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IR推出兩款可配置雙相位PWM控制IC 適用於高效能同步降壓DC-DC轉換器

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1#
發表於 2007-7-19 14:09:52 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出兩款雙通道同步降壓控制IC，並為數據網絡、電腦運算及通訊系統適用的中至高電流負載點 (POL) 降壓轉換器加入了整合式高效能驅動器。/ Q' n3 f7 k( k7 n; _% D" m
) X4 Q2 j1 w1 u5 ?4 V6 z
新的IR3622MPbF及IR3622AMPbF能為支援在電流分享模式中的單組輸出作出配置，提供最大80安培電流，又或支援兩組獨立輸出。有關的獨立通道以180° 反相運作，並降低了對輸入電容的要求。在單組輸出模式中的輸出脈動電壓也顯著減少。: a, F6 p3 ~$ Q$ k6 B& Q2 Z, E; X
4 y2 E/ R, q- [. L: ?0 p  h
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「這些靈活兼功能豐富的IC帶來了更強的保護和配置能力，足以迎合現今高效能系統的設計要求。」
3 }7 g7 C7 z9 a  p: B* u' k
2 @: g3 Y/ f; t& q: C  O* z* Q' eIR3622MPbF以12伏單組輸入應用為目標，而IR3622AMPbF則能支援5伏和12伏的應用。它們的主要保護功能包括：可選擇斷續式或鎖存電流限制、預置偏壓啟動功能、熱斷電保護，以及欠壓和過壓保護。( Q" O7 d9 Z5 X5 k: t* Q4 E/ \( O
# q4 a% T( H& {: J
新元件的可編程開關頻率最高可達600kHz，以降低輸入和輸出濾波器要求，且盡量縮小外置濾波電容器的體積和數量，以及減少所需電感器數目。採用32腳MLPQ封裝的新IC擁有兩種獨立可編程軟起動功能，為系統層面起動所必需的不同配置，在系統層面上作出輸出電壓定序。
2 M1 n  \- m8 G
9 X9 M0 W: m$ B+ A& |5 BIR3622系列綜合了追蹤、定序、充許，以至能觸發跨越多個POL轉換器的輸出電壓上升之「電源良好」輸出功能，因而非常適合要求先進通電和省電追蹤，以及多軌定序的多軌應用。
4 d* U' G3 m- `2 ]
: ^6 s, {& a7 e8 Q新元件現在已開始供貨，並備有兩款參考設計，當中IRDC3622S為IR3622MPbF而設，IRDC3622D則配合IR3622AMPbF使用。新元件的基本規格如下：
元件編號

0 _* a0 d  F: o$ D4 H6 z1 [' c; {
封裝
- ?* y# e5 d% E  M* x
最高輸入電壓 (V)

5 O' b6 ?2 q' [8 r0 o, e
最低輸入電壓 (V)
1 U+ l" ?5 s, K6 L
最高輸出電壓 (V)

/ i6 E1 ^8 ]$ U
最高輸出電壓 (V)

, |7 @# j. t" m% Y- h
最大電流

7 k$ G! ?# u* `8 Y5 c5 o4 |9 a: g
(A)

8 r( f! u. v3 M# [: P) Z/ b
IR3622MPbF, u9 Q( a% ?. A
32L MLPQ7 x) Y( d# M  d+ J1 J/ W, `
14.5
+ ]  r3 e( @2 T, i1 ]		7.5% s" i. X5 b; {  n3 v) g) y
Vcc * 0.84* G# M) d. S9 A, ^
0.8/ Y1 q. m, F+ v: N& Y+ t
80& l  U1 a% {- W2 e( w
IR3622MTRPbF
2 f+ R' ]& q/ K* F+ A& Z		32L MLPQ  t2 R0 b4 z( I0 }' f3 D$ |8 v* d
14.5
4 \6 S  q# j' c		7.5) W- Y( Q7 o" p3 N* \
Vcc * 0.84
) T4 b2 t& O! C* T* m$ {		0.8% F) v+ B; `3 z& V7 l
80
, \$ m# O0 t" @8 I
IR3622AMPbF
2 u% _1 A2 x# r: a1 E0 e- m: T) y		32L MLPQ
" t/ v9 D3 h+ P) `, ]$ l$ [! a2 t: d/ t		14.52 h3 s4 I8 Q; l" F1 H& \$ s: t
4.5
* M; g. m: j0 O$ p5 T		Vcc * 0.84
6 R. `" z% i. g& D2 |) R( p		0.83 |) _% \3 K+ p! o9 W6 c
80
  f, `  v" _. W* `: A9 y8 q3 h
IR3622AMTRPbF3 `4 x5 }2 |7 \. T* a
32L MLPQ. T( b  a: i$ R- M
14.5& o6 ]4 A* Z* I! q
4.5
/ K  G, I) t' G! E		Vcc * 0.84
8 t' E' x& `) M5 ~5 v  N. a		0.8
% E3 L3 j  N4 e0 u1 b4 c3 N		80
5 {- W# [4 F) V2 ^- n2 _0 P

; S  S  h! |1 ?4 q3 [1 r" ~+ W' D5 C5 ^3 @5 H) I
關於美商國際整流器公司 (International Rectifier；IR)
' a6 b5 ~! d% e& R國際整流器公司 (NYSE：IRF) 是全球功率管理技術方面的領導廠商。IR的數位、類比和混合訊號IC、先進電路元件、集成功率系統及元件，可用來驅動高效能運算、減少馬達的能源損耗 (馬達是全球最大的電力消耗裝置)。世界上有不少著名的超級電腦、省電電器、照明設備、汽車、衛星系統、航太和國防系統製造商都倚靠IR的功率管理技術來設計其下一代產品。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站 www.irf.com。
6 n# b% {5 x0 ]+ @4 D7 ]- {: v# E" ~" C
; A/ [' e! m6 G5 G+ k
                      IR3622MPbF

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jiming
2#
發表於 2007-9-27 23:12:39 | 只看該作者

IR給予Infineon Technologies DirectFET封裝技術授權

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 與英飛凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布，後者將獲授權使用IR已取得專利的DirectFET先進功率管理封裝技術。$ T. L! [, Y9 c8 r9 b0 i0 C% X; [

% t1 j0 Z, k. G, G3 oDirectFET 功率封裝是業界首項於SO-8或更少的佔位面積，提供具效率上部散熱的表面粘著功率MOSFET封裝技術，專為電腦、筆記簿型電腦、電訊和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用而設計。相比標準塑料分立封裝，DirectFET的金屬容器結構提供雙面散熱功能，因而可把高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力，有效增加一倍。3 m& p: W, W" f# l0 @; |
9 b2 r) |7 o7 s* M, \
英飛凌將會把DirectFET功率封裝技術運用到旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3晶片技術上，並預計由2008年初開始提供採用DirectFET封裝的OptiMOS 2樣本。
) |# W( f3 T) q
, i& ~7 R' K: B$ M% UIR企業功率業務部副總裁Tim Phillips表示：「由於具備獨特的雙面散熱設計，IR的DirectFET封裝技術成為先進電腦運算、消費及通訊應用所樂於採用的解決方案，以減低能源損耗，同時亦減少設計佔位面積。」6 ^2 @) ]- c8 `. q4 `; n

* X  h% U5 b4 q; h8 c* ~' ^' E他補充說：「我們不斷為節省能源開發尖端技術，並透過授權協議，擴大 DirectFET這類創新技術在節能方面的影響力，以及進一步擴展我們在功率管理市場最主要領域的業務。」" J$ N' M" A5 G3 L4 O% R
9 w4 Z/ z2 v& S
英飛凌科技功率管理及驅動器業務部高級副總裁兼總經理Arunjai Mittal指出：「有了這項協議，英飛凌將繼續擴充旗下的功率半導體產品系列。把我們成功的OptiMOS晶片技術與不同封裝選擇結合，以適應廣泛的應用，使電源設計師可以為指定應用採用具備能源和成本效益的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3元件本身已擁有卓越的功能特性，現再加上能夠提供雙面散熱效能的封裝，將更加鞏固英飛凌在功率轉換市場的地位。」
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jiming
3#
發表於 2007-10-17 09:21:27 | 只看該作者

IR新款600V高壓IC融合多種保護功能

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新一代600V高壓IC (HVIC) 。這個IRS212x 600V單通道閘驅動器系列適用於低、中和高壓馬達控制應用以及不同電路拓撲，包括三相轉換器、H-橋，和其他採用MOS閘控功率元件的拓撲。
' t( ~- a' r5 C. Q2 D6 u1 F1 J/ l3 b4 q) _- A9 f" i8 \( A, P
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IR的IRS212x高壓IC系列具備全面的整合保護功能，包括對電源開關的過電流偵測，同時為非常緊密的8接腳佔位空間提供堅固可靠的方案。」
) M% \& p# G/ |3 a' Q5 B, _
% x6 C! f+ M, c, d  {- @IRS212x系列IC提供最高20V閘電壓，典型接通電流為290mA，而典型關閉電流則為600mA，並接受3.3V、5V和15V的輸入邏輯水平。其他整合保護功能包括欠壓閉鎖保護、過電流偵測保護，以及錯誤報告。
2 I2 z7 o7 w2 N7 T% x; V9 h( W
$ `2 E4 ?+ W9 Q; j新IC採用一項稱為G5 HVIC的先進高壓IC製程，以加添更多新功能和增強效能。新一代的高壓電平位移和終端技術，也可提供超卓的電力過應保護和更高的場可靠性。
, `$ ~/ K  X# g; u6 s# A8 j4 _6 [, W+ I) X, l# y
所有G5 HVIC已通過多項品質和可靠性測試，並且接受了長期的可靠性測試，確認堅固程度超越產品在個別應用環境下的預期可用壽命。這項認可要求元件通過數項應力測試，包括一項長達2,000小時的高溫偏壓測試。* m# g3 N/ A; P
! M0 g' _9 K2 F
此外，元件也受惠於矽技術和封裝的改良，使可靠性得以提升。先進的封裝設備和物料，例如近期改進了的封膠注入技術，能降低這些元件對濕度的敏感程度，並改善塑膠至晶片介面的溫度表現。最高的焊接溫度由於採用無鉛焊接物料而有所上升，使有關溫度表現成為重要考慮因素。 , l0 X4 |9 C$ Y8 S

8 p, m' w' b; T' ?$ x表面粘著SO-8封裝達到MSL2 (第二級濕度敏感度標準)，其餘所有表面粘著封裝則通過MSL3 (第三級濕度敏感度標準)。全部新HVIC皆為J-STD-020C標準認可，並符合IR的環保目標和政策。
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4#
發表於 2007-10-25 09:12:15 | 只看該作者

IR宣布管理層新任命

晉升業界翹楚Michael A. Briere博士為新任CTO，以及Paul Rolls為代理環球銷售高級副總裁
; ^( _7 B; l, r5 F; L5 h- D7 a1 D, y) m; n; w# E  F/ S8 b8 a
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布最新架構任命，為公司領導層帶來新氣象。今年45歲，先前擔任IR研究及開發行政副總裁的Michael A. Briere博士，獲公司委任為研究及開發行政副總裁暨 CTO。同樣為45歲的Paul Ross，則獲晉升為代理環球銷售高級副總裁。Briere 博士履新後將專責IR的技術和產品發展策略。1 y; S$ ]) Q6 k) e
5 l/ W6 x% k+ }! ^+ `
IR代理CEO Don Dancer表示：「我非常高興能夠得到受廣泛認同的業界翹楚Mike Briere，能擔任IR新一代產品開發和執行的先鋒。在這個過度期間，Mike已經充分顯示出其領導才華，以至他對IR的客戶和員工的專注。我深信憑其經驗、技術知識和創新態度，必定能繼續引領IR邁步向前。」
" E0 Q# \/ M* ]% S( M1 R
' `7 c& r; [5 I, \: \* IBriere博士於2003年加入IR，並於最近出任公司的研究及開發行政副總裁一職，負責統領一支為數250名工程師及科學家的隊伍，為IR進行各種研究和開發計劃。在此之前，Briere博士為公司的集成電路發展副總裁，負責IR就晶圓製程、元件設計，以及特性創造方面的環球研究和開發工作。他並帶領發展與使用於功率管理應用上的集成電路相關之電子設計自動化和測試技術。0 L6 Y) }6 V" n. }$ s- w# E$ v

1 G) i! A+ O; ]( O8 h/ E; W. _在加入IR之前，Briere博士為創新功率集成電路設計及系統開發和推廣商Picor Corporation的創辦人、總裁兼CEO。他在半導體業界擁有二十年經驗，歷任IBM、Hahn Meitner Institute of Berlin、Lawrence Livermore National Laboratory、Cherry Semiconductor以及安森美半導體公司不同職位。5 l! u, {/ P6 k

' w) W3 a' Y3 Y$ {7 aBriere博士持有伍斯特理工學院 (Worcester Polytechnic Institute) 電子工程理學士和物理學科學碩士學位，以及柏林技術大學固態物理學博士學位。他亦曾服務於國際電機電子工程師學會功率元件及集成電路小組委員會，與及功率半導體元件和集成電路國際研討會計劃委員會。他更曾是羅德島大學表面和薄膜中心的顧問委員，並同時擔任該大學的物理學兼任副教授。* U/ q1 B/ e: f, w7 y+ b

8 H. s, ]  Z% V' e& F9 Y與此同時，IR亦宣布另一項晉升任命，以鞏固公司銷售組織的領導層。早於1996年加入IR出任歐洲區服務總監的Paul Rolls，將負責統籌涵蓋IR所有直銷、分銷和代理銷售渠道的需求創造活動，建立並提升環球銷售團隊的表現，以及與策略合作夥伴和客戶締造更緊密聯盟關係。他將直接向公司的代理CEO Don Dancer匯報。在2000年，Rolls獲晉升為電子商貿及環球服務新業務發展副總裁，更於2006年再度晉升為美洲區銷售副總裁，使公司得以開拓更多新銷售渠道並增加銷售額。' W- R$ Q8 r2 a2 J( f. @8 T: P
8 m. ^6 b! p- V, Y" W* ]+ I
IR代理CEO Don Dancer表示：「Paul Rolls這次晉升不但實至名歸，更反映了我們不斷致力改善銷售組織，務求與客戶和合作夥伴加強聯繫。Paul在為客戶提供符合他們要求的高質素務和支援方面的國際經驗，對我們彌足珍貴。他這位經驗豐富的專家亦將擔任重要角色，協助推動公司向著我們的策略增長目標邁進。」4 L9 a; e6 }, B8 F% ]6 T
( `0 P* d; B' u) A! t
Rolls在加入IR之前，曾出任康柏電腦和Unisys公司在物料規劃方面的多個不同管理職位。
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5#
發表於 2007-11-30 15:45:19 | 只看該作者

IR全新SupIRBuck 整合式DC-DC 穩壓器系列

簡化嵌入式功率設計並縮少矽佔位面積多達70%   Z4 n- ?+ c# K

4 k5 ]1 H1 Y0 l& L2 L6 P) \全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出多功能、兼容廣闊輸入的單輸出同步降壓穩壓器，適用於高密度、高效能資料中心，以及消費性應用。 ' {3 Q6 b8 J5 F
. _& @- B# W  l
IR38xx SupIRBuck 負載點 (POL) 電壓穩壓器系列把IR已成標準的HEXFET溝道技術MOSFET及一個高效能同步降壓控制IC融合到只有5mm x 6mm的功率四方扁平無引腳（Power OFN) 封裝，使矽佔位面積較分立方案大幅減少70%，並較另一類選擇─單片式IC所能提供的全負載效率高出8%至10%。
% k+ Q7 m& f* ^
2 I: O5 _) b2 HIR台灣分公司總經理朱文義表示：「由於SupIRBuck具備獨特的可延展通用佔位面積，設計師可以輕易以『剪下後貼』的方式設計新產品，從而顯著減低風險，也可加快產品推出市場的時間。IR領導業界的XPhase和DirectFET多相位架構在增添SupIRBuck POL系列後，將讓我們能夠為包括企業伺服器在內的資料中心設備，提供最有效率及最全面的功率方案。」 " x" q3 v) j" m- [& n3 ^0 p- C
2 n& X5 o, m1 n
IR38xx乃為切換頻率在600kHz的4A、7A及12A輸出負載電流而設計，可在2.5V至21V這般廣闊的輸入電壓範圍下操作，並能提供低至0.6V的輸出電壓。通用功能包括預偏置起動、固定600kHz切換頻率、自動回復 (Hiccup) 電流限制保護、熱關閉，以及精確輸出電壓調節。其他功能選擇還包括電壓追蹤、可編程電源良好，以及300kHz切換頻率以提供額外2A的輸出電流能力。SupIRBuck系列的熱加強封裝採用纖薄的0.9mm設計，讓元件可粘貼在主機板背面，使裝置非常適用於受空間限制的高密度伺服器應用。
* [. p+ Q6 v) P3 P" O7 |7 c% M
# Y2 h7 A/ e' Z

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6#
 樓主| 發表於 2007-12-21 16:30:53 | 只看該作者
IR全新iPOWIR匯編區塊能節省空間
) \. K6 ^$ K% P# u) m; c& y: z並簡化高效率POL降壓轉換器設計
1 ~4 e4 M% ?# E
5 y  m3 k2 X& Z全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新產品iP1206，為包括電訊及網路器材在內的同步降壓應用，提供全面優化方案。 2 {3 n) \+ W" }7 ~8 O7 `' o, ]
6 J, x4 p$ ?+ v2 Q4 i: v
iP1206是iPOWIR整合式功率轉換級產品系列的最新產品，特別為高達30A 的雙相位單輸出應用或最高15A的雙獨立輸出而設計。這兩個選擇均採用了同步180° 反相運作，能夠減少輸入電流脈動和輸入電壓脈動。該器件由一枚優化功率級和一枚全功能脈衝寬度調變 (PWM) 控制IC組成，務求達致高功率密度。 2 s' Z/ u0 a3 w* d2 n  B+ z; f# Z
! C# Z/ `3 e. n' q3 `( a
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「iP1206就如其他所iPOWIR產品一樣設計容易，並可輕鬆複製多種電壓和功率軌。這是因為所有關鍵器件都已經整合在一起，只要增添數個外部被動式器件便可完成一個完善的負載點 (POL) 方案。」 ( Q: o% A4 M) n( K  g; q' m6 i; a# o
5 a$ b+ Z8 o$ R& d$ J
新產品的功能包括每個通道的切換頻率可高達600kHz 、非損耗式電流限制、過壓及過溫保護、預偏置起動、外部同步化、輸出電壓追蹤和排序。 ! h' a& A" S* p" X$ ?
! b. ^" p9 G. t0 y
產品基本規格如下：
元件編號
# Q& T( ]1 E+ n: f% H+ |9 J: A! M
封裝
最大/最少
輸入電壓 (V)
輸出電壓 (V)
每個通道最大IOUT
在雙相位模式下
最大IOUT
頻率
iP1206PBF
* ^! f% R* @) D8 |# Z% Q		LGA5 w3 q) Q! ^# E
7.5-14.57 r3 W* Y8 a. [5 F" j& j& o
0.8-5.5
3 y- e4 h0 V9 |* R		15A
6 R& j1 g9 J& r) c2 u		30A
: n2 s9 @) E  _) a8 w		最高600kHz
2 P9 d' u* _. D, \, N

3 A7 g+ m" U) y& d7 x* n8 g6 ]  N0 b/ C. j4 [) t- E4 \$ {
此外，可供運用的設計工具包括支援網路的iP1206 Spice電路模擬及IRDCiP1206-B這款每個通道為15A的雙輸出同步降壓轉換器參考設計。
* f" }5 ^& e: u* s1 j, u# o
3 @% j8 K% c% ?8 f關於iPOWIR
' Q5 S9 [% E$ riPOWIR整合功率轉換級產品系列提供更大的功率密度、更高的效率和更強的穩固性。該產品同時也可以透過較低的噪音，為最新一代的低壓數據處理帶來非常創新和具成本效益的方案，使功率供應設計可以縮小，並獲得簡化和優化。
2 k; {( V9 E+ e" Q0 L) `" {5 f& M# I1 b

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7#
發表於 2008-1-22 08:05:02 | 只看該作者

IR全新保護式三相600V IC為PFC或制動器提供額外通道 並具接地錯誤保護功能

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRS26302D。這款保護式600V三相閘驅動器IC具接地錯誤保護功能。它並為功率因素修正 (Power Factor Correction，簡稱PFC) 開關或變頻制動器提供第七條閘驅動通道，適用於中功率設備馬達控制以及其他許多通用三相反相應用。 ) O/ c; \, ^' U' ?" ^, Z+ b. k7 x

" W0 C- o0 e8 o  qIR台灣分公司總經理朱文義表示：「憑著為PFC或制動器而設的整合式啟動程式功能， 還有接地錯誤保護功能，我們最新的高壓IC非常適用於受空間限制的三相變頻器應用。作為我們最新一代HVIC的成員，這款精密的IC也提供多種保護功能，包括我們的負電壓免疫電路，來抵禦在大電流切換及短路情況下發生的極大負電壓瞬變。」
5 {" y+ T5 x8 z0 s3 u; L% {8 _& h2 P
IRS26302D把功率MOSFET/IGBT閘驅動器與三個高側及三個低側參考輸出通道整合在一起，在最高20V MOS閘驅動效能及最高600V運作下，提供200mA/300mA驅動電流。新產品另外還有一個為PFC開關或反向制動器而設的低側驅動器。 ) ~( G7 j& u& h0 P# b( F4 x
* I: Q* U/ S/ F4 g+ d/ N
這款IC具備接地錯誤保護，這對工業系統保持耐用性和可靠性十分重要。它並加入了能夠防止系統在大電流切換或短路情况下出現災難性耗損的負電壓免疫電路，以及整合了先進的輸入濾波器來抑制噪聲並减少失真，從而提高許多馬達控制應用中的系統性能。 6 A6 n/ |. J* e  N

0 T- `# _& D' Y6 d& u/ v爲了迎合應用受空間限制，但又希望能夠簡化設計的需求，IRS26302D提供整合式的啟動程式功能。這項功能可以把啟動電源元件從6個减少到3個，同時透過使用額外的整合智能保護電路爲系統提供VBS過壓保護。 & K+ I, H1 ~. T/ l% @* c( p" K

( {( [9 e$ i4 K' U. k3 O作為IR G5 HVIC平台的成員，新IC採用了IR的先進高壓IC製程，加入新一代的高壓電平位移和終端技術，提供超卓的電力過應保護和更高的場可靠性。新 IC除了有過流、過溫檢測輸入等功能，還具有欠壓鎖定保護、整合停滯時間保護、擊穿保護、關斷輸入、錯誤報告等功能，並能與 3.3V輸入邏輯兼容。
6 G* a$ Z1 C+ f4 r, r: l9 o, g- i) t
產品基本規格如下：- ?- E4 j$ A4 q: c, I
元件編號 [td]
偏移電壓
[td]
輸出電壓
[td]
Io+ /Io- (典型)
[td]
停滯時間(典型)
IRS26302DJPbF [td]600V [td]10V – 20V [td]200mA / 350mA [td]290ns
9 H: W5 x* N$ |0 Z+ G  [! ?# b/ l4 L
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。- z$ O/ o" V4 _1 h( I

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jiming
8#
發表於 2008-3-6 12:01:49 | 只看該作者

IR最新iP2005A以縮小了40%的封裝 同時降低功率耗損和EMI

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出iP2005A全面優化功率級解決方案，適用於為遊戲、電腦運算和通訊應用而設的高電流同步降壓多相位轉換器。
5 Z% V$ L4 B6 s, s  I+ O
- x% C0 P& P' E$ C- @這款iP2005A的體積較前一代的元件小百分之四十，但能夠提供高達1.5MHz的效率作業，讓設計人員可透過盡量減少輸出電容器和電感器的數值，進一步減少佔板面積。iP2005A乃為非常低的EMI而優化，避免了在消費者遊戲機等對EMI敏感的設計使用外部緩衝電路。憑藉減省外部緩衝電路的需要，iP2005A的每相位功率耗損，較要求一個2.2Ohms的外部電阻器和10nF的電容器緩衝電路配合的前一代元件，節省高達2.3W。 ; Z6 h9 p1 b( v
* n4 M- F4 }# F, L4 ^' ]7 y
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「由於體積小了40%，iP2005A成為一款能提供高效能的微型系統功率模塊。同時基於其高度整合性，這款元件也顯著節省空間且能簡化設計。」
9 l+ a8 G. K% i  H! @; T
# r" ]- c+ _: t8 y每個iP2005A building block採用7.7mm x 7.7mm x 1.7mm LGA封裝，能於0.8V至5.5V的輸出範圍提供最高40A的電流。多相位系統如使用這些building block，一個業界標準的四相位控制器便能達致最高160A的電流。除了一個外部PWM控制器之外，每相位僅需要輸入和輸出電容器，以及一個輸出電感器來配合。     t1 f. F: w2 y3 t2 r
) T2 j. x0 t' P, k
產品基本規格如下：
% ?; Z3 J% T* H$ G! c4 y; ?5 }
件編號 [td]
封裝
[td]
輸入電壓
6 m+ i! H( N6 o8 t$ ~9 h. k& p: R(V)
[td]
輸出電壓 (V)
[td]
輸出電流 (A)
[td]
最高頻率 (MHz)
iP2005A [td]
7.7mm x 7.7mm x 1.7mm LGA
[td]
6.5 -13.2
[td]
0.8 - 5.5
[td]
40A
[td]
1.5

" b& R- `9 c; g5 @+ ]0 V  s7 }" }9 {' {+ B
新產品現已接受批量訂單。配備iP2005A元件的IRDCiP2005A-A參考設計亦已推出。 ) x, L  ~7 Q+ d7 M* H
6 z9 {/ A& a+ L$ Q2 \& E0 h
關於iPOWIR
. R2 A: [  K4 [) K/ _0 UiPOWIR整合功率轉換級產品系列提供更大的功率密度、更高的效率和更強的穩固性。該產品同時也可以透過較低的噪音，為採用單相位及多相位拓樸的最新一代低壓數據處理元件帶來非常創新和具成本效益的方案，使功率供應設計可以縮小，並獲得簡化和優化。IR在功率元件和驅動器協同設計方面的專長，以及創新封裝的悠久歷史，帶來了這種優化多功能元件，成功把多種功率半導體、集成電路和被動元件整合到改善了溫度特性的單一封裝。
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jiming
9#
發表於 2008-3-7 12:48:04 | 只看該作者

IR推出600V溝道IGBT 在UPS和太陽能轉換器應用中減少功耗達30%

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出600V絕緣柵雙極電晶體 (IGBT) 系列，能夠在最高3kW的不斷電系統 (UPS) 及太陽能轉換器，減少高達30%的功率耗損。
1 e& E1 L7 H4 A, N
" s) |, X7 C* _3 @( z2 w1 c這款新特定應用元件利用IR最新一代的場終止溝道技術降低傳導和開關損耗，並為低短路要求的20kHZ開關作出優化，提升UPS和太陽能轉換器應用的功率轉換效率。 1 y! N! q% k% q! H6 c: E) b9 C
5 x6 A) G8 j+ A
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「傳統來說，每當IGBT元件應用於UPS和太陽能轉換器所使用的頻率時就會出現極大的開關損耗。IR新推出的溝道IGBT元件結合了較低的開關能量和低傳導耗損。這些較低的耗損可以為終端用家提升效率、縮少設備單元的體積，以及節省發電的成本。」
- K, W2 y! |- U$ D. v. o% B. H+ d* Y0 s( ~
與超快速軟恢復二極管封裝在一起的新IGBT系列，較穿透型(PT) 和非穿透型 (NPT) IGBT 擁有較低的集電極到發射極飽和電壓(VCE(on)) 及總的開關能源量 (ETS) 。此外，內置超快速軟恢復二極管也能提升效率且減低EMI。   
& o( M( ?- {% ^7 [/ T7 @4 ~" }+ w+ q. b+ x3 L  c& j( E
產品基本規格如下：
$ e/ z- o/ c, F5 _
元件編號8 O: _# a' M5 c4 I8 \" S2 }- P
封裝類型
電壓
額定電流
Tcase = 100oC
VGE = 15V
Vce (on)
* z8 s9 t) v/ N6 f
於額定電流的ETS
Tj = 175oC
IRGB4059DPbF
) o& y( E! h4 Z* |+ B* T
TO-220
600
4.0
2.20
210
IRGB4045DPbF
% [8 e2 S/ B% ]: ]9 e
TO-220
600
6.0
2.14
329
IRGB4060DPbF
1 q! Z+ U6 C  v+ N
TO-220
600
8.0
1.95
405
IRGB4064DPbF9 k6 c# v- R+ I( F" ^+ F  ]) B
TO-220
600
10.0
2.00
415
IRGB4063DPbF2 {  b! _3 |2 K5 c% k% [7 F
TO-247
600
48.0
2.10
3210
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jiming
10#
發表於 2008-3-15 10:56:38 | 只看該作者

IR最新IR3502 Xphase控制IC提供 基於Intel VR11.0和VR11.1處理器的高度靈活功率方案

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 為Intel VR11.0和VR11.1處理器推出IR3502 XPhase控制IC。 & ?% Y& W7 Q% Y
8 v; i$ l' Z3 Q5 e# U
這款IR3502能夠為任何數目的IR XPhase相位IC提供整體系統控制和介面，而每夥XPhase相位IC可各自驅動並監察單一相位。IR3502的主要功能包括提供0.5%整體系統設定值精確度和數菊鏈式數位相位定時，使不需外部元件的情況下，也能達致準確的相位交錯。與IR3507相位IC結合，IR3502及IR3507晶片組提供功率級指示器 (PSI) 效能，以改善穩壓模組 (VRM) 輕負載效率。 4 |, q8 K$ i1 _* @& l
7 o7 m$ t. C9 p& x' ^; R
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IR3502的體積僅為採用7mm x 7mm MLP封裝的傳統六相位控制IC的一半。跟傳統多相位架構相比，與IR3507相位IC和DirectFET MOSFET作協同設計的XPhase晶片組能提供較高的功率密度，使電源可以變得更小、更平宜及更易於設計。」 ' L9 {& C6 I0 w2 ?+ g" A' R1 y) Q

5 D4 C9 K  ?8 `IR3502包括一系統保護功能以及高度可編程能力，例如能夠把時鐘振盪器頻率由250kHz改編為9MHz，從而把每相位切換頻率由250kHz提高至1.5Mhz。新產品更在擁有30MHz闊頻寛和10V/us快速轉換率的高速錯誤放大器之外，還提供可編程動態VID轉換率及可編程VID偏移或無偏移。IR3502也改善了浮動效能，有助減省外部熱敏電阻的需要。 1 ?8 K3 P6 s# q# L: S8 V

: e/ u; o2 @7 ~+ u5 ^* z/ z* ?& j產品基本規格如下：
% \- A- ]/ e, Y* ]5 O- C
元件編號: {4 P: b$ o/ i$ ~7 }1 r
封裝
偏置供應電壓
系統設定值精確度
切換頻率
IR3502MPBF
32L 5x5 MLPQ
+6.8V +/- 3.4%
+/- 0.5%
250kHz – 1.5MHz

7 p% x# f6 n" [$ b
1 g2 H" M; H* y' `# _4 K
元件編號
封裝
PSI效能
切換頻率
最大VccL
IR3507MPBF20L 4x4mm MLPQ
有
250kHz – 1.5MHz
8V
2 i9 l$ y5 M! E2 H/ t- w  s( I/ p
. p6 Y$ q8 S( m" Y7 v" R& ~
元件編號
封裝
+ L7 _$ c2 J4 Q+ j
漏極
+ P1 `- x7 J$ ^. [額定值 / U+ f% I2 `3 i) p8 Y; A6 Q: F2 G
(V) 		門額定值(V)
9 V: O) `. ~/ l2 o2 i2 d		最大Rdson@10V / D7 w4 `; U1 C% O7 U* g$ N
(mOhm) 		最大Rdson@4.5V
+ q7 K( }+ S% M(mOhm)
% _7 l3 L; Y( N6 w1 H5 Z. `' u: K		典型Qg (nC)
% O$ [0 l4 _( z9 T4 M
IRF6721SPBFDirectFET25 20 4.9 8.7 12
IRF6721MPBFDirectFET 25 20 2.1 3.4 29
IRF6715MPBFDirectFET25 20 1.6 2.7 40
新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，並已接受批量訂單。 . P" M+ F0 l% h7 m

5 n/ g0 p- \9 D* \( G* ^/ y+ G: G+ L關於XPhase
- j8 R1 M) m6 K: C) n: CXPhase是IR的分佈式多相位結構，當中包含以簡單6線式匯流排電路溝通的控制IC和相位IC，毋須改動基本設計也可隨時增減相位。6線式匯流排包含3線數位相位定時匯流排、平均電流、錯誤放大器輸出和VID電壓。透過省去控制和相位IC之間的點對點導線，6線式匯流排能夠縮短互連，減少寄生電感和雜訊，從而簡化PCB設計，實現更穩健的設計。
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11#
發表於 2008-4-9 09:08:27 | 只看該作者

IR委任Michael Barrow為執行副總裁及COO

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布委任Michael Barrow為執行副總裁及COO，新任命由2008年4月14日起生效。現年53歲的Barrow先生將致力推行策略，以建立世界級的製造機構，並直接向IR的總裁及CEO Oleg Khaykin匯報。 4 U& q0 p8 A& |; i; a1 M+ }" W

/ ]$ Z$ [6 V5 W9 `1 V& T+ }曾服務Amkor Technology及英特爾公司的Barrow先生為IR帶來30年的半導體和營運領導經驗。他離開Amkor前為該公司覆晶及晶圓級封裝業務部的高級副總裁和總經理，專責制定策略方向和業務增長。在任職Amkor前，Barrow先生於英特爾公司任職了12年，最終更獲晉升為英特爾通訊部的技術總經理以及晶片組部的技術經理。Barrow先生也曾服務Unisys長達11年，備受公司重視，責任日重。他的事業發展則以作為Electro Pacific公司的功率設計工程師為起點。 - s2 v  d- b! a3 {
1 o( G+ Q0 k: g: Z0 e
IR總裁及CEO Oleg Khaykin表示：「我們非常高興能夠獲得Michael Barrow加盟IR的管理團隊。我非常有信心其在工程技術和製造生產的豐富經驗將大大加強我們管理團隊的實力，讓我們能夠順理推行策略，使IR分布世界各地的製造設施有更卓越的營運。Michael過去在精益製造方面有出色的成就，屢能改善營運衡量機制、節省成本和建立成功的團隊。」 5 o" C6 U5 Q7 K1 I
! G' ~! n2 P7 p* n
獲委任新職的Michael Barrow欣言道：「我對能夠加入IR，協助使原有的鞏固基礎更上層樓感到雀躍萬分。我熱切期待可與充滿才華的團隊攜手，共同促進製造流程效率，並且符合甚至超越我們珍貴客戶的要求。」
9 C+ C4 {7 k5 k; n3 c/ w# G  b% }0 u8 o* M$ D8 {2 P1 q
Barrow先生擁有南非德班Natal Technikon技術學院的BSEE / BSME學位。
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jiming
12#
發表於 2008-5-28 09:34:48 | 只看該作者

IR全新30V DirectFET MOSFET系列為同步降壓轉換器設計帶來更高效能和電流密度

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記簿型電腦、伺服器CPU電源、圖像，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
/ L( h( X( Q( h' \# D  B; I& x7 ?6 F: u- U  }
新元件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，較標準SO-8元件的佔位面積少40%，更採用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (RDS(on)) 非常低，也同時把閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) 減至最少，並以極低的封裝電感來減少傳導與開關損耗。
& f" I6 ~# W9 _8 i% s5 k* m& Z. S
7 A- ]! o9 ^6 t3 x  W7 k/ ], V3 AIR台灣分公司總經理朱文義表示：「憑著我們作為業界標準的功率MOSFET矽元件和DirectFET封裝，新的30V元件擁有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd，為全部負載提高效率與溫度效能。這讓操作可達致每相位25A，同時又可以維持單一控制和單一同步MOSFET的小巧體積。」# a' J/ ^/ s- b; E4 P

) I0 z- l  t) D1 l* jIRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M的特點是擁有極低的RDS(on)，使它們十分適合高電流同步MOSFET。這些新元件與上一代元件採用通用的MT和MX佔位面積，所以當有應用須要提高電流水平或改善溫度效能時，能輕易由舊元件邁向使用新元件。
$ M4 H* _. Z: k$ Y- G1 O; `5 |7 g( u2 s3 l
IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M的極低Qg和Qgd，則讓這些元件非常適用於控制MOSFET。它們並備有SQ、ST和MP佔位面積選擇，使設計可以更具靈活性。
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jiming
13#
發表於 2008-7-16 08:53:50 | 只看該作者

IR推出25V DirectFET晶片組 特別為高頻和高效率DC-DC應用作優化

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點 (POL) 轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。
4 ?$ @3 M2 F$ {6 B8 s
, U: [( e1 v* X) \6 ~# P新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻 (RDS(on)) 非常低，也同時具備極低的閘電荷 (Qg) 和閘漏極電荷 (Qgd) ，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。
. A" P5 L, a7 w" z9 A( }# M( m" E: F7 Y; Z* v+ S: x5 H0 B& P
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6710S2控制MOSFET擁有極低的閘電阻及電荷，而且，當與IRF6795M和IRF6797M這些包含整合式蕭特基 (Schottky) 整流器的同步MOSFET作協同設計時，能夠為高頻、高效率DC-DC轉換器提供解決方案，讓整個負載範圍也可以發揮卓越性能。」 4 O* N3 U6 H& b4 t/ B! i3 z

6 T! L* \, u( N. P) ~2 S+ Q! i5 ~* vIRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷 (Qgd) ，則可大幅減低開關損耗，使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。
1 w, K/ ]8 q' h) e! B9 B: g2 Y
- ]2 k1 A- y) \3 @IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗，這些新元件就能顯著減少傳導損耗，所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積，因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。
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14#
發表於 2008-7-25 08:38:04 | 只看該作者

IR SupIRBuck整合式穩壓器系列成為 EDN China 2008年度創新獎最終入圍候選產品

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 旗下，為數據中心及消費性應用而設的SupIRBuck整合式穩壓器系列，獲選為EDN China 2008年度創新大獎電源器件與模塊類別的最終入圍候選產品。
5 w) Z; X# W( _, u9 O7 M9 B
- E! A  i* ?0 Z, DSupIRBuck把IR高效能的控制IC，配合已成業界指標的HEXFET MOSFET作出優化，並融合到只有5mm x 6mm的功率四方扁平無引腳封裝，使佔位面積較分立方案減少多達70%。SupIRBuck IR381x和IR382x系列中的9款元件為包括企業伺服器在內的數據中心應用提供高效率功率方案，並較另一類選擇─單片式IC所能提供的全負載效率高出8%至10%。同時，SupIRBuck IR 380x系列中的6款元件，全為電流高達14A的消費性嵌入式負載點 (POL) 而設計，更因應高效能、要求成本效益的消費性應用，包括遊戲機、桌上型電腦、圖像卡、機頂盒，以及LCD電視而作出了優化。 5 F3 C7 C5 W* ^/ V) R. X# N
& r& ^& d8 |0 T
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「我們對EDN China編輯人員選出SupIRBuck為今年大獎的最終入圍候選產品非常高興。憑藉SupIRBuck方案的高度整合性和獨特性，還有可延展的通用佔位面積，設計師能夠簡化設計，從而顯著減低風險，也可以加快產品推出市場的時間、節省大量空間及能耗。」
& U7 q  w) X) T
' ?8 s6 C; _# H- G5 L: T9 ?, I6 GSupIRBuck穩壓器系列乃分別為於600kHz頻率下的4A、7A及12A輸出負載電流，以及在300kHz頻率下的6A、9A和14A輸出負載電流而設計。其主要功能包括2.5V至21V的廣闊輸入電壓範圍、0.6V至12V的輸出電壓，以及預偏置起動、兩個固定切換頻率選擇、自動回復 (Hiccup) 電流限制保護、熱關閉和精確輸出電壓調節功能。SupIRBuck系列的熱加強封裝採用纖薄的0.9mm設計，讓元件可粘貼在主機板背面，為高密度應用節省更多空間。 . b% S1 m2 r. i7 E" |3 R/ {

5 K, [/ F' W! D1 i; W. b! w由行業專家和EDN China技術編輯組成的評委會已選出了今年創新大獎的最後入圍名單。由2008年7月11日至9月10日，讀者將可到EDN China網站 (http://award.ednchina.com) 進行網上投票。最終得獎者將於11月6日在大陸深圳舉行的EDN China頒獎典禮上公布，並加以表揚。 + C0 \  W/ ?# x% `4 P* R" N
1 D3 J/ v1 |( P; W
權威電子設計雜誌EDN隸屬於電子業最具規模的環球資訊供應商Reed Electronics Group。有關詳情，請瀏覽www.edn.com。
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15#
發表於 2008-7-28 14:15:02 | 只看該作者

IR推出25V DirectFET晶片組 優化高頻和高效率DC-DC應用

全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點(POL)轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。" {) m; y; m4 Y7 t
- h! s7 r7 P. N3 B3 ]
新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻(RDS(on)) 非常低，也同時具備極低的閘電荷(Qg)和閘漏極電荷(Qgd)，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。
4 o5 }" o# h5 Z: s) N/ y8 O
3 E& _! y$ T* h: l& q. @IRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷(Qgd)，則可大幅減低開關損耗，使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗，這些新元件就能顯著減少傳導損耗，所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積，因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。
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16#
發表於 2008-9-20 10:42:16 | 只看該作者

IR 推出革命性GaN功率元件技術平台

專有矽上GaN磊晶和功率元件技術引領功率轉換新時代   v& o6 w$ t3 l' o$ j4 G7 I# X

" b1 x+ A8 w+ q. ~9 B4 L9 w全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布成功開發革命性氮化鎵 (GaN) 功率元件技術平台，能為客戶改進主要特定應用的優值 (FOM) ，使其較先進矽技術平台提升最多十分之一 ，讓客戶在適用於運算及通訊、汽車和家電等不同市場的終端應用能夠顯著提升效能，並減少能源消耗。 3 J4 I1 \( n2 v
9 h3 l! f- X* B5 P
這款開創先河的GaN功率元件技術平台，是IR經過5年的時間，基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發研究的成果。 - h# v5 y" b; a& @7 R' o

/ U. ~0 @8 Q) V5 D; e  b- rIR的GaN功率元件技術平台為功率轉換解決方案帶來革命性的改進。這項研究因有效引進IR 60年來在不同應用，包括AC-DC功率轉換、DC-DC功率轉換、馬達驅動、照明、高密度音效與汽車系統等功率轉換方面的專業知識，使系統方案產品陣營和相關的智慧財產 (IP) 遠超出先進的分立功率元件。 / \7 h4 N/ B% ?' V

" G( S  \# c6 z" G& |7 g0 D& ~$ t- \這款高吞吐量的150mm矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序，能全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合，為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。
; y7 E& {( R  x$ j5 h
& i2 v5 O% o; i( @7 K5 j2 _& k IR總裁及CEO Oleg Khaykin表示：「這種尖端的GaN技術平台和IP陣營，延續了IR於功率半導體元件的領導地位，並且引領功率轉換進入新時代。這種發展正好與我們致力協助客戶節省能源的核心使命一脈相承。我們相信這款新元件技術平台將會深深影響功率轉換市場，就如30多年前IR推出功率HEXFET時一樣。」 , O. y$ s6 H3 {

& t7 U( O; y+ F7 Q  p: FIR將會於2008年11月11至14日在德國慕尼黑舉行的Electronica展覽會上，向業界領先的OEM客戶展示數款嶄新GaN產品平台的原型。
# n$ N( L: B7 [# G: U" j+ S2 g2 @. U9 C2 u
Khaykin續說：「我們相信這些平台的先驅採用者，將是那些能夠全面從革命性價值體現能力得益的市場領域和應用範疇，使它們由此獲得重要功率密度、功率轉換效率和成本功能的充分效益。」
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17#
發表於 2008-12-22 15:18:17 | 只看該作者

IR全新基準MOSFET提升60%封裝電流額定值

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR）推出具備高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列，適用於工業用電池、電源、高功率DC馬達及電動工具。5 F9 O  _# n% s- Q1 Q& }; A* n
1 g' ?4 m" A) `+ D) `/ z& a+ x- z
新元件的封裝電流額定值達到195A，較典型封裝電流額定值高出60%。新MOSFET並比先前的產品有更佳的導通電阻 （RDS（on）），以及提供普及的TO-220、D2PAK和TO-262封裝。此外，7 接腳D2PAK封裝的封裝電流額定值達到240A的卓越水平，使它成為市場上最穩固的黏貼封裝之一。這種7接腳D2PAK封裝更比D2PAK進一步降低RDS （on）。   J5 m( ]9 S7 X* a: O
/ n2 U" b; B) b' u
IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「這些封裝提供的更高電流額定值有助從不需要的暫態提供更多防護頻帶，且能讓有數枚MOSFET分享高電流的平行型拓樸可以減少元件數目。」# h% X; [) X3 f# B, q: X/ c& e
- p; }, G' W$ W3 U& I5 ?
全新N通道MOSFET系列提供60V至200V電壓，並達到工業級別及MSL1標準。新元件均不含鉛及符合電子產品有害物質管制指令 （RoHS）。
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18#
 樓主| 發表於 2009-3-6 16:41:05 | 只看該作者
IR第二代SupIRBuck 整合式穩壓器帶來基準效率
並顯著縮小系統體積
3 h8 Q& N0 S5 j7 H, g
全球功率半導體和管理方案領導廠商─國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出第二代（Gen2）SupIRBuck整合式負載點（POL）穩壓器，適用於節能高效的伺服器、儲存系統和網路通訊應用。
& Z3 v( m7 R/ s
# s# P1 y/ P7 S& y- t/ x: _這個功能非常多元化的Gen2 SupIRBuck系列配備IR最先進的控制IC、MOSFET和封裝整合技術，提供4A、8A及12A輸出電流，並在整個負載範圍維持基準效率。雖然新元件是為12V輸入電壓優化，但於9.6V、5V或3.3V輸入電壓的應用仍能達致超卓效率。
% ^# Z, n" R. e# [ 6 [* z1 e- c  L7 y1 V" v/ P' V
新元件提供高達1.5MHz的高轉換頻率，因而可採用較細小的電感器和較少數量的輸出電容器。特別為資料中心應用而設計的Gen2 SupIRBuck元件備有多種功能，可以顯著簡化整個系統的複雜性和體積。SupIRBuck的卓越效率和溫度特性，使該系列毋需散熱器也能在無氣流的環境中提供全電流額定值，甚至讓元件可裝貼在主機板背面來節省更多空間。) ]' H  a4 t8 `1 `. C6 f; Y

7 _1 Q; h! a; m9 P# UIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的Gen2 SupIRBuck系列提供超過96%的基準峰值效率，節省更多能源，使系統更可靠，並以非常高的轉換頻率大幅縮小整體系統體積。此外，這些元件的可延展通用面積能夠提供高度靈活性，能適應不斷轉變的輸出電流要求，使設計師能夠在空間受到限制的高效能應用中，採用這種易於應用的低風險方案。」
0 Y! M2 Q1 a6 m3 d6 S$ k0 c
! ]) o  W4 h" \2 S7 }7 d他補充：「IR成功於2007年12月推出第一代（Gen1）SupIRBuck系列，並以Gen2 SupIRBuck系列進一步擴展IR負載點產品陣營。我們的Gen2系列回應了客戶的訴求，並尊守我們產品發展藍圖的承諾，提供更高能源效益和顯著縮小整體方案的體積。」
# h/ Z& _! `! I5 B$ I! e 4 K. Y) H% F4 c) ^( }$ V* ]- B. m
Gen2 SupIRBuck整合式穩壓器系列以通用5mm x 6mm佔位面積，於1.5MHz轉換頻率以及4A、8A和12A輸出負載電流下操作，廣闊的輸入電壓範圍由1.5V至高達16V（5V偏壓），輸出電壓亦由0.7V至90%輸入電壓。與其他整合式方案不同，SupIRBuck是一種管腳兼容方案，讓電流容易得以提升。其他主要功能包括過電流及過熱保護、可編程轉換頻率、具有輸入電壓監察功能的啟動輸入、自動回復（Hiccup）電流限制保護、軟啟動、電源正常輸出，以及先進預偏置啟動、精確度為1%的0.7V參考電壓、定序，還有為DDR記憶體追蹤而設的特定元件。
1 A- g7 ?9 L( C4 `7 L
, e+ B7 `/ h  O( G: j! b產品基本規格：( N  D" @5 _7 e( x8 v1 L4 d
3 h' b8 {( v/ M4 [
IR383x 及IR384x SupIRBuck整合式穩壓器
% \6 b! o9 V. V/ K  v9 Z& g
元件編號* J7 g6 ?0 O/ |. f- E
輸入電壓(V)
輸出電壓(V)
輸出電流 (A)
轉換頻率 (kHz)
特別功能
IR3831MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
8
250KHz - 1.5MHz
DDR追蹤
IR3840MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
12
250KHz - 1.5MHz
SEQ輸入
IR3841MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
8
250KHz - 1.5MHz
SEQ輸入
IR3842MPbF
1.5 - 16
0.7 - 0.9Vin
4
250KHz - 1.5MHz
SEQ輸入
! v* C, ^9 G$ }5 I6 a1 ]9 `
IRDC383xx及IR384x參考設計: r1 }  Y2 i  ^2 f9 r
元件編號) I# o9 Q: u! B
輸入電壓 (V)
輸出電壓(V)
總電流 (A)
轉換頻率 (kHz)
特別功能
IRDC3831
12
0.75
8
400KHz
DDR追蹤
IRDC3840
12
1.8
12
600KHz
SEQ輸入
IRDC3841
12
1.8
8
600KHz
SEQ輸入
IRDC3842
12
1.8
4
600KHz
SEQ輸入

* J2 j- B" V$ J: X6 Y8 F新元件現已接受批量訂單。所有新元件皆不含鉛和滷素，並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。產品詳細資料可瀏覽IR網頁www.irf.com。" Q* G( T6 c. [: X7 q  i1 r& u

3 D6 f& `4 k9 d/ ~: _關於SupIRBuck; o) }* Z/ Y; o8 M3 ~# u
創新的SupIRBuck的多元化廣闊輸入、單輸出整合式負載點（POL）DC-DC穩壓器系列，把IR基準HEXFET MOSFET及高效能同步降壓控制IC融合到只有5mm x 6mm、採用0.9mm纖薄設計的Power QFN封裝。SupIRBuck以獨特的可延展通用佔位面積，帶來一個易於部署、靈活、精密、具成本效益，以及高效能的POL方案。
0 |, L% M& o0 t7 [
0 m- l1 Q  n1 D9 `9 {

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19#
 樓主| 發表於 2009-3-30 16:30:01 | 只看該作者
IR全新IR3725輸入功率監控器IC配備數位介面
為節能DC-DC轉換器提供卓越系統精確度

/ a: ^3 a4 v  X; e5 b0 ?  b5 d) }1 i
全球功率半導體和管理方案領導廠商－國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IR3725輸入功率監控器IC。新元件配備數位I²C介面，適用於節能型中央處理器、伺服器及儲存應用所採用的低電壓DC－DC轉換器。! R3 u: r: `  A/ x1 G5 v

$ y# M: @, u3 [) dIR3725是為12V電源而設的多功能輸入功率、電壓和電流監控器IC。它採用待批專利的TruePower™技術，在串行數位介面上於特定區間輸出平均功率，不像同類解決方案般需要依賴昂貴的A/D轉換器來量度系統的功率。系統控制器以新元件提供的資料，體現最佳化的整體功率消耗，達到1％的基準電流精確度。  @8 C$ ^0 G( O; F; m. I# k, [

: m) H& f0 F: qIR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「其他同類解決方案皆要求昂貴的A/D轉換器，反觀擁有TruePower™技術的IR3725卻是一種易於部署和配置的獨立IC，能夠精確量度功率，體現最理想的整體功率消耗，同時也顯著減低總系統成本。」2 S: ?0 ^/ Q, j8 B
) u: h' r0 |$ P) V6 ]
IR3725的電壓準確度達到1.5％，讓設計工程師可選擇使用電阻感測，或具備內建熱補償功能的電感DCR電流感測來達到高效率，並且減少元件數目和縮小電路板體積。
: F) K! T) P) z9 H) D* i& @ 9 ]- p6 P- R8 g9 g( u7 H1 l
產品的基本規格：
' R3 l* }$ K& y6 G
8 i8 @9 d. U! t( y, G  l
元件編號0 o5 S  Q! A; W( o
電流
精確度
輸入電壓範圍
電壓
精確度
偏置供應電壓
作業溫度
封裝
IR3725M0 J6 q% n1 @" Y3 ~7 }" G& A+ G. Y$ e* X" }
1.0%
0 S( {0 h/ h- F) Y5 x, X		8V – 23.5V
  B& W8 r; ]+ R8 w% s		1.5%# S" G; V; I; I* A8 |% r
+3.3V ± 5%
/ ^+ R# I$ o3 ~# O; J0 u		-10°C 至 150°C
5 G+ a" E, P5 r& `* W		12引腳3x4mm DFN# m- N  M3 i- a7 S

' W, d/ e  ]- e" K+ ~7 ^% ]5 y  eIR3725採用12 引腳型DFN無鉛封裝，並且已接受批量訂單。IR可因應要求提供評估板。新元件符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。
/ n5 I" i7 {7 y1 q( }: q4 b) o* r; ~3 Q! J

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20#
發表於 2009-4-24 07:46:31 | 只看該作者

新一代高壓電平轉換和端接技術

IR新型200V IC適用於動力系統及電池管理應用
7 R7 ^8 b1 d' T  A9 T, B & v4 G5 K. p$ q' B$ o; W' M
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出AUIRS4427S雙低側驅動器IC，適用於低、中、高壓汽車應用，包括通用馬達驅動器、汽車用DC-DC轉換器，以及混合動力系統驅動器。
! I! J$ i' I* Y; B' v; v# b" k9 N3 {$ u
AUIRS4427S是一款低壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器，符合AEC-Q100標準。這些輸出驅動器擁有高脈衝電流緩衝級，為兩個通道帶來最少的驅動器交叉傳導和配對傳播延遲。新元件備有負電壓尖峰免疫性，可防止系統在大電流切換和短路情況下受到損毀。
0 s3 q# i4 |) C4 J* z
. T' a0 h& b* }- G# v3 @IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「AUIRS4427S憑著基準負電壓尖峰免疫性和配對傳播延遲功能，成為極穩固可靠的雙低側驅動器，能夠提供更快的切換速度，使元件非常適合高功率DC-DC轉換器及動力系統應用。」
2 Z; ], }( f( a. ~6 z( b% A: _0 M5 W, w8 a, ]
AUIRS4427S能配合3.3V和5V邏輯標準的CMOS或LSTTL輸出，閘極電壓（VOUT）達到20V，還具有CMOS Schmitt觸發輸入、兩個獨立的閘極驅動器，以及同相位的輸出與輸入。
: S% t. e# @3 m5 s. C  l. y
; w* _: X  V: L9 g新元件採用IR先進的高壓IC技術，融合了新一代高壓電平轉換和端接技術，可以提供卓越的電力過應力保護和更高的現場可靠性。
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