用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

jeffrey

Dear 先進們,
1 e5 u% t0 c/ R; n請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
3 E" a8 K  H( |2 s# v% s因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..

8 }2 E; y- S) W" B感謝各位的幫忙.

qpau

MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
/ C) Q. W. {3 B0 @& w4 Boxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
" q. x" Y4 q% }( \但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
0 i" j. i# G8 QBtw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
1 d  B3 r4 V9 R3 n使用這種元件並不需要多加光罩,
! @6 l1 h4 t1 J7 ]建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件

tommywgt

我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???

9 q' W$ B8 n- j& T8 p哪位大大可以補充一下下?

st80069

我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令
.option dccap post
.print CGG=LX18(mn1)
.dc vin 0 5 0.1
% _5 _1 g1 k" D) F) k& I....
.....
. y' g- ^% G+ P7 o# _.......
* J3 t7 H3 a) r7 i.end
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....
如有錯誤，請大大們指教~~~
2 b* d5 C" ^* z
2 o& H- E, ?' |9 t" Z. ?對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
! T4 \' y. g% Z1 L7 p) p, I我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
& p) y: \( R9 n, A5 u而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???

小緯仔

回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
/ {1 s# e) f/ l  `7 U* v0 e
比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值