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[問題求助] Statistical和Mismatch model

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1#
發表於 2008-8-8 16:19:43 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問有沒有人知道Statistical和Mismatch model有什麼不同?
# l( w8 {# F$ k3 `' D4 V1 B9 q+ B# R7 q
感覺好像兩個都是拿來run Monte Carlo
, S  C2 I; o, p& S+ ]1 @# W9 w2 N" ]: c6 j+ e2 r; H3 r. G- e) d
如果我是拿來run OP的offset,應該用哪一個呢?
% p  s3 l6 U  e4 y3 k9 t+ r6 M5 `6 I& B& j8 X& F& Q0 z- B
謝謝
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2#
發表於 2008-8-10 23:38:04 | 只看該作者
一般製程廠只會提供SPICE model,裡面並不會特別去區分這是Statistical和Mismatch model; l2 b( x0 O: H! u+ ^& i8 A  q! G
另外,Monte Carlo的model,通常製程廠並不會給,除非你向製程廠要求,他們才會給,再者,一般你在run Monte Carlo時,有些參數你可以自己設定而不需要透過製程廠提供,不過,前提供是你要對SPICE model有相當程度的了解,不然,那些參數要怎麼設會是一個大問題
9 b* ]& U; c( ^% W4 h至於op的offset,通常用SPICE model就很足夠,若真要更保險的作法,絕大部份是加run Monte Carlo
3#
 樓主| 發表於 2008-8-11 01:42:37 | 只看該作者
先謝謝您熱心的回答. D) w0 u" N4 o" O+ a+ o
. z3 i5 b' n" q
目前TSMC 0.18um mm的SPICE  model已經有Statistical和Mismatch model
8 ?% P; ?' n6 d- M提供您更新的資訊~~
! @0 J- [+ ^3 _$ N8 n2 a+ V' ^8 S$ F+ L) a
不知道版主您若要run op offset的Monte Carlo會怎麼設定參數?4 ~. Q2 @5 r& @5 o1 }6 E/ D
若不run Monte Carlo, op的offset怎麼會在一般的SPICE model中呈現呢?  [* j: z% M6 U0 g' C  l
offset的主要來源不是在於W,L,Vth的不匹配嗎?
' D' Z1 d* M3 N8 g9 x1 W/ Z( k) z謝謝
4#
發表於 2008-8-11 11:17:38 | 只看該作者
Monte Carlo的參數設定,你可以查SPICE的使用手冊,上面都有明確的描述' \+ L0 `8 i% r" ?3 `+ f
而會跑Monte Carlo,最主要是針對W,L,Vt等參與作統計和mismatch的變化作SPICE模擬5 \1 c3 C2 |/ E" L3 [" l5 T
因為Monte Carlo可以針對某幾項SPICE Model作個別設定和變化然後作SPICE 模擬,詳細的參數和統計用法要看SPICE的使用手冊,我都要是跑Monte Carlo時才會再去翻來看2 w1 Y: A% }5 E; K

) C+ J' c0 E2 t2 Q至於不跑Monte Carlo如何看offset,你可以針對某幾顆你覺得會有影響的MOS,然後個別改變它的w,L,Vt等參數或者值,變化的幅度就看你覺得要用多大的製程參數漂移來設,同時,統計的量化要看你是用高斯分佈還是其他參數
7 J3 _% M6 M  `% h$ t2 t
- j5 n# U- ^: Q! g3 P另外,我以前接觸TSMC 0.18um的SPICE Model時,並沒有提供Statistical和Mismatch model這兩種model,也許是後來又再提供給客戶使用的吧,不過,我個人覺得這兩種model應該是針對Monte Carlo而作的SPICE model
5#
 樓主| 發表於 2008-8-11 13:44:28 | 只看該作者
我對於Statistical和Mismatch model的差異有一點不太了解
# N, _8 Y2 r! V3 j2 u: |0 U+ O6 Y% z  D+ e$ e! v
Statistical model是指說用此model模擬的結果可以fit量測的結果,也就是有點類似corner的概念  z( s" r9 F8 h* L' [8 O$ c6 S
mismatch model則只是針對製程上電流或電壓不匹配的key parameter像W,L,Vt來做變動,若是要模擬offset就該用此model
/ E* @5 S7 z6 p5 S+ w7 J2 |: ^0 H) S0 Q: i/ ?0 T4 ^
請問以上的見解是正確的嗎?謝謝
6#
發表於 2008-8-11 17:03:44 | 只看該作者
我沒有看過TSMC 0.18um中Statistical和Mismatch model,所以我不清楚它的SPICE model是如何定義的
; q; [- R/ g# M就以Monte Carlo來說,它有參數可以去設你的W,L,Vt...等參數可以有多大的變化量,同時又是以那種隨機亂數分佈變化,所以,在跑Monte Carlo時,你可以單獨指定某一顆MOS作變化,也可以全部一起作變化,同時,你也可以單獨指定變化W,或者變化L,或者只變化Vt參數/ O* T* l! V! D6 _0 s

: a7 x7 t* L% \而以Statistical和Mismatch model來說,統計的model,你要看它是針對那項參數作統計,是針對W,還是L,還是Vt,還是其他參數,它的變化量為何,這些在它的SPICE model上應該會註明才對,這些你應該花點時間去看一下SPICE model, c+ u5 ?* Y& @6 `9 v. j
而至於Mismatch model,這個model感覺是針對製程上的問題而作作的SPICE model,就以mismatch來說,可以區分為layout架構畫法的mismatch和製程上的mismatch,而layout上的mismatch是要看layout的畫法,所以,這個Mismatch model應該是TSMC針對它的機台所作的SPICE model,不過,如果它是針對TSMC的機台而作的SPICE model,那還要看你是TSMC那一廠的機台,因為不同廠區的mismatch也會不太一樣( d6 X& E0 Z& S& J+ }  p
一般來說,Statistical和Mismatch model的用法和定義在它的SPICE model上一定會註明它的用途和相關意函,建議你找一下TSMC所提供的document,裡面應該有明確的說明

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blueskyinair + 1 謝謝

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7#
發表於 2008-8-13 23:11:04 | 只看該作者
As I know, statistical model is for process variation and mismatch model is for device mismatching effect. For offset simulation, I think you should use mismatch model for investigation.

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blueskyinair + 3 THX!

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8#
發表於 2015-11-2 21:24:48 | 只看該作者
哎呀,這個都沒去跑
% Z1 C" V  `8 B" w" e# ~3 M  i. q我太偷懶了
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