, V$ m, P此外，元件也受惠於矽技術和封裝的改良，使可靠性得以提升。先進的封裝設備和物料，例如近期改進了的封膠注入技術，能降低這些元件對濕度的敏感程度，並改善塑膠至晶片介面的溫度表現。最高的焊接溫度由於採用無鉛焊接物料而有所上升，使有關溫度表現成為重要考慮因素。
# k" ^8 o% j5 m/ p# j* {% h/ ]* \' P5 S# C
表面粘著SO-8封裝達到MSL2 (第二級濕度敏感度標準)，其餘所有表面粘著封裝則通過MSL3 (第三級濕度敏感度標準)。全部新HVIC皆為J-STD-020C標準認可，並符合IR的環保目標和政策。
作者: chip123    時間: 2007-10-25 09:12 AM
標題: IR宣布管理層新任命
晉升業界翹楚Michael A. Briere博士為新任CTO，以及Paul Rolls為代理環球銷售高級副總裁
' V5 k6 O7 G( T3 Z
4 {  A/ u% c, T, g( E! u8 M7 |全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布最新架構任命，為公司領導層帶來新氣象。今年45歲，先前擔任IR研究及開發行政副總裁的Michael A. Briere博士，獲公司委任為研究及開發行政副總裁暨 CTO。同樣為45歲的Paul Ross，則獲晉升為代理環球銷售高級副總裁。Briere 博士履新後將專責IR的技術和產品發展策略。
" N7 u2 ~/ }. g; c3 b, L/ n( E( }+ @/ M" h3 o( a
IR代理CEO Don Dancer表示：「我非常高興能夠得到受廣泛認同的業界翹楚Mike Briere，能擔任IR新一代產品開發和執行的先鋒。在這個過度期間，Mike已經充分顯示出其領導才華，以至他對IR的客戶和員工的專注。我深信憑其經驗、技術知識和創新態度，必定能繼續引領IR邁步向前。」
# E7 D  a4 x) {$ L# P& T& z% ?; j' m  z+ w" ~
Briere博士於2003年加入IR，並於最近出任公司的研究及開發行政副總裁一職，負責統領一支為數250名工程師及科學家的隊伍，為IR進行各種研究和開發計劃。在此之前，Briere博士為公司的集成電路發展副總裁，負責IR就晶圓製程、元件設計，以及特性創造方面的環球研究和開發工作。他並帶領發展與使用於功率管理應用上的集成電路相關之電子設計自動化和測試技術。8 Z& F- S  `4 E
* d+ T: L+ H4 _* {  B
在加入IR之前，Briere博士為創新功率集成電路設計及系統開發和推廣商Picor Corporation的創辦人、總裁兼CEO。他在半導體業界擁有二十年經驗，歷任IBM、Hahn Meitner Institute of Berlin、Lawrence Livermore National Laboratory、Cherry Semiconductor以及安森美半導體公司不同職位。, K2 z3 {3 j: E+ g3 I0 x, g) w. |

' ]6 s6 D6 w* i6 cBriere博士持有伍斯特理工學院 (Worcester Polytechnic Institute) 電子工程理學士和物理學科學碩士學位，以及柏林技術大學固態物理學博士學位。他亦曾服務於國際電機電子工程師學會功率元件及集成電路小組委員會，與及功率半導體元件和集成電路國際研討會計劃委員會。他更曾是羅德島大學表面和薄膜中心的顧問委員，並同時擔任該大學的物理學兼任副教授。
5 a- V8 @: m) R* k
$ y! l8 Y6 N. k6 d0 r6 C: y- c與此同時，IR亦宣布另一項晉升任命，以鞏固公司銷售組織的領導層。早於1996年加入IR出任歐洲區服務總監的Paul Rolls，將負責統籌涵蓋IR所有直銷、分銷和代理銷售渠道的需求創造活動，建立並提升環球銷售團隊的表現，以及與策略合作夥伴和客戶締造更緊密聯盟關係。他將直接向公司的代理CEO Don Dancer匯報。在2000年，Rolls獲晉升為電子商貿及環球服務新業務發展副總裁，更於2006年再度晉升為美洲區銷售副總裁，使公司得以開拓更多新銷售渠道並增加銷售額。
: G( c- A" ^9 R" D) N) a
6 k8 X+ V, Q" I) X! v( [IR代理CEO Don Dancer表示：「Paul Rolls這次晉升不但實至名歸，更反映了我們不斷致力改善銷售組織，務求與客戶和合作夥伴加強聯繫。Paul在為客戶提供符合他們要求的高質素務和支援方面的國際經驗，對我們彌足珍貴。他這位經驗豐富的專家亦將擔任重要角色，協助推動公司向著我們的策略增長目標邁進。」
" g# `) q' [. J" N6 I5 f* A5 x3 u8 c$ R9 H! K7 X, u! R/ H
Rolls在加入IR之前，曾出任康柏電腦和Unisys公司在物料規劃方面的多個不同管理職位。
作者: chip123    時間: 2007-11-30 03:45 PM
標題: IR全新SupIRBuck 整合式DC-DC 穩壓器系列
簡化嵌入式功率設計並縮少矽佔位面積多達70%
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出多功能、兼容廣闊輸入的單輸出同步降壓穩壓器，適用於高密度、高效能資料中心，以及消費性應用。 5 ?; W! n* D% |% F' t4 G

3 M+ ~+ h/ s* x  P, J( Q+ LIR38xx SupIRBuck 負載點 (POL) 電壓穩壓器系列把IR已成標準的HEXFET溝道技術MOSFET及一個高效能同步降壓控制IC融合到只有5mm x 6mm的功率四方扁平無引腳（Power OFN) 封裝，使矽佔位面積較分立方案大幅減少70%，並較另一類選擇─單片式IC所能提供的全負載效率高出8%至10%。 / z2 a* C. L4 Y) @. G" j

& v5 f' O: O! N8 }4 A  tIR台灣分公司總經理朱文義表示：「由於SupIRBuck具備獨特的可延展通用佔位面積，設計師可以輕易以『剪下後貼』的方式設計新產品，從而顯著減低風險，也可加快產品推出市場的時間。IR領導業界的XPhase和DirectFET多相位架構在增添SupIRBuck POL系列後，將讓我們能夠為包括企業伺服器在內的資料中心設備，提供最有效率及最全面的功率方案。」
  F4 p" _. X5 z. X; R$ \
- i0 y8 R  _2 F' k! l2 N  |IR38xx乃為切換頻率在600kHz的4A、7A及12A輸出負載電流而設計，可在2.5V至21V這般廣闊的輸入電壓範圍下操作，並能提供低至0.6V的輸出電壓。通用功能包括預偏置起動、固定600kHz切換頻率、自動回復 (Hiccup) 電流限制保護、熱關閉，以及精確輸出電壓調節。其他功能選擇還包括電壓追蹤、可編程電源良好，以及300kHz切換頻率以提供額外2A的輸出電流能力。SupIRBuck系列的熱加強封裝採用纖薄的0.9mm設計，讓元件可粘貼在主機板背面，使裝置非常適用於受空間限制的高密度伺服器應用。
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2 ?" C6 w1 n5 |0 d3 Z: z[attach]2180[/attach]
作者: heavy91    時間: 2007-12-21 04:30 PM
IR全新iPOWIR匯編區塊能節省空間
3 K9 U' J$ M/ F! @並簡化高效率POL降壓轉換器設計
& d4 k4 k- P! l1 ~
% }4 [! R% Q! H, O, e全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新產品iP1206，為包括電訊及網路器材在內的同步降壓應用，提供全面優化方案。 6 `' O$ E6 Y1 _3 D( _( \8 }
& b. e% I, p* b# N' S. i
iP1206是iPOWIR整合式功率轉換級產品系列的最新產品，特別為高達30A 的雙相位單輸出應用或最高15A的雙獨立輸出而設計。這兩個選擇均採用了同步180° 反相運作，能夠減少輸入電流脈動和輸入電壓脈動。該器件由一枚優化功率級和一枚全功能脈衝寬度調變 (PWM) 控制IC組成，務求達致高功率密度。
7 O$ j8 j# j5 T, z. V, U' W* j% g8 v8 z0 p! m
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「iP1206就如其他所iPOWIR產品一樣設計容易，並可輕鬆複製多種電壓和功率軌。這是因為所有關鍵器件都已經整合在一起，只要增添數個外部被動式器件便可完成一個完善的負載點 (POL) 方案。」 ! t+ P* ]* n4 e

& ?- X0 q: g- |1 A  g$ D0 }新產品的功能包括每個通道的切換頻率可高達600kHz 、非損耗式電流限制、過壓及過溫保護、預偏置起動、外部同步化、輸出電壓追蹤和排序。
9 B! _. R4 o8 Y$ s( B7 w
7 q6 u' |* }1 k, T# l0 n# y( g; r產品基本規格如下：
元件編號
6 m7 l& b# O- I) A" w( Y
封裝
最大/最少
輸入電壓 (V)
輸出電壓 (V)
每個通道最大IOUT
在雙相位模式下
最大IOUT
頻率
iP1206PBF
" i0 N  x5 n7 M& H' q		LGA
( G1 F, e  l6 ?6 }		7.5-14.5
9 C: Z/ p$ q+ U		0.8-5.5" y7 K: H% }2 ?! {
15A# D6 Z7 c" W% h( z* z
30A+ S/ Z7 U5 ]+ C. U/ e$ s
最高600kHz; M4 i: W6 O1 Z* E6 k* i
8 d, i' }6 s" a2 P
/ x* C* T4 v2 n6 C0 G6 U
此外，可供運用的設計工具包括支援網路的iP1206 Spice電路模擬及IRDCiP1206-B這款每個通道為15A的雙輸出同步降壓轉換器參考設計。
- m( @: q  P! a& A: }4 l0 z! S2 ?1 P: f0 a! N" ^2 o$ M  b7 t' C" u
關於iPOWIR 8 \& J. V0 ~& ?! G$ h) s, n
iPOWIR整合功率轉換級產品系列提供更大的功率密度、更高的效率和更強的穩固性。該產品同時也可以透過較低的噪音，為最新一代的低壓數據處理帶來非常創新和具成本效益的方案，使功率供應設計可以縮小，並獲得簡化和優化。- G3 j! c0 j: A: h* H& @
5 {7 R+ `5 u: S/ ~" k8 j& }, d
[attach]2373[/attach]
作者: chip123    時間: 2008-1-22 08:05 AM
標題: IR全新保護式三相600V IC為PFC或制動器提供額外通道 並具接地錯誤保護功能
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRS26302D。這款保護式600V三相閘驅動器IC具接地錯誤保護功能。它並為功率因素修正 (Power Factor Correction，簡稱PFC) 開關或變頻制動器提供第七條閘驅動通道，適用於中功率設備馬達控制以及其他許多通用三相反相應用。
+ ~$ k, ?# I. x1 J' S4 a# ]' a/ G9 p! J2 T, M' W
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「憑著為PFC或制動器而設的整合式啟動程式功能， 還有接地錯誤保護功能，我們最新的高壓IC非常適用於受空間限制的三相變頻器應用。作為我們最新一代HVIC的成員，這款精密的IC也提供多種保護功能，包括我們的負電壓免疫電路，來抵禦在大電流切換及短路情況下發生的極大負電壓瞬變。」
5 f7 l1 i( E! T9 r8 ~
, O" X3 @! |) R5 W# @IRS26302D把功率MOSFET/IGBT閘驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道整合在一起，在最高20V MOS閘驅動效能及最高600V運作下，提供200mA/300mA驅動電流。新產品另外還有一個為PFC開關或反向制動器而設的低側驅動器。
; e2 t; |( Q, i) e1 X& w/ I
5 {) ?+ u* B  ^# H# l這款IC具備接地錯誤保護，這對工業系統保持耐用性和可靠性十分重要。它並加入了能夠防止系統在大電流切換或短路情况下出現災難性耗損的負電壓免疫電路，以及整合了先進的輸入濾波器來抑制噪聲並减少失真，從而提高許多馬達控制應用中的系統性能。
8 d6 w0 T2 G5 N
0 g, x5 Z+ _# L; [1 l' S! @爲了迎合應用受空間限制，但又希望能夠簡化設計的需求，IRS26302D提供整合式的啟動程式功能。這項功能可以把啟動電源元件從6個减少到3個，同時透過使用額外的整合智能保護電路爲系統提供VBS過壓保護。 + q. U: H; L4 K) [# K: y
9 J6 R! w+ S9 R. r
作為IR G5 HVIC平台的成員，新IC採用了IR的先進高壓IC製程，加入新一代的高壓電平位移和終端技術，提供超卓的電力過應保護和更高的場可靠性。新 IC除了有過流、過溫檢測輸入等功能，還具有欠壓鎖定保護、整合停滯時間保護、擊穿保護、關斷輸入、錯誤報告等功能，並能與 3.3V輸入邏輯兼容。
  v; V1 ]/ a, B1 ~6 F* q
2 I, S" G& f& H" Q* k/ r2 ]  ^產品基本規格如下：+ \7 x4 |" z. R) n, V: N4 f5 S  \
元件編號 [td]
偏移電壓
[td]
輸出電壓
[td]
Io+ /Io- (典型)
[td]
停滯時間(典型)
IRS26302DJPbF [td]600V [td]10V – 20V [td]200mA / 350mA [td]290ns

7 |- |! u3 V+ G7 {新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。
3 X: m/ d7 G3 r[attach]2649[/attach]
作者: jiming    時間: 2008-3-6 12:01 PM
標題: IR最新iP2005A以縮小了40%的封裝 同時降低功率耗損和EMI
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出iP2005A全面優化功率級解決方案，適用於為遊戲、電腦運算和通訊應用而設的高電流同步降壓多相位轉換器。
) p$ N" `" q5 ~; E& Y& h, V" Q7 T
  Z) Q: o1 @1 x這款iP2005A的體積較前一代的元件小百分之四十，但能夠提供高達1.5MHz的效率作業，讓設計人員可透過盡量減少輸出電容器和電感器的數值，進一步減少佔板面積。iP2005A乃為非常低的EMI而優化，避免了在消費者遊戲機等對EMI敏感的設計使用外部緩衝電路。憑藉減省外部緩衝電路的需要，iP2005A的每相位功率耗損，較要求一個2.2Ohms的外部電阻器和10nF的電容器緩衝電路配合的前一代元件，節省高達2.3W。 7 X# G0 s6 e+ {4 `# \$ D& Q" D
8 S$ }' @- s7 i) o. Y
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「由於體積小了40%，iP2005A成為一款能提供高效能的微型系統功率模塊。同時基於其高度整合性，這款元件也顯著節省空間且能簡化設計。」
$ x) p. }5 t2 k) k3 N3 {- ]4 P/ V( u6 `6 [+ ~
每個iP2005A building block採用7.7mm x 7.7mm x 1.7mm LGA封裝，能於0.8V至5.5V的輸出範圍提供最高40A的電流。多相位系統如使用這些building block，一個業界標準的四相位控制器便能達致最高160A的電流。除了一個外部PWM控制器之外，每相位僅需要輸入和輸出電容器，以及一個輸出電感器來配合。   - o: t5 D' {+ _. f2 G; L2 k

7 g; Y. J& i5 S3 s6 c! X* s0 m3 P* z產品基本規格如下：5 T8 k! C$ O# R
件編號 [td]
封裝
[td]
輸入電壓
- G; b6 c7 o) B7 u(V)
[td]
輸出電壓 (V)
[td]
輸出電流 (A)
[td]
最高頻率 (MHz)
iP2005A [td]
7.7mm x 7.7mm x 1.7mm LGA
[td]
6.5 -13.2
[td]
0.8 - 5.5
[td]
40A
[td]
1.5

  ?- `1 F) ?9 U. A; l# A* O9 Y/ N2 q
新產品現已接受批量訂單。配備iP2005A元件的IRDCiP2005A-A參考設計亦已推出。 ! C. R  J: E3 @" Z6 Z. X
! W0 g1 Z  \% W3 s; k5 z" u
關於iPOWIR 7 r  D0 I0 ]& r9 S' W  ~
iPOWIR整合功率轉換級產品系列提供更大的功率密度、更高的效率和更強的穩固性。該產品同時也可以透過較低的噪音，為採用單相位及多相位拓樸的最新一代低壓數據處理元件帶來非常創新和具成本效益的方案，使功率供應設計可以縮小，並獲得簡化和優化。IR在功率元件和驅動器協同設計方面的專長，以及創新封裝的悠久歷史，帶來了這種優化多功能元件，成功把多種功率半導體、集成電路和被動元件整合到改善了溫度特性的單一封裝。
作者: jiming    時間: 2008-3-7 12:48 PM
標題: IR推出600V溝道IGBT 在UPS和太陽能轉換器應用中減少功耗達30%
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 系列，能夠在最高3kW的不斷電系統 (UPS) 及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。
- U; X% Z1 p# a& I0 E# `8 d( X8 L) @$ F& a1 i- r0 N
這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率。 * _! h/ J/ j1 v6 I$ o
$ z  s: A( G1 `) {7 W: Z
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「傳統來說，每當IGBT元件應用於UPS和太陽能轉換器所使用的頻率時就會出現極大的開關損耗。IR新推出的溝道IGBT元件結合了較低的開關能量和低傳導耗損。這些較低的耗損可以為終端用家提升效率、縮少設備單元的體積，以及節省發電的成本。」
2 q* f  Q# c; \* z3 z( l* u4 D0 H% U0 V) X. q& E& d. l& g0 `
與超快速軟恢復二極管封裝在一起的新IGBT系列，較穿透型(PT) 和非穿透型 (NPT) IGBT 擁有較低的集電極到發射極飽和電壓(VCE(on)) 及總的開關能源量 (ETS) 。此外，內置超快速軟恢復二極管也能提升效率且減低EMI。   
- S- }# c/ O; ], ~3 N; i' j
  H5 {+ ]: c, C+ V' W: n產品基本規格如下：
  i% D- H) S- a8 E1 o7 a$ n
元件編號% L0 ?3 e# K+ ?! ^
封裝類型
電壓
額定電流
Tcase = 100oC
VGE = 15V
Vce (on), p2 d# Q. r1 s/ b9 E) G6 {
於額定電流的ETS
Tj = 175oC
IRGB4059DPbF  F9 _% W% T) \% D0 B' `1 H
TO-220
600
4.0
2.20
210
IRGB4045DPbF
% u$ e1 G2 c! k! K$ g) ]( `
TO-220
600
6.0
2.14
329
IRGB4060DPbF
% Z& U! h9 Q& q* M$ Y" ~
TO-220
600
8.0
1.95
405
IRGB4064DPbF$ f0 E$ _+ `1 @+ r( `
TO-220
600
10.0
2.00
415
IRGB4063DPbF
, c9 j9 b% k6 L) k$ b; d; Z% {
TO-247
600
48.0
2.10
3210
作者: jiming    時間: 2008-3-15 10:56 AM
標題: IR最新IR3502 Xphase控制IC提供 基於Intel VR11.0和VR11.1處理器的高度靈活功率方案
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 為Intel VR11.0和VR11.1處理器推出IR3502 XPhase控制IC。
; K! t* |: i8 g) a8 {6 b* {2 n0 I* ]* B: J1 C2 {- e
這款IR3502能夠為任何數目的IR XPhase相位IC提供整體系統控制和介面，而每夥XPhase相位IC可各自驅動並監察單一相位。IR3502的主要功能包括提供0.5%整體系統設定值精確度和數菊鏈式數位相位定時，使不需外部元件的情況下，也能達致準確的相位交錯。與IR3507相位IC結合，IR3502及IR3507晶片組提供功率級指示器 (PSI) 效能，以改善穩壓模組 (VRM) 輕負載效率。 / K+ |% i8 N% r7 N' v0 S
& c, {  c+ S$ R1 V0 T$ g
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IR3502的體積僅為採用7mm x 7mm MLP封裝的傳統六相位控制IC的一半。跟傳統多相位架構相比，與IR3507相位IC和DirectFET MOSFET作協同設計的XPhase晶片組能提供較高的功率密度，使電源可以變得更小、更平宜及更易於設計。」 ) ~$ r! t! P/ K, d6 R9 b$ j
: J9 {) k2 J+ d- Y' V
IR3502包括一系統保護功能以及高度可編程能力，例如能夠把時鐘振盪器頻率由250kHz改編為9MHz，從而把每相位切換頻率由250kHz提高至1.5Mhz。新產品更在擁有30MHz闊頻寛和10V/us快速轉換率的高速錯誤放大器之外，還提供可編程動態VID轉換率及可編程VID偏移或無偏移。IR3502也改善了浮動效能，有助減省外部熱敏電阻的需要。
! v# K3 a) m) ?) R
$ D9 e4 ]: T5 g/ d# ?. k3 K" Y$ O產品基本規格如下：
# X9 d: F  Z/ i. }7 Y9 T
元件編號
; d4 C$ H% }5 n
封裝
偏置供應電壓
系統設定值精確度
切換頻率
IR3502MPBF
32L 5x5 MLPQ
+6.8V +/- 3.4%
+/- 0.5%
250kHz – 1.5MHz

5 {& ?/ @6 F  B$ {6 o: d" G
; A' R( c0 F0 `
元件編號
封裝
PSI效能
切換頻率
最大VccL
IR3507MPBF20L 4x4mm MLPQ
有
250kHz – 1.5MHz
8V
! F9 N$ z  W. G% }' Q; n

5 ~8 y5 n% d, {, B6 x: Z, H
元件編號
封裝

8 M; S$ \) g6 K& G		漏極
: f# P$ K' Y/ V4 t" A9 ^" C; s額定值 / p0 ]! k, N; \4 H; l) |
(V) 		門額定值(V) * C, s( {0 _! i
最大Rdson@10V 6 A' G/ w4 p1 h/ ]
(mOhm) 		最大Rdson@4.5V 3 ~( k% ]5 [! s) V% A% E# y; X5 \
(mOhm)
( h+ R/ J1 J, p3 u1 o* v! ^) d		典型Qg (nC) 7 B2 C. `5 |  Y& N$ q
IRF6721SPBFDirectFET25 20 4.9 8.7 12
IRF6721MPBFDirectFET 25 20 2.1 3.4 29
IRF6715MPBFDirectFET25 20 1.6 2.7 40
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。
0 k% a: M/ Q1 @1 [
2 x  O' `: D( o) B! C4 C關於XPhase
9 ]+ `  `$ b6 \5 W( }  K2 w0 c. tXPhase是IR的分佈式多相位結構，當中包含以簡單6線式匯流排電路溝通的控制IC和相位IC，毋須改動基本設計也可隨時增減相位。6線式匯流排包含3線數位相位定時匯流排、平均電流、錯誤放大器輸出和VID電壓。透過省去控制和相位IC之間的點對點導線，6線式匯流排能夠縮短互連，減少寄生電感和雜訊，從而簡化PCB設計，實現更穩健的設計。
作者: chip123    時間: 2008-4-9 09:08 AM
標題: IR委任Michael Barrow為執行副總裁及COO
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布委任Michael Barrow為執行副總裁及COO，新任命由2008年4月14日起生效。現年53歲的Barrow先生將致力推行策略，以建立世界級的製造機構，並直接向IR的總裁及CEO Oleg Khaykin匯報。
; B0 D! _- L+ q5 ]9 @- Y5 r
1 \! v" R9 a& `8 {曾服務Amkor Technology及英特爾公司的Barrow先生為IR帶來30年的半導體和營運領導經驗。他離開Amkor前為該公司覆晶及晶圓級封裝業務部的高級副總裁和總經理，專責制定策略方向和業務增長。在任職Amkor前，Barrow先生於英特爾公司任職了12年，最終更獲晉升為英特爾通訊部的技術總經理以及晶片組部的技術經理。Barrow先生也曾服務Unisys長達11年，備受公司重視，責任日重。他的事業發展則以作為Electro Pacific公司的功率設計工程師為起點。 9 k1 M0 X3 y! \3 v/ Y* b0 O
6 i4 j8 B. Q  t# O6 `8 z6 W& }  w
IR總裁及CEO Oleg Khaykin表示：「我們非常高興能夠獲得Michael Barrow加盟IR的管理團隊。我非常有信心其在工程技術和製造生產的豐富經驗將大大加強我們管理團隊的實力，讓我們能夠順理推行策略，使IR分布世界各地的製造設施有更卓越的營運。Michael過去在精益製造方面有出色的成就，屢能改善營運衡量機制、節省成本和建立成功的團隊。」 8 k+ j& Y( a' }

+ Z6 c0 J( t/ o獲委任新職的Michael Barrow欣言道：「我對能夠加入IR，協助使原有的鞏固基礎更上層樓感到雀躍萬分。我熱切期待可與充滿才華的團隊攜手，共同促進製造流程效率，並且符合甚至超越我們珍貴客戶的要求。」
1 B, a0 V. C: ]1 r* D  h, p
6 Q. Z4 e4 P" {! t3 cBarrow先生擁有南非德班Natal Technikon技術學院的BSEE / BSME學位。
作者: jiming    時間: 2008-5-28 09:34 AM
標題: IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉換器設計帶來更高效能和電流密度
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。/ _: g- C2 p% i% G' T# m
4 }3 T4 I2 ?4 D. V
新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，較標準SO-8元件的佔位面積少40%，更採用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (RDS(on)) 非常低，也同時把閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) 減至最少，並以極低的封裝電感來減少傳導與開關損耗。
7 p* z% y/ `1 H$ f2 s; v- l
0 s3 H8 a. a2 f. G2 CIR台灣分公司總經理朱文義表示：「憑著我們作為業界標準的功率MOSFET矽元件和DirectFET封裝，新的30V元件擁有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd，為全部負載提高效率與溫度效能。這讓操作可達致每相位25A，同時又可以維持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積。」9 r. c% h0 h$ I
+ [$ [* N- o6 J: {4 b! ]2 Q5 f
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M的特點是擁有極低的RDS(on)，使它們十分適合高電流同步MOSFET。這些新元件與上一代元件採用通用的MT和MX佔位面積，所以當有應用須要提高電流水平或改善溫度效能時，能輕易由舊元件邁向使用新元件。1 K( H& v! \# T9 w, _1 d) D9 \& F
0 z7 Q: y+ v7 _) K  G+ X* c/ N
IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M的極低Qg和Qgd，則讓這些元件非常適用於控制MOSFET。它們並備有SQ、ST和MP佔位面積選擇，使設計可以更具靈活性。
作者: jiming    時間: 2008-7-16 08:53 AM
標題: IR推出25V DirectFET晶片組 特別為高頻和高效率DC-DC應用作優化
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點 (POL) 轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。
7 |3 J& T7 K# M3 C* Z
. `. D# N& H1 J9 p* M4 M新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻 (RDS(on)) 非常低，也同時具備極低的閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) ，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。
9 p7 ]+ k& V) O: O7 l
5 v* `$ m& d# H6 H( q, g IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6710S2控制MOSFET擁有極低的閘電阻及電荷，而且，當與IRF6795M和IRF6797M這些包含整合式蕭特基 (Schottky) 整流器的同步MOSFET作協同設計時，能夠為高頻、高效率DC-DC轉換器提供解決方案，讓整個負載範圍也可以發揮卓越性能。」
! K2 |$ R0 N! ^' ]! {0 n/ ]2 b; v4 k6 Y5 q0 A. X
IRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ，則可大幅減低開關損耗，使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。
1 i4 u( k1 u& n. ?8 s
0 M% K4 r. f. M$ `. {2 G; h- yIRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗，這些新元件就能顯著減少傳導損耗，所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積，因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。
作者: chip123    時間: 2008-7-25 08:38 AM
標題: IR SupIRBuck整合式穩壓器系列成為 EDN China 2008年度創新獎最終入圍候選產品
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 旗下，為數據中心及消費性應用而設的SupIRBuck整合式穩壓器系列，獲選為EDN China 2008年度創新大獎電源器件與模塊類別的最終入圍候選產品。 ' ^- Z4 u$ \: E% C* ]' e# G; z
5 L/ m% _1 {! G8 u
SupIRBuck把IR高效能的控制IC，配合已成業界指標的HEXFET MOSFET作出優化，並融合到只有5mm x 6mm的功率四方扁平無引腳封裝，使佔位面積較分立方案減少多達70%。SupIRBuck IR381x和IR382x系列中的9款元件為包括企業伺服器在內的數據中心應用提供高效率功率方案，並較另一類選擇─單片式IC所能提供的全負載效率高出8%至10%。同時，SupIRBuck IR 380x系列中的6款元件，全為電流高達14A的消費性嵌入式負載點 (POL) 而設計，更因應高效能、要求成本效益的消費性應用，包括遊戲機、桌上型電腦、圖像卡、機頂盒，以及LCD電視而作出了優化。 7 k0 C2 Z) n, h0 a8 H
" _5 m& }, n/ ?. l0 V* Z0 ^, _
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「我們對EDN China編輯人員選出SupIRBuck為今年大獎的最終入圍候選產品非常高興。憑藉SupIRBuck方案的高度整合性和獨特性，還有可延展的通用佔位面積，設計師能夠簡化設計，從而顯著減低風險，也可以加快產品推出市場的時間、節省大量空間及能耗。」 # S2 |8 ~: U" S8 [& ^, z# V
$ o' |+ ]/ q" ?8 Z9 T# P( V- ~3 I
SupIRBuck穩壓器系列乃分別為於600kHz頻率下的4A、7A及12A輸出負載電流，以及在300kHz頻率下的6A、9A和14A輸出負載電流而設計。其主要功能包括2.5V至21V的廣闊輸入電壓範圍、0.6V至12V的輸出電壓，以及預偏置起動、兩個固定切換頻率選擇、自動回復 (Hiccup) 電流限制保護、熱關閉和精確輸出電壓調節功能。SupIRBuck系列的熱加強封裝採用纖薄的0.9mm設計，讓元件可粘貼在主機板背面，為高密度應用節省更多空間。
3 [. X* t0 a' I  S/ O/ i8 c  P$ \& ]  o4 I3 I3 |  f
由行業專家和EDN China技術編輯組成的評委會已選出了今年創新大獎的最後入圍名單。由2008年7月11日至9月10日，讀者將可到EDN China網站 (http://award.ednchina.com) 進行網上投票。最終得獎者將於11月6日在大陸深圳舉行的EDN China頒獎典禮上公布，並加以表揚。
$ f0 p' h2 G3 ?' u  p# b9 z7 a5 t
9 R. W- F& U8 Z2 b權威電子設計雜誌EDN隸屬於電子業最具規模的環球資訊供應商Reed Electronics Group。有關詳情，請瀏覽www.edn.com。
作者: chip123    時間: 2008-7-28 02:15 PM
標題: IR推出25V DirectFET晶片組 優化高頻和高效率DC-DC應用
全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點(POL)轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。* E) a0 Y% Z! f2 i
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新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻(RDS(on)) 非常低，也同時具備極低的閘電荷(Qg)和閘漏極電荷(Qgd)，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。 ' j  s- X/ M+ Z  y
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IRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷(Qgd)，則可大幅減低開關損耗，使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗，這些新元件就能顯著減少傳導損耗，所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積，因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。
作者: chip123    時間: 2008-9-20 10:42 AM
標題: IR 推出革命性GaN功率元件技術平台
專有矽上GaN磊晶和功率元件技術引領功率轉換新時代 + y) o  F( Q* K+ [6 }
: c1 U# n, @5 D2 P
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布成功開發革命性氮化鎵 (GaN) 功率元件技術平台，能為客戶改進主要特定應用的優值 (FOM) ，使其較先進矽技術平台提升最多十分之一 ，讓客戶在適用於運算及通訊、汽車和家電等不同市場的終端應用能夠顯著提升效能，並減少能源消耗。
; f0 t8 u8 `1 x4 _6 O  @, L3 D: y# [
這款開創先河的GaN功率元件技術平台，是IR經過5年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發研究的成果。 " u: v' b3 T! x6 D3 W. m0 z
2 l( I- v) |" G: G3 {4 Q
IR的GaN功率元件技術平台為功率轉換解決方案帶來革命性的改進。這項研究因有效引進IR 60年來在不同應用，包括AC-DC功率轉換、DC-DC功率轉換、馬達驅動、照明、高密度音效與汽車系統等功率轉換方面的專業知識，使系統方案產品陣營和相關的智慧財產 (IP) 遠超出先進的分立功率元件。
4 l4 S7 |& d) k" [
7 Y, H* U" f  k3 D* c( b) o這款高吞吐量的150mm矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序，能全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合，為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。
- E/ Y. k+ d. i4 d2 t, a  _+ ]; w* K6 s' g
IR總裁及CEO Oleg Khaykin表示：「這種尖端的GaN技術平台和IP陣營，延續了IR於功率半導體元件的領導地位，並且引領功率轉換進入新時代。這種發展正好與我們致力協助客戶節省能源的核心使命一脈相承。我們相信這款新元件技術平台將會深深影響功率轉換市場，就如30多年前IR推出功率HEXFET時一樣。」 9 c9 E4 a# _( P
" R* g& i# W9 k1 [
IR將會於2008年11月11至14日在德國慕尼黑舉行的Electronica展覽會上，向業界領先的OEM客戶展示數款嶄新GaN產品平台的原型。 % r: |* j* Q/ b1 z: P
4 U/ J0 e9 G- j" L6 A
Khaykin續說：「我們相信這些平台的先驅採用者，將是那些能夠全面從革命性價值體現能力得益的市場領域和應用範疇，使它們由此獲得重要功率密度、功率轉換效率和成本功能的充分效益。」
作者: chip123    時間: 2008-12-22 03:18 PM
標題: IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。
% J% y! C2 l* O5 O
0 ^6 j5 N3 u4 H新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60%。新MOSFET並比先前的產品有更佳的導通電阻 （RDS（on）），以及提供普及的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外，7 接腳D2PAK封裝的封裝電流額定值達到240A的卓越水平，使它成為市場上最穩固的黏貼封裝之一。這種7接腳D2PAK封裝更比D2PAK進一步降低RDS （on）。
3 ?2 I' K: U7 B- W
% H8 A5 t& V. J3 I0 h- l4 }IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「這些封裝提供的更高電流額定值有助從不需要的暫態提供更多防護頻帶，且能讓有數枚MOSFET分享高電流的平行型拓樸可以減少元件數目。」
, Z% m. {: `/ y% j3 e" L- S+ M" o: z
全新N通道MOSFET系列提供60V至200V電壓，並達到工業級別及MSL1標準。新元件均不含鉛及符合電子產品有害物質管制指令 （RoHS）。
作者: heavy91    時間: 2009-3-6 04:41 PM
IR第二代SupIRBuck 整合式穩壓器帶來基準效率
並顯著縮小系統體積
; z9 N) ^5 }% a+ [- ^! \
全球功率半導體和管理方案領導廠商─國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出第二代（Gen2）SupIRBuck整合式負載點（POL）穩壓器，適用於節能高效的伺服器、儲存系統和網路通訊應用。
1 O2 j2 A! c: E4 h7 [
+ `( Y5 Z8 ^. a這個功能非常多元化的Gen2 SupIRBuck系列配備IR最先進的控制IC、MOSFET和封裝整合技術，提供4A、8A及12A輸出電流，並在整個負載範圍維持基準效率。雖然新元件是為12V輸入電壓優化，但於9.6V、5V或3.3V輸入電壓的應用仍能達致超卓效率。" n" c  ]" J, Y- D- C9 U- ]

/ H$ X+ J0 U) E& J% k) Y新元件提供高達1.5MHz的高轉換頻率，因而可採用較細小的電感器和較少數量的輸出電容器。特別為資料中心應用而設計的Gen2 SupIRBuck元件備有多種功能，可以顯著簡化整個系統的複雜性和體積。SupIRBuck的卓越效率和溫度特性，使該系列毋需散熱器也能在無氣流的環境中提供全電流額定值，甚至讓元件可裝貼在主機板背面來節省更多空間。
, Y$ j- y" ~! t/ W  U8 s& R3 a8 g + A4 N+ s% q% v( N
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的Gen2 SupIRBuck系列提供超過96%的基準峰值效率，節省更多能源，使系統更可靠，並以非常高的轉換頻率大幅縮小整體系統體積。此外，這些元件的可延展通用面積能夠提供高度靈活性，能適應不斷轉變的輸出電流要求，使設計師能夠在空間受到限制的高效能應用中，採用這種易於應用的低風險方案。」
4 h0 q& `6 [+ U  d 1 R0 ^& B- X& E/ e, i
他補充：「IR成功於2007年12月推出第一代（Gen1）SupIRBuck系列，並以Gen2 SupIRBuck系列進一步擴展IR負載點產品陣營。我們的Gen2系列回應了客戶的訴求，並尊守我們產品發展藍圖的承諾，提供更高能源效益和顯著縮小整體方案的體積。」; P( p; K( K( E3 y" L9 O; y
4 x% B5 H$ Z! V3 U# L$ S- M
Gen2 SupIRBuck整合式穩壓器系列以通用5mm x 6mm佔位面積，於1.5MHz轉換頻率以及4A、8A和12A輸出負載電流下操作，廣闊的輸入電壓範圍由1.5V至高達16V（5V偏壓），輸出電壓亦由0.7V至90%輸入電壓。與其他整合式方案不同，SupIRBuck是一種管腳兼容方案，讓電流容易得以提升。其他主要功能包括過電流及過熱保護、可編程轉換頻率、具有輸入電壓監察功能的啟動輸入、自動回復（Hiccup）電流限制保護、軟啟動、電源正常輸出，以及先進預偏置啟動、精確度為1%的0.7V參考電壓、定序，還有為DDR記憶體追蹤而設的特定元件。+ H9 M" A# D3 H& t9 Z
  x5 }# b$ a  C$ l9 F1 U6 ^
產品基本規格：
& C% B4 h# V: @ ' R# C* d/ r' m
IR383x 及IR384x SupIRBuck整合式穩壓器
* u2 s: [5 I% A/ Q: H
元件編號+ A& b' R, D0 K
輸入電壓(V)
輸出電壓(V)
輸出電流 (A)
轉換頻率 (kHz)
特別功能
IR3831MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
8
250KHz - 1.5MHz
DDR追蹤
IR3840MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
12
250KHz - 1.5MHz
SEQ輸入
IR3841MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
8
250KHz - 1.5MHz
SEQ輸入
IR3842MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
4
250KHz - 1.5MHz
SEQ輸入
  c+ I/ j* t2 I* [+ @" \
IRDC383xx及IR384x參考設計
" j3 U1 |/ G+ j9 B1 p" L  k) n0 I
元件編號
5 n3 F0 @: g. W, c3 v8 G
輸入電壓 (V)
輸出電壓(V)
總電流 (A)
轉換頻率 (kHz)
特別功能
IRDC3831
12
0.75
8
400KHz
DDR追蹤
IRDC3840
12
1.8
12
600KHz
SEQ輸入
IRDC3841
12
1.8
8
600KHz
SEQ輸入
IRDC3842
12
1.8
4
600KHz
SEQ輸入
6 U7 Y( _. [! ^* Q" Y4 ~6 \! O
新元件現已接受批量訂單。所有新元件皆不含鉛和滷素，並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。產品詳細資料可瀏覽IR網頁www.irf.com。( Q$ T8 }  T8 V& P( n( i
0 G  y7 E: V6 i- t  b$ A
關於SupIRBuck
0 O' B; g( x' Q- \3 k6 K創新的SupIRBuck的多元化廣闊輸入、單輸出整合式負載點（POL）DC-DC穩壓器系列，把IR基準HEXFET MOSFET及高效能同步降壓控制IC融合到只有5mm x 6mm、採用0.9mm纖薄設計的Power QFN封裝。SupIRBuck以獨特的可延展通用佔位面積，帶來一個易於部署、靈活、精密、具成本效益，以及高效能的POL方案。+ R: r% X, O" {3 F# _3 _
* k/ A6 H% K( ]1 B) c% B& e/ K( K/ _
[attach]6405[/attach]
作者: heavy91    時間: 2009-3-30 04:30 PM
IR全新IR3725輸入功率監控器IC配備數位介面
為節能DC-DC轉換器提供卓越系統精確度

" R$ t& s4 O! ?; x1 D; {+ o
全球功率半導體和管理方案領導廠商－國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IR3725輸入功率監控器IC。新元件配備數位I²C介面，適用於節能型中央處理器、伺服器及儲存應用所採用的低電壓DC－DC轉換器。. r) |0 K- u* `7 \
+ J0 T6 e9 |$ f$ e
IR3725是為12V電源而設的多功能輸入功率、電壓和電流監控器IC。它採用待批專利的TruePower™技術，在串行數位介面上於特定區間輸出平均功率，不像同類解決方案般需要依賴昂貴的A/D轉換器來量度系統的功率。系統控制器以新元件提供的資料，體現最佳化的整體功率消耗，達到1％的基準電流精確度。
. z: x2 s/ X- ]0 y/ H* q. F   a8 g' _8 C$ K4 m: p
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「其他同類解決方案皆要求昂貴的A/D轉換器，反觀擁有TruePower™技術的IR3725卻是一種易於部署和配置的獨立IC，能夠精確量度功率，體現最理想的整體功率消耗，同時也顯著減低總系統成本。」
. d: Y4 l5 O0 N- d+ o2 N # q; V! ^! x1 q; o( Z* z$ J  ]
IR3725的電壓準確度達到1.5％，讓設計工程師可選擇使用電阻感測，或具備內建熱補償功能的電感DCR電流感測來達到高效率，並且減少元件數目和縮小電路板體積。
; Q7 l) A1 e$ N. c! x+ V
# O' @0 i3 ~4 Z# ~產品的基本規格：
- x! a1 I7 L; w6 r# I . B5 D$ H4 V& m4 h% c
元件編號
8 j* V7 r+ K  G8 G' q
電流
精確度
輸入電壓範圍
電壓
精確度
偏置供應電壓
作業溫度
封裝
IR3725M3 q0 g6 Z. n+ i2 [. N
1.0%
3 ]4 I# x! i+ w" ]1 A		8V – 23.5V  u  L; I0 u) A& O0 V4 N1 r  F
1.5%3 A2 c) M( l- t
+3.3V ± 5%/ c! w/ D" w% x: u
-10°C 至 150°C
3 d$ w$ i3 v6 B, v' E% w/ K! ]# N! j		12引腳3x4mm DFN" V  I) c7 e/ @2 `# W

) H& A  A. u4 |, r7 D- V% ^IR3725採用12 引腳型DFN無鉛封裝，並且已接受批量訂單。IR可因應要求提供評估板。新元件符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。
4 A1 ^' T3 N" p% B2 O$ m9 n. d+ D, c' D: E' _
[attach]6504[/attach]
作者: chip123    時間: 2009-4-24 07:46 AM
標題: 新一代高壓電平轉換和端接技術
IR新型200V IC適用於動力系統及電池管理應用
# r8 Q+ Y; c, l
" d( b% l- _% K; }5 [' v' `全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出AUIRS4427S雙低側驅動器IC，適用於低、中、高壓汽車應用，包括通用馬達驅動器、汽車用DC-DC轉換器，以及混合動力系統驅動器。
. X: u/ ^! Q1 H. R  o- m/ K( h5 J8 M0 P7 L( O8 u
AUIRS4427S是一款低壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器，符合AEC-Q100標準。這些輸出驅動器擁有高脈衝電流緩衝級，為兩個通道帶來最少的驅動器交叉傳導和配對傳播延遲。新元件備有負電壓尖峰免疫性，可防止系統在大電流切換和短路情況下受到損毀。3 L# R) ~9 \3 W' u& @3 P/ J

& r! R! N2 |0 t  J* y5 W9 {( s( YIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「AUIRS4427S憑著基準負電壓尖峰免疫性和配對傳播延遲功能，成為極穩固可靠的雙低側驅動器，能夠提供更快的切換速度，使元件非常適合高功率DC-DC轉換器及動力系統應用。」" H$ K6 k0 x- X/ N" [$ B. j
/ |2 R- S0 `7 t( h1 A3 F$ t
AUIRS4427S能配合3.3V和5V邏輯標準的CMOS或LSTTL輸出，閘極電壓（VOUT）達到20V，還具有CMOS Schmitt觸發輸入、兩個獨立的閘極驅動器，以及同相位的輸出與輸入。
1 n2 J6 o3 e; y8 P7 L4 U1 V5 x4 u+ l+ ^: E; G8 L9 b6 q
新元件採用IR先進的高壓IC技術，融合了新一代高壓電平轉換和端接技術，可以提供卓越的電力過應力保護和更高的現場可靠性。
作者: heavy91    時間: 2009-6-30 09:58 AM
IR推出多功能IR3640M PWM控制IC
適用於節能高效DC-DC應用

- s( O$ ?" w' f2 L; m) _9 {
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IR3640M PWM控制IC。它適用於高效能的同步DC-DC降壓應用，包括伺服器、儲存系統，網路通訊、遊戲機，以及通用的DC-DC轉換器。$ w5 B% z* |. N
8 |' C7 T9 @+ N, B8 U
IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，擁有整合式MOSFET驅動器和自舉二極體。新元件的單個環路電壓式架構簡化了設計，同時提供精確的輸出電壓調節和快速瞬變反應。
4 l( n" H! H$ l9 W! T5 O/ `9 h$ Z
& D" ?! s1 a7 ?  x$ @
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3640M是功能豐富的控制器，可以配合IR的DirectFET MOSFET來提供非常靈活和有效的解決方案。同時，它具備廣闊的輸入和輸出電壓範圍，能夠用於多種高效能負載點應用。」7 y! e: ]; b# K6 O; }" X
* a% W: j- @- k0 E2 r
他補充道：「此外，IR3640M與新建立的SupIRBuck行業標準採用相同的控制馬達，並且提供一樣的監察和匯報功能，所以能夠讓使用IR SupIRBuck整合式電壓調節器的設計師，輕易滿足在負載低於12A的情況下對12至30A範圍的電流要求。」1 V$ _+ ]& P0 y
, G  u6 L  E/ y- b0 k; {
IR3640M能夠驅動一對切換頻率由250kHZ到1.5MHz的N-通道MOSFET，為設計師帶來靈活性，並可實現解決方案的最佳化，以提供最高效率或最小的佔位面積。它也可以在溫度、線路和負載變化下，精確調節低至0.7V的輸出電壓，容限為+/-1%。" V9 V4 M* I4 ]( S! v6 ~
8 e* C) Q1 q7 U4 |
新元件整合了一系列功能，包括可編程軟啟動、預置偏壓啟動、電壓追蹤、外部同步化、啟動輸入和電源良好輸出。錯誤保護功能包括過熱關閉、過壓輸入、過電流關閉以及欠壓鎖定。這款元件不含鉛，也符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）
+ A8 R, d2 o, s( v% j, S& U，現在開始接受批量訂單。/ L6 h( j' l$ o# Q& N+ Y6 g

' k  o2 g. {6 Y3 D4 g  T * p" T) g! C2 Y4 M& p! C& L, g
產品的基本規格：6 }8 Z, O. s9 r+ ]; c

4 {2 I* s- F, }3 S) T; DPWM控制IC
; b: U! y  |' S- S
元件編號
, ?$ A) i5 z  N# R! m1 j		封裝
* J) m& Z8 Y8 |( }, W" q2 @  h/ J2 b		輸入電壓
+ D" v# j) o5 t5 V  g/ o+ j範圍 (V)" g6 X% e9 ?# _* k% S0 E/ Z1 B5 `
輸出電壓
( H) Z- C1 u% P! H; ?  r範圍(V), Y7 k% G6 G6 z9 _
切換頻率
/ ?3 O+ I3 O( o(kHz)( V9 g- n, U9 U/ h! M4 h3 Y2 Q
功能
4 u4 |  S9 F/ ^! G  \/ C" g; J
IR3640MPbF
3 o4 B' n4 @# Q5 I: v) A		20L 3x4 mm MLPQ  n6 w$ Z/ N* s! G7 ?* ]$ v
1.5 - 241 I) j4 I6 w) ]& U/ J  A9 k. B
0.7 – 0.9 x VIN
  y. d7 M: A, @4 b" u- O		250 - 1,500
2 C5 n4 G9 i. H6 d. j		1% 精度、OCP、OTP、PB、SS、PGOOD、外部同步、追蹤
2 A* D  Z) T. K8 J

+ W1 {1 h* B' U8 d& mDirectFET MOSFET
5 n( e* I7 G; m. p
元件編號
4 K& ~' j+ S3 F* A
BVDSS
, P* K: o5 r4 m; y( D( c(V)
10V下
典型RDS(on)
" z/ y% b) @. E7 W3 t' @(mOhms)
4.5V下
典型RDS(on)# E8 G! [( X' T% b% ^
(mOhms)
VGS (V)
典型Qg% A% E5 Y) [# r8 s$ t
(nC)
典型Qgd
% c& e1 H( }- [+ M/ Q. Q(nC)
外形代碼
IRF6710S
0 Y0 b: ^$ E1 d; F) _! }		25
% c+ f1 C; Y4 x8 T		4.5+ ^. n) X3 r+ K" U1 A2 ?- s5 @
9.0
4 L' n/ z0 X$ Y& _		+/-201 K9 m; T  m% F! W( X9 ?
8.8
+ e- e- Y: J' T1 i8 l* _		3.0
1 `% }- L( v" T		S1) R# L! M9 V# @1 Z8 y) U
IRF6795M
. B0 A+ M" b9 U9 l5 e		257 v! X1 u7 z! p$ j! z. X& P' [
1.4, [( S1 `9 L; r  C! c3 ]
2.4
9 z: Y& e( e5 f+ k3 Y		+/-20- i( X5 V4 [. P5 Y
35  v9 S4 J6 A! k5 U! Q6 u+ h
101 d* I+ D9 v6 s+ l' Q
MX( c8 k" P1 s) w
; j1 A8 @7 ^( K+ `# |; z
設計支援
" j; x- N6 w+ K" t' U* eIR3640M的數據資料現已刊登於IR的網站www.irf.com。同時，IRDC3640這款25A、600kHz同步降壓轉換器參考設計套件，備有IR3640M PWM控制IC和IRF6710S及IRF6795M DirectFET MOSFET，現在已有供應。
作者: heavy91    時間: 2009-8-26 04:58 PM
IR推出基準工業級30V
" Q) a' Z! |4 |& |! B! h* ?6 dMOSFET
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列工業認可的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET. S+ }; ]- C! g
，為不斷電系統（UPS）反相器、低電壓電動工具、ORing應用，以及網路通訊和伺服器電源等應用，提供非常低的閘電荷（Qg）。
# N5 O, F* _/ p( R9 Z  ]
: Z: o* t0 |+ x$ t2 h3 b, ^0 B這些堅固耐用的MOSFET具備IR最新一代的溝道技術，並且通過非常低的導通電阻（RDS(on)）來減少熱耗散。此外，新元件超低的閘電荷有助延長不斷電系統反相器或電動工具的電池壽命。
! ?4 s! q' C' ]4 n: d5 j- X4 }
9 A* ]& z9 G+ m+ H' j* YIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「新元件帶來成本和效能表現之間最佳的權衡。 還有，新元件藉著提供四個等級的RDS(on)& i  h8 s1 g$ V( l4 N
和保持Qg在30V的水平，為設計工程師提供靈活性，讓他們可以選擇最適合的元件，來配合其設計的特定規格和要求。」
! Y, j6 p$ U( d' | ; v4 ?# \8 ]3 j; k, Z0 d$ I9 {
新款的MOSFET擁有全面表徵的崩潰電壓和電流。隨著IR繼續開發這些基準MOSFET，它們將可以作為現有的30V TO-220元件的直接替代品或升級品。
0 x4 Y& q+ ]5 y0 t; w
! s& [+ _. A0 d/ k新元件達到工業級別及第一級濕度感應度（MSL1）。這些30V MOSFET採用TO-220封裝，全部皆為無鉛設計，並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）指令。; W) _0 _3 j# h3 X$ O$ o

) e0 q4 `) C3 Z3 e# Y9 E, k$ m1 P' \產品的基本規格：
. [. |0 k/ k8 `! q: `9 k' J) s
元件編號
  W0 T) V! W* |* E3 H& M
封裝
 ' x# }8 j) B% e
RDS(on)
ID @ TC
典型Qg
% G% ~' Q- y3 L0 G3 c
(nC)
典型Qgd
! y/ {- o' b6 G4 D
(nC)
VBRDSS
(V)
@ 4.5V
(mOhms)
@ 10V
(mOhms)
25°C
(A)
100°C
(A)
IRLB8721PbF
4 G/ ~) Z7 L% A8 V- O! v  f0 G7 _
TO-220AB
30
4.5
8.7
62
44
7.6
3.4
IRLB8743PbF
5 b7 _" j3 |6 t$ m  U1 {- D( F/ R
TO-220AB
30
4.2
3.2
150
110
36
13
IRLB8748PbF
) Z9 c3 {9 o4 d! r
TO-220AB
30
6.8
4.8
92
65
15
5.9
IRLB3813PbF( ], X. C! G' w
TO-220AB
30
2.6
1.95
260
190
57
19

/ G+ l) k( v( [" ^* r& S現在這些元件已有供應，詳細資料也已刊登於IR的網站www.irf.com。
作者: jiming    時間: 2010-1-12 02:01 PM
IR新型IR3870M SupIRBuck整合式穩壓器簡化設計 為DC-DC應用帶來最大系統效率2 M5 T- ~+ z  W2 X- K
# t4 h" L# p# K- v! n9 D
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IR3870M SupIRBuck整合式穩壓器，適用於筆記型和桌上型電腦、遊戲機、消費者電子應用，例如數位電視盒，以及通用負載點 (POL) DC-DC轉換器  。+ @- h4 {  u" c2 c
0 s5 T0 F1 r% w+ Y
IR3870M具有滯後導通時間恆定調變器，利用自適應死區時間控制及導通電阻（RDS(on)）電流感測為筆記型電腦帶來最大的效率。IR3870M能夠在高達60°C的環境溫度下提供最高10A，並且利用二極管調變仿真來改善輕負載效率。新元件也提供電荷泵輸出（CPO）選項來加強閘極驅動，從而在中度到全負載環境中達到最高的效率。此外，IR3870M擁有3V到26V的廣闊輸入電壓範圍 ，還可以利用外部電阻分壓器網路為0.5V到12V的輸出電壓編程。
# U2 `1 X& R0 E7 Z
" V' p6 h( |0 v% s/ }% J8 }" u6 @& rIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3870M 與所有SupIRBuck系列產品一樣，具有IR最新的先進控制IC、MOSFET和封裝整合技術，更是一種容易使用的全面整合式DC-DC穩壓器，旨在為要實現輕負載和全負載性能的系統提供最高效率。」
作者: jiming    時間: 2010-1-12 02:01 PM
同時，IR3870M具備預偏置啟動、高度精確的0.5V參考電壓、過壓和欠壓關閉、電源正常輸出，以及具有電壓監察功能的啟動輸入功能。新元件並且提供固定導通時間控制、可編程開關頻率、軟啟動與過電流保護。+ t2 ^5 v8 v% A
/ B: _4 J2 t3 b5 N! H) U
創新的SupIRBuck多元化廣闊輸入、單輸出整合式負載點（POL）DC-DC穩壓器系列，把IR基準HEXFET MOSFET及高效能同步降壓控制IC融合到只有5mm x 6mm、採用0.9mm纖薄設計的Power QFN封裝。SupIRBuck以獨特的可延展通用佔位面積，帶來一個易於部署、靈活、精密、具成本效益，以及高效能的POL方案。# c8 `( l( _( u/ J$ {
- ^* _# K# k6 I/ l$ l( C; d
IR3870M所採用的多功能控制IC也有作獨立元件提供，型號為IR3710M。該元件讓原本為較輕負載應用IR3870的設計師，能夠藉著一雙外部的IR MOSFET，輕鬆把負載提高到24A。' W! h- X  E9 o9 H' p
4 I+ \9 A4 i% |
IR3870M和IR3710均不含鉛，並且符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。
作者: heavy91    時間: 2010-2-26 02:31 PM
標題: IR新型Gen2.1 SupIRBuck整合式穩壓器 為資料中心應用帶來最佳效率和高密度
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 為高性能節能伺服器、儲存系統和網路通訊應用擴展其SupIRBuck整合式負載點 (POL) 穩壓器系列。 % `) j4 K1 S$ e& S8 P3 |; ?, }

$ B5 j; @+ n! r) e) o6 N/ C2 s" |新推出的Gen2.1 SupIRBuck系列採用了設計纖薄、溫度性能有所增強的5x6 mm Power QFN封裝，備有先進的控制IC、MOSFET和封裝整合技術，輸出電流更可以達到12A。這個新整合式穩壓器系列能夠應付由1.5V到16V的廣闊輸入電壓，輸出電壓則可由0.7V到輸入電壓的90%，同時在整個負載範圍都能達到最佳效率，尖峰效率亦可超過96%。這些效能使新元件能夠提供高達1.5MHz的可編程開關頻率及高功率密度，並有助縮小電路板尺寸。 8 Q7 c' y! Z. L

6 t0 E' T: l2 q- m% L3 E! c1 RGen2.1系列免除了傳統的雙級POL轉換，可以由12V直接進行操作。新元件在為12V輸入電壓作出優化的同時，亦能為9.6V、5V或3.3V輸入電壓應用提供超卓的效率。Gen2.1 SupIRBuck元件除了帶來由2A到12A的管腳兼容電流選擇外，也為過壓和欠壓偵測提供新的電源正常 (PGOOD) 輸出窗口比較器，並以更短的死區時間減少功率損耗和提供更精確的過電流 (OC) 限制。
2 o( g8 ^% c3 b) L) y4 t3 h1 e+ B8 _0 C1 f! N+ k/ p0 o' y
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「Gen2.1 SupIRBuck系列經過改良，性能更好，功能更多，還提供新的電流選擇，但仍然採用纖巧的5x6 mm QFN封裝。改進了的功能和可編程能力使這些Gen2.1元件成為功能全面的高性能精密解決方案，適用於伺服器、儲存和網路通訊應用，讓廠商易於部署電路板設計，加快上市速度。」 ! V# \8 c3 e3 z. R5 z( X
, r, m, ^# t+ `5 W
他補充：「我們藉著這次SupIRBuck系列的擴展重申IR的承諾，就是會按著市場發展趨勢和客戶需要，不斷改進我們的產品線。」
& D# q! a1 N! s
+ h# Y# ?( ]8 U" |新元件的其他功能包括1%精度0.7V參考電壓、可編程自動回復電流限制、可編程軟啟動、增強預偏置啟動、溫度保護、配備電壓監察功能的使能管腳、定序 (IR384xW) 、DDR記憶體追蹤，以及-40C到125C的作業結溫 (Tj) 。
作者: heavy91    時間: 2010-3-23 07:27 AM
IR推出採用PQFN封裝20V、25V及30V MOSFET 適用於ORing和馬達驅動應用 & `9 B5 O1 H; |- w/ ^6 a
IRFH6200TRPbF 提供業界最低導通電阻
" o2 @9 R6 j" S2 u- k! q3 v; \: c3 z* T& w. ~# A: X
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，當中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。
- k5 k# s0 I/ @9 M# ^9 V  C- `$ `* K7 g! W# R
這些新功率MOSFET具備IR最先進的矽技術，亦是該公司首批採用5x6mm PQFN封裝，並配備經優化的銅鉗和焊接晶片的元件。IRFH6200TRPbF 20V元件提供領先業界的(RDS(on))，在4.5V Vgs下最高也只為1.2mΩ，有助手動工具等DC馬達驅動驅動應用顯著減低傳導損耗。
8 `3 _" u; j3 B2 e
* w+ F& ~9 {! VIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR憑著在基準MOSFET技術方面的豐富經驗和不斷的努力，繼續在業界發揮光芒，透過把我們新一代矽技術與PQFN封裝技術結合，推出性能超卓的新MOSFET系列，帶來領先業界的(RDS(on))。此外，我們將按產品發展路徑，在未來數月推出廣闊的PQFN基準MOSFET產品陣營，來回應客戶的訴求。」
+ f  }0 }2 b+ Q% u2 Q7 ~. S" w. |: ^/ A& F8 l' ]8 [& Q
25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF這兩款元件都是為DC開關應用，例如要求高電流承載能力和高效率的有源ORing及DC馬達驅動應用而設計。IRFH5250TRPbF具備極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且閘電荷 (Qg) 僅為52nC。至於IRFH5300TRPbF的RDS(on)則最高只有1.4mΩ，而Qg就有50nC。
2 L0 B% h2 _4 Y% c- N5 v" j  B- c* V* K0 ]  L
如果設計採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件，不單能夠擁有卓越的溫度性能，還可以在指定的功率損耗下，比現有的解決方案使用較少的零件，有助節省電路板空間及成本。 - @1 w. T) Z( S

  I. l& w5 l9 ^0 y7 t+ C# k- T所有這些新元件都具備低溫度電阻 (<0.5°C/W)，兼且達到第一級濕度感應度 (MSL1) 業界標準。它們也不合鉛、溴化物和鹵素，符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
作者: jiming    時間: 2010-4-15 08:48 AM
IR新型25V DirectFET晶片組為高頻率DC-DC開關應用帶來業界領先效率1 y6 M) l' D1 Q9 w6 D
DirectFET晶片組結合超低電荷和RDS(on)，並提供業界最低閘電阻，從而把傳導及開關耗損減到最少
& y! e) k9 Q7 a9 n$ B0 \0 ]) A4 T3 W& n/ _% k. \  V) z
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET晶片組，為12V輸入同步降壓應用，包括伺服器、桌上型和筆記簿型電腦，提供一 流的效率。
' I1 s3 ^0 R9 C+ N
3 t( b# A$ @5 X3 X' J1 UIRF6706S2PbF和IRF6798MPbF 25V晶片組不但採用了IR最新一代的MOSFET矽技術，還結合了業界領先的性能指數 (FOM) 及DirectFET封裝超卓的開關和溫度特性，成為一個為高頻率DC-DC開關應用而優化的解決方案。
) o1 I$ Y( `5 q+ i5 o' ?3 F
5 T& l) P! a6 ]/ _; [4 d! z- C7 bIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR不斷通過改善關鍵性的參數來加強功率MOSFET的性能。新款的IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET晶片組把低電荷及低RDS(on) 與業界最低的閘電阻結合，使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口所引致的傳導及開關耗損減到最少。」
8 g# O6 Z: Y2 O' B! ?% o# h" X1 P1 e' ~2 H9 N4 A% L9 M
IRF6798MPbF 中罐DirectFET提供低於1 mΩ 的導通電阻 (RDS(on)) ，讓整個負載範圍可保持極高的效率。新元件備有單片式整合式蕭特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的耗損，並且反向復原耗損以進一步加強解決方案整體的性能。IRF6798MPbF也提供僅為0.25 mΩ的極低閘電阻 (Rg)，避免了與Cdv/dt相關的擊穿。
6 C$ |- M6 B0 b
" B% a- U: c* h3 RIRF6706S2PbF小罐DirectFET也具備低電荷和低RDS(on) 來減少開關及傳導耗損，更為快速開關提供極低的Rg。
作者: tk02376    時間: 2010-5-28 08:12 AM
IR 新款XPhase晶片組為AMD新一代處理器帶來卓越效率 簡化設計使體積更小 . h& ~8 v# q) g4 o  U# {$ W
( n  K4 r+ w2 Y$ M  {( u; P
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3521及IR3529 XPhase晶片組解決方案，為新一代高性能AMD處理器在整個負載範圍內提供卓越的效率。
, \' j7 o. X  a
+ l8 N" H1 o' ?( v9 w+ k& p! ?6 _- |. nIR3521 XPhase控制IC支持高速 (HS) I2C串行通訊，以提供整體系統控制。這款元件能夠與任何數量的相位IC 接合，讓每一個相位IC可以 驅動並監察一個相位。當IR3521與IR3529 XPhase相位IC配合使用， 便能夠提供相位調低功能，顯著改善電源的輕負載性能。 9 Q# s  H" {4 E
( q7 \3 x' I' r: b( p# J
IR3529相位IC本身利用功率狀態指示器 (PSI) 去盡量提升在輕負載中的效率，以及加強驅動器效能和減少非重疊時間。這個新元件更包含Turbo部分來改善負載啟動反應。此外，IR3529也擁有其他新穎的功能，能夠大幅加強轉換器的瞬變反應，從而減小解決方案的整體尺寸和降低成本。 6 B$ z0 _# v2 n0 U# M
* a; Q$ D# V$ z$ K+ s
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「我們為AMD處理器推出的全新XPhase晶片組包含了IR的DirectFET MOSFET，能夠提供外形更小巧、更靈活，也易於設計的電源，而且在整個負載範圍內，效率都較傳統方法為高。」
作者: tk02376    時間: 2010-5-28 08:12 AM
IR3521控制IC同時為AMD CPU所需的VDD核心和VDDNB輔助面提供輸出，並且具備高速錯誤放大器，頻寬也多達20MHz，還有10V/us的高速轉換率。遙距的感測放大器不僅只需少於50uA的偏置電流，也提供差分感測。同時，新元件更擁有廣泛的可編程功能，包括可編程動態VID轉換率、VID Offset (只有VDD輸出)、輸出阻抗 (只有VDD輸出) ，以及為IDD尖峰而設的動態OC。
  ?% }# O0 ~7 E; _$ s% ~- Y
8 e0 z, E! z% p: c# p* s: \6 dIR3521TRPbF現正接受批量訂單。新元件的數據資料和應用說明已刊登於IR的網站http://www.irf.com。此外，IR亦會按要求提供參考設計。
; U# ?0 O: h+ m5 C8 c/ _& ?; p3 e4 K2 C0 g! m4 F$ F
關於XPhase
/ [! }$ i% _" T7 d  c1 WXPhase是IR的分布式多相位結構，當中包含以簡單6線式匯流排電路溝通的控制IC和相位IC，不用改動基本設計也可隨時增減相位。其6線式匯流排包含3線數位相位定時匯流排、平均電流、錯誤放大器輸出和VID電壓。透過省去控制和相位IC之間的點對點導線，6線式匯流排能夠縮短互連，減少寄生電感和雜訊，從而簡化PCB設計，實現更穩健的設計。
, \! Y, m; Z. }6 j5 H5 I: g5 Q
+ z8 \# Y7 Q) H# Z& IIR3529相位IC具備防偏置電路、7V/4A門驅動器 (6A GATEL匯電流) ，還支援無損耗電感器電流感測。新元件也擁有周期性電流保護，以解決高重複負載瞬變的問題。
作者: heavy91    時間: 2010-7-2 02:14 PM
IR擴展中壓功率 MOSFET 產品系列 推出多款採用銅夾技術之 PQFN 封裝元件
* P# U# I9 T5 G( f0 S
& F- E7 O! ?( n1 d4 M- T全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日擴展了 HEXFETR 功率 MOSFET 產品系列，提供完整的中壓元件陣營。它們採用5x6 mm PQFN封裝，並具有經過最佳化的銅夾和焊接晶片技術。
7 \. o/ A- r7 y
6 J; H! N. h3 N$ a/ t( H這些新型功率MOSFET採用了IR最新的矽技術，能夠提供開關應用所需要的標準效能，適用於網路和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源 (SMPS) 及馬達驅動開關。由於這些元件能夠支援40V到250V的寬廣電壓，所以能夠提供不同水平的通態電阻(RDS(on)) 和閘極電荷 (Qg)，為客戶的特定應用提供最佳化效能和體現更低的成本。
& |! u' {6 \; b& ~7 N' n, ]+ }
- @6 A' W- B1 u; OIR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「這些新型元件的大小只有0.9mm，並且具有標準引腳，可以提供高額定電流和低通態電阻。相較於需要採用多個並行元件的解決方案，它們具有更高的效率、功率密度和可靠性，相當適合電路板空間狹小的開關應用。」
% F; Z# u6 N- a- `! d/ l7 a1 W: j' `+ `" ]2 l0 W
各款元件皆具有低熱阻 (少於0.5 °C/W)，又符合MSL1 標準，採用的環保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質管制指令 (RoHS) 。
作者: tk02376    時間: 2010-8-19 08:17 AM
標題: IR 推出線上絕緣閘雙極電晶體選擇工具 優化電源管理設計
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新線上絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 選擇工具。此工具有效優化多種應用設計，其中包括馬達驅動、不斷電系統 (UPS），太陽能逆變器和焊接。( b, A5 u% a/ L( O

- q: l7 n% M% }+ Q0 q9 T4 kIR全新線上IGBT選擇工具能評估如母線電壓、切換頻率和短路保護要求等應用情況。新線上工具置於mypower.irf.com/IGBT，不但可以估計損耗，還可以建議一些能夠適用於相關運作條件限制內的零件。該工具更會為每個零件給予定價，使設計人員能夠考慮有關元件的選擇對系統成本帶來的影響。
/ a, l3 v; Q2 E. n2 Z1 D" |7 W. Y$ c/ Q' C+ q7 A  M) a
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR提供了一系列的IGBT產品，為不同的應用優化逆變器設計。新的線上選擇工具有助工程師能夠迅速、較鬆地比較選擇，從而為他們的設計選出最理想的IGBT。」0 v% P/ r) \% K. {6 Z4 t/ S; Y
$ d" _1 m' p. l; V' T
IGBT的選擇需要同時評估多個參數，不能簡化為單一數式。比方說，由於切換損耗可用傳導損耗來抵消，所以計算作業損耗不單需要作業電流，還要有作業頻率和母線電壓作為參數。此外，假如一些馬達驅動逆變器要求最少的耐短路時間，便得忍受較高的損耗。, |# P7 ^: i, f+ e7 Z9 U
* W. q4 @! p5 r4 u
IR提供了多款權衡不同切換速度的IGBT選擇，以及為沒有最低短路要求的應用而設的元件。新的選擇工具有助設計人員利用IR廣泛的IGBT組合去權衡設計的性能 。
作者: tk02376    時間: 2010-9-15 11:55 AM
IR 新型-30V 電壓 P-通道功率 MOSFET 使設計更簡單靈活" |$ A$ b" q6 }6 O, J) c1 k

6 P, n6 j# F: X$ W7 q, q, C' S3 p全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新-30 V元件系列，採用 IR最新的SO-8封裝P–通道 MOSFET矽元件，適用於電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款的P–通道元件提供從 4.6 mΩ到59 mΩ的導通電阻 (RDS (on)) ，來配合各類型的功率要求。P–通道 MOSFET 免除使用電平轉換或充電泵電路，使它們成為非常理想的系統/負載開關應用解決方案。
# G" H/ z5 v) q' ?   3 s3 X' w4 _. N1 v
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「相比上一代的產品，這個新型SO-8 P–通道 MOSFET系列顯著改善了電流處理，更為客戶提供廣泛的RDS（on）選擇來配合他們對溫度和成本的要求。同時，P–通道技術也可以簡化電路設計。」
1 f+ h. _  [4 O& M9 U$ ?: D' n5 b4 M3 X
P–通道 MOSFET元件達到第一級濕度感應度 (MSL1) 標準，不含鉛且符合產品有害物質管制規定 (RoHS) 標準。  
$ V! A% K( _, v0 R

產品規格

元件編號封裝BV (V)最大 Vgs 6 f; N' T9 ~7 P2 n5 C
(V)		在10V下典型 / 最大RDS(on)(mΩ)在4.5V下典型 / 最大RDS(on)(mΩ)
IRF9310SO-8-30203.9 / 4.65.8 / 6.8
IRF9317SO-8-30205.4 / 6.68.3 / 10.2
IRF9321SO-8-30205.9 / 7.29.3 / 11.2
IRF9328SO-8-302010.0 / 11.916.1 / 19.7
IRF9332SO-8-302013.6 / 17.522.5 / 28.1
IRF9333SO-8-302015.6 / 19.425.6 / 32.5
IRF9335SO-8-302048 / 5983 / 110
IRF9362SO-8 (dual)-302017.0 /& G$ M$ g; l( k2 |2 }# M
21.0		25.7 / 32

作者: heavy91    時間: 2010-9-27 11:53 AM
IR推出業界首個 8 -支腳高效共振半橋控制IC  以簡化SMPS設計及降低整體系統成本
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出業界首個8 -支腳高效共振半橋控制IC，讓液晶電視和顯示器、家庭影院系統、桌面電腦、打印機和遊戲機應用的開關電源 (SMPS) 能夠達到高效的節能效果。 8 s2 B. O0 _- n6 B% p* ?
    0 w1 F, d. j- X( U" n2 ^& O5 n7 f  ^
IRS2795 (1,2) S共振半橋控制IC採用8支腳 SO-8封裝，並提供高度編程和保護功能，當中包括配合50%固定工作週期，高達 500kHz的可編程開關頻率；可編程軟啟動頻率和軟啟動時間；以及在所有負載條件下，為優化零電壓開關 (ZVS) 而設的可編程死區時間，以實現高效率和低開關噪聲。
% d% `# A: x6 ~8 J, M' U
; R- N3 e. M1 u7 L  j+ N! XIR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「隨著越來越多設計師致力利用共振半橋拓撲提高系統的整體效率，配合IR11682 SmartRectifier  IC使用的新款IRS2795xS 8-支腳元件，將為設計師帶來高效的電源解決方案，有助簡化設計和降低整體系統成本。」 % T9 t* i( W- u# u& d3 v& H

  y% m* m- w6 r' T& _IRS2795 (1,2) S元件利用低側 MOSFET的導通電阻 (RDS (on)) 提供過電流保護，毋須使用額外的電流檢測電阻器。其他主要功能包括高達 +600Vdc的浮動通道自舉運作、微功率啟動、超低靜態電流，以及用戶啟動的的微功率「睡眠模式」。
作者: atitizz    時間: 2010-11-18 01:08 PM
IR推出4x5 mm SupIRBuck整合式負載點穩壓器新系列 大幅減少33%的占用範圍和PCB尺寸
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* d1 @( k/ @- T& p2 G! j全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出4x5 mm封裝的SupIRBuck整合式負載點 (POL) 穩壓器系列。新元件專為節能伺服器、儲存系統、電訊系統、網路通訊和機頂盒應用而設，提供與上一代元件同樣的效率和功能，但占用範圍則減少了33%。
( B1 ~0 Q" D4 C- @2 a   $ M& j! L! c4 {* n# K9 W
IR3853、IR3856和IR3859 SupIRBuck穩壓器把高性能的控制器和IR最新的MOSFET整合到4 × 5mm的超薄PQFN封裝內，分別提供4 A、6 A和9 A的輸出電流，以達到超過96%的峰值效率。新功能還包括過壓保護和外部同步化，以減少多軌系統的噪聲和EMI，以及專為可調整的PGOOD及OV臨限設置的準確輸出變壓感應選項。3 K' H  l( a+ c  H5 y; i
6 V- G: }1 A% U( K
新元件不再需要傳統的雙級POL轉換，並能通過從 12 Vin直接操作來達到節省能源、體積和成本的效果。這些元件為12 V輸入電壓作出優化的同時，也可以使5 V單軌輸入電壓應用取得卓越的效率。由於可編程開關頻率高達 1.5 MHz且只有4x5 mm的占用範圍，新穩壓器不但縮減了體積和成本，更能實現更高的功率密度。此外，這些元件的通用占位面積為設計帶來靈活性，且容許剪貼電路布置，有助產品加快推出市場。8 d4 @0 H1 @( H1 M2 [

- @; P0 h, p  i9 TIR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3853、IR3856和IR3859系列提供與上一代SupIRBuck元件同樣的效率和功能，更大幅減少33%的占用範圍和PCB尺寸，使它們能完全適用於空間受制的POL應用。與此同時，新SupIRBuck系列提供9安培以下較小及較具成本競爭力的解決方案。」
作者: atitizz    時間: 2010-11-18 01:09 PM
SupIRBuck系列的功能還包括可編程自動回復電流限制、可編程軟啟動、增強預偏置啟動、溫度保護、配備電壓監察功能的使能管腳、為欠壓和過壓檢測提供電源良好輸出，以及在0-125C的溫度範圍內，具備準確度達+ / - 1%的0.7 V參考電壓和-40oC到125oC的作業結溫。  M4 _$ r$ C! c5 b* v+ ?' F
% P5 f+ c- X0 u6 p+ [

產品規格

元件編號封裝電路Vin範圍(V)Vout 範圍 (V)Iout (A)開關頻率(kHz)
IR3853MTRPbFPQFN 4x5單一輸出1.5 - 210.7 – 90%Vin4250 -1,500
IR3856MTRPbFPQFN 4x5單一輸出1.5 - 210.7 – 90%Vin6250 -1,500
IR3859MTRPbFPQFN 4x5單一輸出1.5 - 210.7 – 90%Vin9250 -1,500

參考設計採用元件Vin範圍 (V)Vout 範圍 (V)Iout (A)開關頻率 (kHz)
IRDC3853IR3853MPbF121.84600
IRDC3856IR3856MPbF121.86600
IRDC3859IR3859MPbF121.89600

設計工具

新款SupIRBuck負載點穩壓調器現已接受批量訂單。有關的數據資料和應用說明已刊登於 IR 的網站9 K6 q" K2 F0 i4 k, m) P
www.irf.com。同時，使用新元件的IRDC3853，IRDC3856和IRCD3859 SupIRBuck參考設計也有供應。

作者: atitizz    時間: 2010-12-14 01:35 PM
IR推出IRF6708S2及IRF6728M DirectFET MOSFET晶片組 特別適合講求成本的DC-DC應用  $ U+ r( z/ a- [% q9 u

5 S9 I% `& T+ k+ e全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出了IRF6708S2及IRF6728M 30V DirectFET MOSFET晶片組，特別為講求成本的19V輸入同步降壓應用，例如筆記型電腦而設計。 1 J  [) L# n  T  X1 g! P( X
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IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐元件可減少零件數量達30%，所以能夠大幅降低整體系統成本。這些新款的DirectFET  MOSFET備有低電荷和低導通電阻 (RDS(on)) ，從而盡量減少傳導及開關損耗。IRF6728M並且擁有單片型整合式蕭特基二極管 (Schottky) ，可以降低與體二極管導通和逆向復原相關的損耗。 . w+ k" B& H' d: ?- y' K6 Z
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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRF6708S2和IRF6728M晶片組能夠為講求成本的DC-DC開關應用提供高效率，且具備成本效益的解決方案，同時以DirectFET確保卓越的溫度性能，充分體現一流的整體價值。」   f- A5 s& E4 l' }
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IRF6708S2及IRF6728M具備IR最新一代的30V MOSFET矽產品。這些新元件除了擁有低RDS(on) 和低電荷，也善用了DirectFET封裝的低寄生電阻電感和卓越的散熱效能。
作者: mister_liu    時間: 2012-1-11 03:23 PM
IR旗下IRMCK171控制IC獲取IMQ認證 進一步縮短變速馬達產品設計時間
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全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 宣布，為家電產品上的無感應弦波馬達控制而設的IRMCK171一次性可編程，以ROM為基礎的單片式混合訊號IC，符合IEC 60335-1 4.2版本的IMQ (義大利質量標誌協會) Annex R標準——B類軟體要求。
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這項全新認證通過減少軟體測試過程所需的元素，為使用IRMCK171的家電產品進一步簡化和加快設計流程。此外，IMQ認證亦有助客戶更易於確保其電器達到安全標準，滿足目前市場對家電產品的硬性要求。) T% H' e* d+ I  J, }, d
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IRMCK171是為變速馬達控制而設的iMOTION整合式設計平台之一部分，包含IR所專利，免除了編碼的算法編輯器——運動控制引擎(MCE) 。同時，一個協同整合的60MIPS、8位元8051微控制器，在幾乎獨立於MCE的情況下運作，使應用層軟體開發得以實現，且不會與系統中斷和內部暫存等情況爭奪系統資源。它的嵌入式類比訊號引擎(ASE) 匯集了所有訊號調整及轉換電路，切合PM馬達的單一電流分流及無感應控制所需。
7 {7 r8 p/ A# A" }' f# y
, M* U. ^' }) @3 a) \. BIR 亞太區銷售副總裁潘大偉稱：「家電產品內的變速馬達控制是能否顯著節約能源的關鍵，可是電子控制單元的設計異常複雜。與此同時，設計師必須配合高銷量市場，以相對低的成本達到高效能，所以希望透過尺寸細小但高度整合的元件來簡化製造過程。」
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他續稱：「IR的iMOTION平台由開發系統、混合訊號類比晶片組與功率級組成。設計師只要把以上組件協同設計，就可以簡化馬達控制的設計，以及為市場更迅速提供節能和符合成本效益的解決方案。這個平台叫製造商無法再抗拒於家電產品內採用永磁變速馬達驅動器，現在加上IRMCK171，產品的設計週期及安全認證流程將可以進一步縮短。」
作者: tk02561    時間: 2012-2-16 09:46 AM
IR為空間及溫度受限運算和消費性應用 擴充PowIRstage陣容以提升延展性與效能
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2 _+ t  \! ?( q6 |全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 擴充PowIRstage整合式元件系列，推出特別適合下一代伺服器、桌上型電腦、繪圖卡及通訊系統應用的IR3551。
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! s6 J9 m4 ?9 V# rIR3551的最高操作點達到50A，非常適合高端處理器及DDR記憶體多相位解決方案，且能在1.2V輸出下，提供高達94.5%的尖峰效率。全新元件將同步降壓閘極驅動器、基準優值控制，以及同步MOSFET與蕭特基二極體(Schottky diode) 整合到一個既細小亦高密度的纖薄6×5mm引腳相容PQFN封裝。
作者: tk02561    時間: 2012-2-16 09:46 AM
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR3550及IR3553的卓越表現有目共睹，促進了客戶設計的效率及節省空間。隨著全新IR3551的推出，我們現在可以透過引腳相容的60A、50A與40A額定元件，使客戶能夠根據他們的產品需要來優化每個相位的效率。」
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7 C7 j6 t1 }: `4 @' P* g  z+ aIR3551與IR3550及IR3553引腳相容，所以客戶只需採用單一布線，並選取所需的隨插隨用PowIRstage產品，就能享用性價比最高的解決方案，同時免除因需求改變而要重新設計電路板的風險。
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IR3551、IR3550及IR3553利用IR在半導體整合、封裝和控制技術的尖端科技，提供高電流密度和高效率的功率級解決方案。PowIRstage元件能夠在高電流與高效率的多相位配置中達到系統級延展性。相對其他同類方案，新系統方案在絕大部分情況下都能夠減少相位數目和縮減電路板使用空間。3 S8 l! k5 p, S" o4 [$ r

* f2 v: g/ n4 G# ?! vIR的PowIRstage產品同時提供整合式電流感測放大器，其電流感測的精確度和噪聲免疫能力較其他以電感器DCR感測方法為基礎的頂級控制器更高。IR3551、IR3553及IR3550全面兼容IR的CHiL數位功率控制產品，以及市場上大多數符合業界標準的脈衝寬度調制控制器。
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0 W( M' H5 {0 I: V8 mIR整個PowIRstage系列，包括特為較高功率密度應用而採用雙面散熱設計的下一代元件，都在近期舉行的2012亞洲太平洋經濟合作會議上展出。
作者: globe0968    時間: 2012-3-7 03:40 PM
德州儀器推出業界最高速 1.5 GSPS 16 位元數位類比轉換器 大幅提升速度閾值4 D$ e  _' e7 W9 B" K, V0 R; _
最新 DAC 較同類產品功耗銳減 50%、運作速度提升 50%% _5 v, [. A8 \$ L* J$ [3 r; c

6 D6 Q+ t5 {" }# z" c( ^! B4 q(台北訊，2012 年  3月 7 日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出業界速度最快的 16 位元數位類比轉換器 (DAC)，持續推進資料轉換器的效能極限。該四通道 DAC34SH84 與效能最接近的同類 16 位元 DAC 相比，速度提升 50%，功耗降低 50%，時脈速率高達 1.5 GSPS，每單位通道功耗僅362 mW。DAC34SH84 也與 1.25 GSPS DAC34H84 接腳相容，協助客戶簡易升級以發揮 3G、LTE、GSM 及 WiMAX 無線基地台與中繼器的極致運作效率，及微波點對點無線電 (microwave point-to-point radio) 、軟體定義無線電 (software defined radio) 與波形生成系統的速度最佳化。
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2 Z6 v; N0 P6 r7 a# S; g% ?DAC34SH84主要特性與優勢
6 K6 @# J( g, s•更高頻寬：每顆 DAC 以750 MSPS 輸入速率支援高達 600 MHz 的複合頻寬 (complex bandwidth)，充分滿足 120 MHz 的五階線性化 (fifth order linearization) 需求，以最高取樣速率運作時，頻寬比同類產品高 3 倍；2 E/ J6 M! m" q- w; X+ K& R
•頻率捷變 (frequency agility)：2 至 16 倍內插 (interpolation) 與兩個獨立 32 位元數值控制振盪器，提供具高度彈性的頻率規畫，同時降低介面速率與 FPGA 成本；. ?' e' y8 h% u% k% [/ M
•RF 旁波帶 (sideband) 圖像抑制：完整 RF 傳輸路徑的電路板校準可抑制旁波帶 (sideband) 與本地振盪器饋通 (local oscillator feed-through)，同時可驅動最新 TRF3705 等 IQ 調變器；6 y8 k) }9 K. E& ?: \! o" e
•最快速 16 位元 DAC：DAC34SH84 屬於 DAC3484 產品系列，其包含前代業界最快速 16 位元 DAC，即1.25 GSPS 四通道 DAC3484、DAC34H84 及 1.25 GSPS 雙通道 DAC3482 等。除了提供最高速度，此系列可幫助設計人員大幅度提升設計方案的電源效率。
作者: globe0968    時間: 2012-3-7 03:40 PM
工具與支援
  G0 L) H, L* s7 m* {DAC34SH84EVM 評估模組現已開始供貨，每套建議售價為499美元。此模組包含變壓器耦合 IF 輸出以直接進行 DAC34SH84評估。8 z. a6 _* M/ A" ]8 D' O) `

# @3 @) B( l. d; b針對完整的單位位元RF發送器原型設計 (bit-to-RF transmitter prototyping)，TSW30SH84EVM 包含 DAC34SH84與 TRF3705 IQ 調變器、LMK04800 超低抖動時脈消除器 (ultra-low jitter clock cleaner)、TI 電源管理元件如 DC/DC 轉換器、低雜訊 LDO，及功率放大器等，該評估模組現已開始供貨，每套建議零售價格為499美元。
3 f. s( }% I* h* [5 W$ \( ?2 {* Y7 Z$ f4 P) f5 W& m
針對供給DAC34H84EVM的高速訊號擷取，最新 TSW1400EVM 訊號生成模組具有高速雙數據速率低電壓差分訊號發送 (LVDS) 輸出匯流排，以每單位位元1.5 GSPS 速率支援 16 位元資料。結合 DAC34SH84EVM 或 TSW30SH84EVM 一起使用，TSW1400EVM的大型電路板記憶體，可實現模組化訊號生成 (modulated pattern generation)，提升評估環境彈性。TSW1400EVM 現已開始供貨，每套建議零售價格為649美元。
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最新 TSW1406EVM 訊號生成模組支援每位元速率高達 1 GSPS ，提供更低成本的簡易訊號生成替代方案，此模組預計於 3 月開始供貨，每套建議零售價格為99美元。; C, w3 J- L: {
8 F0 s: A1 Z6 ~7 B! Z
驗證電路板訊號完整性的 IBIS 模型也已開始提供。
9 }; j9 ~. ^+ B$ b7 s$ G1 u       
4 `1 C- k5 _( N* U8 P供貨、封裝與價格
& {4 M; T2 N7 @8 n9 n採用小型 12 mm x 12 mm BGA封裝的 DAC34SH84 現已開始提供樣品。預計將於2012年第 2 季開始量產，每千顆單位建議售價為78美元。
作者: globe0968    時間: 2012-3-20 01:54 PM
IR為節能反相馬達驅動應用推出IRS2334SPbF及IRS2334MPbF 600V IC
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4 }% Z( _* c5 Y' v; t
全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出精密的IRS2334SPbF和IRS2334MPbF三相位600V IC，適用於節能家電及工業應用中的反相馬達驅動器。
作者: globe0968    時間: 2012-3-20 01:54 PM
IRS2334SPbF採用SOIC20WB封裝，而IRS2334MPbF則以QFN5X5封裝供貨，佔位面積只有25 mm2，並按照合適的爬電與間隙距離要求來設計，確保產品堅固耐用，電壓可高達600V。
5 m9 t3 g/ X& d% m, l* a3 \3 g& @; G. @7 f( x
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「反相馬達驅動器的效率表現比效率不足50%的標準開關驅動器優勝達80%。IRS2334SPbF及IRS2334MPbF帶來精密的解決方案，且易於實施，能夠讓設計師利用尺寸最小的節能逆變器，設計出電動工具、冰箱壓縮機和電風扇等產品。」
5 y% w! i( ~" r4 @
8 q3 U, G/ s3 I3 N7 OIRS2334x系列提供全面的保護，包括專有的負電壓尖峰(Vs) 免疫功能，確保在極端的開關條件及短路情況下維持安全操作。這些輸出驅動器備有高脈衝電流緩衝級，可將驅動器跨導降到最低；至於配對傳播延遲則能夠簡化高頻率應用。此外，浮動通道可在高側配置內驅動N-通道功率MOSFET或IGBT。
  l; g0 P8 D6 J3 m8 I
' [/ m  n* k$ O8 A# L 全新的IC利用IR先進的高壓IC (HVIC) 製程，包含了下一代高壓電平位移及端接技術，從而提供頂級的過應力保護及更高場可靠性。IRS2334x的功能還包括欠壓銷定保護、整合式停滯時間保護與擊穿保護。新元件亦具備先進的輸入濾波器和低di/dt閘極驅動器，有助增加噪聲免疫力。新系列的輸出和輸入同相，並與3.3V輸入邏輯相容。
作者: globe0968    時間: 2012-5-14 11:39 AM
IRµIPM功率模組為家電及輕工業應用 提供具成本效益且高效率馬達控制解決方案 占位面積減少高達六成5 ]/ _( Q) Z: F
[attach]16379[/attach]
. U4 k! L! X* n
- F6 p; \* J6 \+ f& g0 E  k全球功率半導體和管理方案領導廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列高度整合、超精密的專利待批µIPM功率模組，適用於高效率家電與輕工業應用，包括冷藏設備的壓縮機驅動器、循環加熱和水所用的泵、空調扇、洗碗機及自動化系統。µIPM系列利用創新的封裝解決方案，創造了元件尺寸新基準，較現有的3相位馬達控制功率IC，減少高達60%的佔位面積。+ Y3 E6 k" E/ C! h7 N; ?9 I" h

+ ~  X: `7 P( ?( t% g  j全新µIPM系列採用超精密12x12x0.9mm PQFN封裝，配備多種完全整合的3相位表面黏著馬達控制電路解決方案。IR為相關市場率先引入全新的方法，利用PCB銅線替模組散熱，從而透過較小的封裝設計來減低成本，甚至省卻外置散熱片的需要。此外，標準QFN封裝技術較傳統雙列直插式模組方案，進一步簡化組裝程序。方法是減省穿孔式第二流道組裝，以及提升散熱性能。
作者: globe0968    時間: 2012-5-14 11:40 AM
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的µIPM產品憑藉創新的封裝解決方案，不僅較現有的領先方案，減少高達60%的占位面積，而且有利於促進輸出電流能力及系統效率。全新的µIPM系列易於使用，散熱性能有所提升，整體系統尺寸也得以減少。設計師與系統整合商因而能夠設計出更具成本效益，且先進的馬達控制解決方案。」
$ o" Y' E, R9 K- X
' u" w9 W! x1 |6 r/ d8 AIR的µIPM系列採用通用引腳和封裝尺寸，提供可延展的功率解決方案。該產品系列配備專為優化變頻驅動器而設，既堅固耐用亦高效率的高壓FredFET MOSFET開關，配合IR最先進的高壓驅動器IC，提供由2A到4A不等的流額定值，而電壓則可以是250V或500V。
+ l, i) O  h% V; o1 r) X  O" K. p
# B& v% B" v& ]* u( V** RMS，Fc=16kHz，2相位脈衝寬度調變，∆TCA=70°C，TA ≈ 25°C
$ R. }7 J( R3 T( |8 T' ]
1 c% v/ Q( T6 O8 ?) p產品現正接受批量訂單。有關元件符合電子產品有害物質限制指令(RoHS)。數據資料、應用手冊、專屬白皮書，以及為損耗模型運算和電流額定值預估而設的網路工具現已供應。
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作者: amatom    時間: 2012-10-18 04:52 PM
IR為家電馬達驅動器擴充IGBT陣營  推出600V 溝槽型超高速IRGR4045DPBF及IRGS4045DPBF 8 b6 L' G/ h; ~

/ a3 m  e" k) S全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣營。全新600V溝槽型超高速IGBT能夠為洗衣機和冰箱等家電與輕工業馬達驅動應用提升效能及效率。
( S6 P& Y1 v- g( g# z) v3 W; P, N/ K- l4 M
IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF利用IR有助於大幅減低開關與導通損耗的薄晶圓場截止溝槽型技術，在更高頻率下提升功率密度與效率。全新IGBT與二極管共同採用DPAK 或D2Pak封裝，並且配備6A標稱電流及≥ 5µs的最低短路額定值。
6 R, s, ?% ^$ ^+ v- I
+ ]( w5 j4 O# Y) K+ h# h全新元件亦具備能夠減低功率耗散與提升功率密度的低Vce(on)，以及易於並聯的正Vce(on) 溫度係數。IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF經過優化後適用於廣闊的開關頻率範圍，最高達20kHz。
$ _) L7 X" g0 b0 _: S% Y. m! r; R( t$ T* ?
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF兩款元件擴充了IR強大的IGBT陣營，並且為高效能家電與輕工業應用帶來高效可靠的解決方案。」 - B3 d, M, c0 O5 T0 G" e

2 T$ L. M# `% h+ ^IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF可以晶片或封裝元件形式供應，其他主要功能包括經過優化的方形反向偏置安全工作區 (RBSOA)、最高達175°C的結溫，以及能夠促進可靠性的低電磁干擾  (EMI) 。
作者: amatom    時間: 2013-1-30 11:41 AM
IR 先進多功能SmartRectifier配備同步功能 有助簡化設計及降低整體系統成本
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充SmartRectifier IC陣容，為交流-直流轉接器、個人電腦、伺服器及電訊開關模式電源 (SMPS) 應用內的返馳、正向和半橋式轉換器，推出IR1169高速同步整流器 (SR) 控制器。
) {4 y, \( A. n' |9 R2 I' k" g: u7 M5 w1 ?+ Y- B
IR1169的同步功能可把同步整流器MOSFET關閉，防止在連續傳導模式 (CCM) 操作下出現逆向電流，從而提升功能和可靠性。該先進的元件有別於現有解決方案，能夠透過直接傳感功能與電容器耦合，簡化設計及降低整體系統成本。
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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「同步整流無疑較基於二極體的設計大幅節能。然而，傳統的同步整流模式繁複，而且往往需要搭配很多元件。先進的IR6119 SmartRectifier則能夠提升功率密度，促進在返馳、正向和半橋式拓撲內的效率及可靠性；且能簡化設計及減少產品的元件數量，藉以降低整體系統成本。」 ! g" Z8 M1 o& m1 U) o
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IR1169具有IR專利的200V高壓IC技術，以支援脈衝模式操作。即使在輕載的情況下，該元件也可提升效率。IR1169憑藉先進的消隱電路與雙脈衝抑制功能，達到堅固耐用的特性及噪音免疫能力，確保在固定和變頻應用內維持可靠的操作。3 j- _8 ~$ V8 I* _- e( [
9 Z0 O6 q8 S8 @
其他主要功能包括最高達500kHz開關頻率、防跳動邏輯和欠壓閉鎖 (UVLO) 保護、4A峰值關閉閘極驅動電流、微功率啟動和低靜態電流、10.7V閘極驅動箝位、50ns關閉傳播延遲，以及從11V到20V的寬廣Vcc操作範圍。
作者: tk02376    時間: 2013-3-13 01:55 PM
IR推出更強線上IGBT產品選擇及效能評估工具進一步簡化元件選擇和優化流程& s) n2 l7 t1 [* X
[attach]18158[/attach]; F2 I* h, G5 u- Z7 i
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 提升絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 選擇工具的效能，藉以優化馬達驅動器、不斷電供應系統 (UPS)、太陽能逆變器及焊接等多種應用的設計。
作者: tk02376    時間: 2013-3-13 01:55 PM
IR新的IGBT選擇工具效能更強，可評估匯流排電壓、負載電流、開關頻率、短路保護要求、封裝及熱系統等應用情況。新功能包含了可自訂的熱限制設定及電流對頻率輸出圖，以便比較元件在不同操作條件下的表現。  |+ r! ]3 O1 u# |$ c+ y
0 [! e2 E8 Z8 O. b# C! {% R
該IGBT選擇工具已在http://mypower.irf.com/IGBT供應，提供符合以至超出用戶所鍵入應用參數的產品列表。有關產品的排名按效能而定，並在特定的操作情況下，把功耗和結溫列入考慮因素，以促進選擇流程。
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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR提供一系列IGBT產品，為不同的應用優化逆變器設計。功能更強的線上選擇工具有助於工程師更迅速輕易比較元件的效能，從而為他們的設計選出最理想的IGBT。」 3 I5 V1 F. U4 n6 @, h
+ o+ D" F& n4 Q+ b, W  Y
IGBT的選擇需要評估多個參數，而且開關損耗可用導通損耗來取代，所以不能簡化為單一數式。為此，IR的產品選擇工具製作了電流對頻率圖表，充分顯示不同IGBT的相關效能。有了這些資料，設計師就可為應用選擇最符合成本效益的IGBT。
作者: mister_liu    時間: 2013-3-20 05:38 PM
IR推出第三代高電流 SupIRBuck 負載點穩壓器IR3847 提供卓越效能，可大幅減少電路板尺寸達70%及簡化設計 該業界頂尖的穩壓器適用於高效能通訊和運算應用5 r* o5 C* O1 O6 |& ^* B# H

* p6 I5 u/ L7 b全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3847高電流負載點 (POL) 整合式穩壓器，該產品可將採用了5x6 mm纖巧封裝之IR第三代SupIRBuck系列的額定電流擴大至25A。
3 k; Q) O5 m  z1 q6 U( c3 L8 h! N7 W1 \- V* h" ~
由於IR3847所使用的全新熱增強式封裝採用銅夾技術和多項自主創新的控制器技術，所以該元件不需要散熱片即可在25A電流下操作。其電路板尺寸也因而比其他整合式解決方案減少了20%，比採用了控制器和功率MOSFET的分立式解決方案則減少了70%，使一套完整的25A電源解決方案得以在168mm2 大小的電路板中實行。
2 f- H) P7 t& C9 ~+ I! k$ [' |& z8 j9 m- Y6 |& ?5 j: n
新元件整合了IR新一代功率MOSFET，配備功能豐富的第三代SupIRBuck控制器。該控制器的主要功能包括封裝後精確停滯時間調整，有助於把損耗減至最低；以及內部智能低壓降線性穩壓器 (LDO)，能夠優化整個負載範圍內的效率。新元件還整合了高電流應用所必需的真正差分遙感功能，以及從25°C到 105°C溫度範圍內的0.5%參考電壓準確度、輸入前饋和極低抖動效能，從而將線路、負載和溫度上的總輸出電壓準確度控制在3%以內，滿足高效能通訊和運算系統的需求。
作者: mister_liu    時間: 2013-3-20 05:38 PM
作為IR的第三代SupIRBuck單一輸入電壓 (5V-21V) 系列的最新產品，IR3847採用專門的調制方案，與標準解決方案相比，可將抖動減少90%。由此帶來的另一效益是，可以將輸出電壓波紋減少約30%，並且達到更高頻率或更高頻寬的操作，藉以帶來更小尺寸、更理想的瞬態反應和更少的輸出電容。
3 d' Y0 }6 g; `) `5 C) F* r" S# z' A4 x# \8 O1 K0 r2 ?6 Q4 e/ r# R/ l$ b
IR3847採用了纖巧的PQFN 5×6mm 封裝，為15A 到 25A應用帶來市場領先的電氣和熱效能，例如達到超過96%的尖峰效率，以及在25A電流下溫度僅上升50°C等。新元件還包含外同步、排序、VTT追蹤和輸出電壓邊限等增強功能。 , P/ R% A3 B8 k0 c  b( m, k  [

. \% \+ {2 e0 m7 l8 f新元件的引腳分配得到優化，可以輕鬆放置旁路電容器。同時，針對內部電流限制的熱補償功能提供三種設置，不需額外的元件和佈局即可進行編程。
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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「有了具有真正差分遙感功能的全新高電流IR3847，IR便可以透過完全整合的解決方案化解受到熱度和空間限制的高密度、高電流應用所面臨的挑戰。該方案提供高達25A的電流，能夠在僅有168mm2 大小的電路板上帶來滿足負載要求、3%以上的總輸出準確度，而同類元件的總輸出準確度一般是5%甚至更高。IR3847大幅減少抖動，使脈衝寬度僅為50ns，因而能夠提供更高的閉環頻寬，從而達到更理想的瞬態反應和較低輸出電容，並且可在尺寸更小的電路板中提升頻率操作。我們的客戶期望元件不影響基準效能和密度，IR3847成功滿足這些需求，更進一步簡化設計流程。」
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IR3847適合工業市場，提供SupIRBuck的標準功能，包括高達1.5MHz的開關頻率、預偏置啟動、輸入電壓監測啟動、過壓保護、電源良好信號、用於明線反饋和可調校OVP的自選實際輸出電壓感應、內部軟啟動和1.0V最低輸入電壓 (外偏置) ，以及-40oC到125oC的作業結溫。
作者: mister_liu    時間: 2013-6-18 01:49 PM
IR全新1200V IGBT為馬達驅動器及不斷電供應系統應用提升功率密度和效率
! s7 k+ z* v) E7 E[attach]18506[/attach], p+ I$ ]. [: U" Z& r3 s
5 j+ [8 L& g. J2 [) V3 q
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠，並為工業用馬達驅動器及不斷電供應系統 (UPS) 而優化的1200V超高速絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 系列。: s/ ^- H! D- |7 K. c
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全新元件利用IR的場截止溝槽式超薄晶圓技術，減少導通和開關損耗。該等元件與軟恢復低Qrr二極體一起封裝，並具有10us最小短路時間額定值，為強固工業應用作出了有效優化。: U' D- N4 c/ j  |

/ w7 H* j- k; e; u" I3 T' \( zIR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「全新1200V溝槽IGBT配備了極低的Vce(on) 和低開關損耗，並且帶來更高的系統效率及穩固的瞬態效能，從而提高可靠性，以充分配合惡劣的工業環境。」
作者: mister_liu    時間: 2013-6-18 01:50 PM
這些封裝元件適用於從10到50A的廣闊電流範圍。其他主要的性能效益包括高達150°C 的Tjmax、有助於並聯的正VCE(on) 溫度係數，以及能夠降低功耗和提升功率密度低VCE(on)。新元件亦可以裸片形式供應。
* Y" l3 h. c( p+ @2 Q- k( l* N6 W6 b, q* O( K

採用封裝形式* F3 B# T8 L* m" X. i

元件編號
) h* U( F6 }! D* c! u4 G

封裝  U) L' ]4 i' s/ u# x

VCES

IC (標稱)

Vceon

Tsc (最小)3 D" m- D- z. `: l" q$ D  M

IRG7PH30K10D

TO-247AC

1200 V

10 A

2.0 V

10us

IRG7PH30K10D-E

TO247AD 長引線- @3 b9 e& ]7 r! f

1200 V

10 A

2.0 V

10us

IRG7PH37K10D

TO-247AC

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7PH37K10D-E

TO247AD長引線3 N2 L" R) A5 t9 b  F) e9 a" E

1200 V

15 A

1.9 V

10us

IRG7PH44K10D

TO-247AC

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7PH44K10D-E

TO247AD長引線
# H3 J2 P5 U- |( C

1200 V

25 A

1.9 V

10us

IRG7PH50K10D

TO-247AC

1200 V

40 A

1.9 V

10us

IRG7PH50KD-E

TO247AD長引線
5 X3 y' {7 A1 K9 ?: Z! p- ^

1200 V

40 A

1.9 V

10us

IRG7PSH54K10D

Super TO-247

1200 V

50 A

1.9 V

10us

# r+ R0 p3 Z- @: }* L+ s5 k. G

# U. N4 c0 \% o9 p% m( R/ m' x

產品現正接受批量訂單。全新元件符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。數據資料及IGBT產品選擇工具已在 IR 的網站& Z% v! z$ i1 P6 i7 k4 @
www.irf.com供應。產品選擇工具可直接在mypower.irf.com/IGBT存取。

作者: innoing123    時間: 2013-8-7 09:47 AM
IR創新功率區塊元件為DC-DC同步降壓應用提供行業領先功率密度
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全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出創新功率區塊元件系列首兩款產品 IRFH4251D及IRFH4253D，適用於先進的電訊與網路通訊設備、伺服器、顯示卡、桌上型電腦、超輕薄筆電 (Ultrabook) 和筆記型電腦等DC-DC同步降壓應用。* X6 ^# |/ M' w: [8 w7 z$ ^

3 Q+ q+ F" g+ l' z' s/ \3 f新款25V IRFH4251D及IRFH4253D配備IR新一代矽技術，並採用了嶄新的5x6 mm PQFN封裝，提供功率密度新基準。全新功率區塊元件具有整合式單片FETKY，而且破天荒採用包含了頂尖的覆接裸片技術的封裝，有效把同步MOSFET源直接連接到印刷電路板的地線層散熱。任何一枚5x6 mm封裝新型元件可憑藉強化的散熱效能和功率密度，取代兩個5x6 mm封裝的標準獨立元件。此外，全新封裝備有已在PowIRStage與SupIRBuck產品內廣泛使用的IR專利單銅彈片，以及經過優化的佈線，有助於大幅減少雜散電感，以降低峰值鳴震。這樣設計師就可選用25V MOSFET，代替效率較低的30V元件。, |1 P! }0 P0 V0 _0 k
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IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRFH4251D及IRFH4253D功率區塊元件具備頂級的矽技術和多項嶄新功能，加上採用了突破性封裝，為高效能DC-DC開關應用提供行業領先的功率密度。這些元件使用效率更勝一籌的佈線，必可樹立DC-DC雙MOSFET的新行業標準。」
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IRFH4251D及IRFH4253D旨在優化5V閘極驅動應用，可與各種控制器或驅動器共同操作，從而帶來設計靈活性，並且比採用了兩個分立式30V功率MOSFET的同類型解決方案，更能以較小的佔位面積實現高電流、效率和頻率。



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