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標題: layout 的 metal 耐電流? [打印本頁]
作者: sjhor    時間: 2007-8-1 09:40 AM
標題: layout 的 metal 耐電流?
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!
% U0 J3 {$ ?( E8 ~這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!+ a% ~* I) G; d  U
要做足 metal 的寬度  幾乎非常困難!!
. Y/ C9 x# J( Q* |+ Z不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!
& Q; z  t3 U2 K5 D+ ~. w' `, f- T" K假如以下的狀況:; q' _  |# Y  w% f
1. Peak current is 2A?
2 c! z, n# z- D, Q2 F( L! ]2. Constant current current is 500mA?
作者: m851055    時間: 2007-8-1 09:06 PM
一般power mos之chip都很大，所以空間不足的情形，可以加大IC dim，缺點是cost up。
作者: jauylmz    時間: 2007-8-3 04:21 PM
如以 1um /1mA  來看，用4層metal 同時拉，應該用500um就行了吧
作者: finster    時間: 2007-8-7 10:19 PM
為了因應Power MOS的巿場! p) R% j+ b' W: P
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule  a4 U5 N% m7 L: K) w6 W5 Z$ E- _
thick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多
3 P# R( N' u( Y/ p% w  Pthick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)



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