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[問題求助] Diffusion ROM & Via ROM ??

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1#
發表於 2008-5-30 09:24:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
" b; u, G) M( z: S- C它們的差異在哪裡呀?
8 n" w# r2 |( S+ g) g" [請知道的大大share一下!!
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2#
發表於 2008-5-30 16:57:51 | 只看該作者
網路上查到的.參考一下:
: J" Y3 @' P1 g! A  Z"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting 3 N7 I% i3 R1 Y# n% }! C
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1 ; a! n, K# f% a, A
VIA ROM may have bigger cell size "

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3#
發表於 2008-9-29 13:52:58 | 只看該作者
以Mask而言,Diffusion layer 的製造順序比PLY前面,wafer
; `! Q( e& g  |& E% w5 V, z不能hold在此時,在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的  w0 j' D# O4 z8 ]$ `7 r3 m
project,選用Diffusion ROM是很不智的。) l, e; |; J/ M( r2 ?
但他有面積小、速度快的優點。
3 ?: z/ r5 v  t; z- J# {  B% {/ c' T
另,Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
9 y0 I- O5 j0 p1 h# n$ E5 i  D方式通常有patent保護,自己要design時候要特別注意,也要看% t4 M" Y+ n+ q$ A& E7 N
你要投的fab有沒有支援此process。
1 A5 @- T( G+ J7 ~& R, @; w* \' h: [3 Z( o- n& I, c/ @
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。' M% }1 {1 Q' `- H) z4 p  _9 f
& b( O& O- D; R" a: m1 o
[ 本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯 ]

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4#
發表於 2010-7-2 10:20:57 | 只看該作者
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小

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