Chip123 科技應用創新平台
標題:
noise figure simulation problem
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作者:
ymlin
時間:
2007-9-10 02:41 PM
標題:
noise figure simulation problem
小弟最近在做元件的noise figure simulation 發現一個很奇怪的事情
# @# T2 ~% ~6 i% U9 [
) Y- z* \0 f+ I
我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS
& ~, `8 Q9 a, w$ E1 C
其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model
/ D/ I$ R% B/ ]1 c
令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣
5 ?/ N1 M2 i9 J m
從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的
2 k# Q; |# R) k( y
但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??
) W) ]# y4 r' t) \3 N/ ~8 g# _
! X' w1 K3 B$ \4 U# V
另外, 如果我使用ic 5.0.33
/ P) @0 p, g, w8 O/ ?, K2 x0 _0 J
我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)
4 n- q, R. A* o) h# j' E* U2 ^
跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
, J) e* v& [/ g: X
noise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)
- u; S& H$ `; S. _) i
7 X v$ D4 d p! y. N; Z% ]
7 f# H' o4 g) N1 n6 e
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享
: C7 A( C' e4 C/ Z
感謝~~
作者:
kokokiki
時間:
2007-9-11 10:42 AM
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
& A9 w; b4 r5 {6 L
當然不同.
h# a* j' u2 D/ A M l' u
使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
作者:
ymlin
時間:
2007-9-11 02:43 PM
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯
9 u& R1 c& C7 o( f; f
但是現在只是用model作simulation 它如何知道我要怎麼拉線
0 r" }5 k( C( G% W3 H
simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
' W ]: |2 d% `8 g& R9 h
' l% {% g; H8 G# w1 C- D
至於版本的問題 我的整個模擬環境都沒有改變 單純只是版本的不一樣
; D5 m, g2 s* N0 a7 z+ d4 j- e; F
不同的simulator跑出來的結果不一樣 還算正常
, H! Y' a1 {# T3 J
同一simulator不同版本的結果不同 雖然不是不可能 但是還是很想知道差異到底來自何處
. D% y! G' Q/ p
我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定 不是這樣嗎??
/ l( X! P- m, F4 X/ i( V
(我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
作者:
kokokiki
時間:
2007-9-21 11:16 AM
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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