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標題: 設計interdigital capacitor [打印本頁]

作者: newengineer    時間: 2007-9-20 12:24 AM
標題: 設計interdigital capacitor
要怎麼設計interdigital(指插型) capacitor ?
/ \( x$ A! x* d  u* F. I我找到一個公式,代進去和模擬出來有2pF的誤差,
& _8 Y$ D) M  d! K/ z5 z# W模擬的電容值我是看1MHz那一點的電容值為準!, c  F8 ~; {/ o# `: T- k7 l1 b

$ o- |* E% [' z: R0 U. R有沒有任何更好的interdigital capaictor reference可以study !7 y* X' D- L6 E0 A
thanks all
作者: adele    時間: 2007-9-21 12:12 PM
这个也不大懂,最近也碰到这样的问题。共同学习一下。
$ z7 @1 S5 C. c9 s8 L2 T) Q: q我碰到的是这种电容用在vco里,电压对电容的大小有调节作用的。
* s: R. T; b- I2 t/ Q下面是找到的一个公式,是否有用?
# S, O4 F( J; B. Z5 H3 F% N
' D/ ?) H: l2 D! \& V# O# s$ z还有就是,是否这种电容的两端为黑色的两边,电容的大小仅跟距离相关吗,跟两端的电压没有关系?
- ?5 |" {& X3 B0 D0 o% P这种电容如果是用最上层金属(如M4)做的,那么它的下面是不是会需要M3,M2也以同样的方式连接以确保较好的性能呢?
作者: adele    時間: 2008-5-26 04:39 PM
以前遗留的问题,再顶起来,大家来讨论讨论!
作者: adele    時間: 2008-5-26 04:42 PM
TSMC90nm工艺似乎提供这种电容的model的,不知其他工艺下要用的话,如何自己建cell呢?
作者: finster    時間: 2008-5-27 12:53 PM
建議你在使用公式計算時,一定要參考製程廠所提供的design rule來計算) {) [4 f2 V7 c* `) h
因為若是用metal to metal的寄生電容,每一家的製程廠的metal的寄生電容都不一樣,而且不同層的metal to metal也不一樣! i- N$ W. G7 W1 l/ o% K
若沒有參考design rule,所計算出來的寄生電容的差距會頗大的
6 |0 q5 Y0 O- g; y; _/ F而且,還要考慮到mask誤差的問題
' Y  y, e, F" w另外,若很疑惑所計算出來的寄生電容值,建議你可以先用layout畫一個metal to metal 電容的cell,然後再抽LPE,看看所計算出來的寄生電容和筆算的誤差有多少,如此一來可以更精確地知道差距




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