Chip123 科技應用創新平台
標題:
noise figure simulation problem
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作者:
ymlin
時間:
2007-9-10 02:41 PM
標題:
noise figure simulation problem
小弟最近在做元件的noise figure simulation 發現一個很奇怪的事情
1 n, ^. x) P2 O" S
! m' u" |8 {3 M0 \& S/ q
我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS
( u& ]/ }1 _) r$ T$ _7 U! D8 W
其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model
5 N, ^1 F2 q1 L: Y
令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣
+ L( d n6 R: O: g% b1 N& y
從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的
6 @$ A) V5 |$ [2 ?' T5 z# C
但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??
/ J4 M ~5 b7 K1 G" A
# N! M; p; v2 O. j- C/ k. {
另外, 如果我使用ic 5.0.33
" d9 J: u! [6 s2 R# Q
我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)
; v) S2 M3 Y9 \8 Q! s% M
跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
& ?6 q( B5 x7 h; v* j/ p" _
noise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)
" y* _, h! @6 g+ }$ q
, I3 z# ?# |$ j" |
$ g A! n7 ^( ?: q' W2 W8 s
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享
* n- C7 Z( I3 }! R4 e4 b0 X' u
感謝~~
作者:
kokokiki
時間:
2007-9-11 10:42 AM
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
3 D" B+ c" _# v" f* T3 ^' L0 h
當然不同.
- v3 d! ]' h' Z; } W- s1 t1 I
使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
作者:
ymlin
時間:
2007-9-11 02:43 PM
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯
4 Y. O) _# U B, |/ a) m a
但是現在只是用model作simulation 它如何知道我要怎麼拉線
! G: B/ v- M- p R/ s
simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
8 c f) U/ I, {# q o
?8 j: v4 L" R7 A6 d
至於版本的問題 我的整個模擬環境都沒有改變 單純只是版本的不一樣
1 N2 ^* K1 ^7 t7 n
不同的simulator跑出來的結果不一樣 還算正常
0 o% m$ P/ p6 l/ M- ?' [5 Z1 q- |
同一simulator不同版本的結果不同 雖然不是不可能 但是還是很想知道差異到底來自何處
2 \$ I2 x: S: z# M @ X
我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定 不是這樣嗎??
* g' D) p- l* U( k: x/ N# b$ O
(我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
作者:
kokokiki
時間:
2007-9-21 11:16 AM
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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