dummy 接點的問題

bbegg

想請問一下,
一般在擺DUMMY的時候,如果是電阻或電容的dummy,那DUMMY的電位應該接到哪一點??
VDD還是GND呢?

/ Z6 {* Y( O1 Z6 Y+ r7 m那在MOS的時候,如果是擺POLY當作dummy,那POLY需要接電位嗎?
3 V4 i  d7 y2 D5 L如果需要的話需要接到哪點? VDD,GND或者其他電位??

8 e: j" J; B5 ~0 F3 e" I謝謝

sw5722

好像都可以,我們都是"就近"接,而poly是接電位比較好.也一樣是"就近"接.

小包

一般做mos match的poly可以接guard ring的電位或附近gate的電位，若是電阻的話就要看是什麼樣的電阻囉~若是nw電阻dummy需接vdd，n+電阻的dummy接gnd（就像nmos接gnd），p+電阻dummy接vdd（就像pmos接vdd）若是poly電阻則沒差，vdd/gnd都可，如果不方便接vdd或gnd時，至少要把電阻兩頭short，floating。至於電容的dummy只要2頭short，隨便接個電位就可以了~

小美

請問一下版上的各位大大
- h7 s: P7 F  e, G2 o. F
. l7 ^, L, a/ d我想在LAYOUT中放置一些DUMMY保持電路的對稱性

$ T+ n' I6 K& y那麼這些DUMMY的接腳可以浮接嗎?

/ }5 Q% ^4 K; u) E7 W例如我想放置DUMMY MOS好了

0 Y  Y: D* @" P; l8 s8 z那他的D G S腳要接到哪去呢?
: I- s; G8 W5 j
+ |1 G* J# R8 |4 t我看有些好像會接到最高電壓或是最低電壓
' e! b, m+ K% r, n
, Q1 R. n+ Z+ w+ P請問有一定的準則或是要特別注意的嗎？

5 Q/ c& K0 J! W3 c# C1 X9 I. ]謝謝各位^^

mnlhdgw

请问：n+電阻的dummy接gnd（就像nmos接gnd），p+電阻dummy接vdd（就像pmos接vdd）
/ E: `$ E. V% B' u6 E* f5 S+ p      这样不会存在额外diode的么？
+ a1 t9 d: z8 u% X, D, [1 A5 T      还有mos这样接不是就相当于电容了么？

小包

mos matching的dummy poly底下是沒有od的，所以沒有電容的問題（如果是放dummy mos的話接法就不同了~）。dummy n+電阻接gnd和dummy p+電阻接vdd，雖然有個pn接面，但是兩頭都short在一起了，diode也不存在。dummy電阻 short需要電阻的2個端點同時short，若只接其中一點的話還不如floating。

pph_cq

nwell电阻为什么要接VDD？接gnd不可以吗？我们好像所有的dummy不管是何类型都接gnd的。

小包

通常一般的nw dummy電阻接gnd是不會有什麼問題，不過因為dummy就是擺在一堆電阻的最邊邊，如果附近有其他nw但不是接到最高電位，譬如說接到某個訊號，據說會有漏電還是怎樣的…這個是我們公司的產品說的，所以我們的nw dummy都是接vdd，保証沒問題~

pph_cq

这么说那N+电阻是不是也应该接VDD呢？不然是不是也会有漏电问题？

小包

n+跟nwell是不一樣的東西，n+濃度較濃且深度較淺，並且有od的地方才有n+，nw是只要你有lay nw的地方就會被做出nw，不管上面是否有od。nw接gnd會怕漏電是有原因的，以較有名的fab廠來說是不會有這種問題存在，但關乎rd所設計的電路。撇開電路架構不說，我們就曾經遇過製程技術比較差的fab廠，因為psub的濃度沒有調好，造成nw和nw之間漏電，你想想，假設你這個時後把dummy的nw接到gnd，附近又有pmos接vdd的nw，是不是就有漏電的疑慮…而你問的「N+电阻是不是也应该接VDD呢？不然是不是也会有漏电问题？」反過來想，n+電阻跟nmos差別只在一個有上頭有跨poly一個沒有，而poly只是控制mos的開關，也就是說把nmos的length拉長一點，也是可以當電阻用阿，那你會把dummy的nmos接到vdd去嗎?

小包

如果在mos的兩邊要擺dummy mos有數種接法，你可以參考一下：
1、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起，source/drain接vdd（pmos）或gnd（nmos），如此一來dummy mos就變成了mos電容，但需考慮的是gate的訊號線是否容許存在額外的電容。
/ e% b. o# f* I  w% |( X2、dummy mos 的gate/ source/ drain都接到vdd（pmos）或gnd（nmos），這樣就是把mos都關掉。
+ T# p1 n% C3 s5 H6 T3、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起，source/drain short接到某個訊號，這樣雖然mos有通，但因為source/ drain已經用metal short了，所以底下通道可能沒有載子通過，metal的阻值遠小於通道，所以載子會走metal。
4、dummy mos 的gate跟被包在裡面的接一起，source接vdd（pmos）或gnd（nmos），drain floating。

motofatfat

就近接 不論 是 POWER OR GROUND
POLY 最好 不要浮接 以免感應到
被長期 所在 某個 訊號

semico_ljj

dummy 要接死，不能浮空

592gigi

我一般就就近接。。。。

dendeicide

小包大大講的真詳細，讓小弟學到了一些。

chone1205

都可以接~當然已就近電位嚕

kid1412kid

小包大大說的真詳細，小弟受教了

toffee186

小包大大說的真是詳細，謝謝啦~之前還沒有注意到dummy有這麼多種

h2off0202

稍稍補充一下
建議MOS的S D G B都接同一點
應為我們公司就有應為BODY接不同點而漏電的問題發生(HV製程)

ian77316

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