Hspice mos電容或試 varactor的寫法?

bluecolin

小弟目前從事PLL相關的研究
. S& f2 N# x5 u/ g: Q, X1 M; N0 v而VCO部分有使用MOS的電容  之前使用的是一般的MOS B S D 接在一起
" k" p3 R. E% j$ v( z+ ]) l而教授希望我使用accumulation mode的MOS電容去做模擬

2 J5 J: m" G7 b) W+ @( e請問有沒有哪位高手寫過HSPICE中 accumulation mode MOS的??
或是一般的varactor的寫法~~
小弟完全找不到哪邊有這樣的語法.....手冊中也沒有看到
- a& m" [" p/ H' C
& j3 {5 N! q  b$ {# N希望各位大大不吝指教囉!!!!    萬分感謝

shaq

accumulation mode mos-cap 就是NMOS 長在  N-well中的 mos-cap

基本上要下 testkey 去 fitting  model。

hspice 中無法寫 accumulation mode mos-cap.

andyfan66

原帖由 bluecolin 於 2008-12-14 03:09 PM 發表
小弟目前從事PLL相關的研究
% P5 {2 h7 A3 ~  a而VCO部分有使用MOS的電容  之前使用的是一般的MOS B S D 接在一起
而教授希望我使用accumulation mode的MOS電容去做模擬
" g' n# g  X- p
請問有沒有哪位高手寫過HSPICE中 accumulation mode MOS的? ...

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1 [7 A" [( O3 M: q7 f% p5 |/ y我不知道你說的寫法是什么意思，是要自己寫一個MODEL嗎？

lin.weite

一般我們Layout在做電容,通常是用B=D=S Mode
' t4 m! }/ p; g- X" r, I/ T% u0 X& a如果要用Accumulation Mode
) |. D1 V9 R. Q9 E" E就是原本在N-Well內的PMOS換成NMOS
" ?% A8 J) f% |& j0 S也就是NMOS in N-Well,有些FAB廠會不允許
$ j  E& }2 k5 I至於Hspice寫法應該是用NMOS,而將原本P-Sub換成N-well

chungming

try this:
$ J" g3 J5 X1 ?http://www.designers-guide.org/Modeling/varactors.pdf