面對Flash所將面臨的技術瓶頸,許多先進廠商投入鐵電記憶體(Ferroelectric Random Access Memory;FeRAM)、磁阻記憶體(Magnetoresistance Random Access Memory;MRAM)及相變化記憶體(Phase Change Memory;PCM)等次世代記憶體的開發,為未來非揮發性記憶體市場進行更長遠的佈局。這些次世代記憶體與現今主流的非揮發性記憶體Flash,有著截然不同的設計原理,及其優越的效能。此場演講IEK陳俊儒分析師除了剖析次世代記憶體對Flash的影響外,也深入探討對其它主流記憶體,像是DRAM及SRAM的市場衝擊。IEK陳俊儒分析師將分享如何從效能成本、專利及廠商狀態各方面,去推測次世代記憶體的未來發展趨勢,進而提出台灣產業機會分析。敬請蒞臨指導,以期分享您的經驗。
主辦單位:工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)