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標題: 製成變換跟mos 大size的關係 [打印本頁]

作者: g9664414    時間: 2007-10-8 05:46 PM
標題: 製成變換跟mos 大size的關係
有一組可以在tsmc.18製成下work的電路) f0 m# w7 z( k) p
  Y9 [; }! p% S
如果改用tsmc.35來設計時 mos大小可以照倍數調整嗎?!4 `4 h( b" d3 R, Q$ W& r

3 u; ?: u5 y( P如果可以 倍率約是多少呢??8 f, u% p! ^( l, j( o
  G2 z+ ~( v4 d/ I$ A5 S
感情大家!!
作者: 小朱仔    時間: 2007-10-8 07:42 PM
基本上應該不行直接換! y; G/ Z' I3 v' O
SPICE Model不同2 M# e" o2 ~0 R! B! M+ l0 n# a
參數也不同) C- l) @% f) h
應該無法直接比例放大
) o4 R& ]" G! J0 m- l! i% G1 v6 T
5 j! E) U( k$ f# L6 G  d: e4 w) I可是如果數位電路可能可以1 V; T) N- _" ~
不過放大Rail Time and Fall Time可能會變差
作者: mt7344    時間: 2007-10-18 09:35 AM
其實這一部份!! 要看你的規格需求吧!!2 K5 N# ?2 L2 F% K# `. L
同樣的  0.18um 的製程!!  都不一定相同!!0 \5 Z$ p5 v" x' K
所以  最好依你自己的規格  重新設計會比較佳!!
作者: st5339s    時間: 2007-11-29 05:48 PM
還是重畫吧..雖然是同晶圓廠但製程是差了一萬八千里..看看Design Rule你就知道了..雖然之前聽說有一個可以改廠..改製程的軟體但聽說跑完之後還是有一堆Rule要改.......蠻費時的..要不然..你覺得Design  要 Layout 幹麻...  當然..萬一IC不會動..拿來推卸責任...是另一種功能....!!
作者: motofatfat    時間: 2007-11-29 05:58 PM
標題: 回復 1# 的帖子
早期LAYOUT 用參數制) d+ v0 |* v7 V& q& c6 Z& E
就是想這樣做
/ G! c/ ]0 t% k7 ~% p後來發現不行" H3 g% V1 U9 h
不是每ㄍ都按相同比例




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