關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
. l: J  w3 l+ N! O所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
. [4 S) y! S2 p& V# X  j可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
2 ^1 W! i! l" F9 e8 p3 C. WBJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
5 u8 w3 a; @- h1 `% G! y: a+ V因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

' O, d3 w+ a: h; Y! z" q以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
+ p( k7 M! s  A; X$ K, a" zbandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
. Q, A* D9 f7 |' e如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
* C' y% S/ R$ F# ^6 q. }請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



% D; f# \9 k3 r) `[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
  c5 n! V& E+ z7 D應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
; |; O: [2 i% I但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
- D# l% s% e" N9 x* N3 X4 B應該是接成MOS diode的型態

' D$ I& K% Y# D* r9 t9 l/ l6 R- a- sre:relax918
. l( F( M  V% p% D, F: o" O, F可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
, c0 T. U8 \1 K6 o0 M這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
7 t2 y. z* I' X2 n# V* d但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
2 L6 g2 t7 r4 j( H6 ]公式的表示方法也不一樣
. e+ ^+ D9 G& {! d+ G2 ~操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的

  |. y9 ]- g3 I1 j% ^! ?而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
- h: W0 z4 Z6 ?. @& L利用P-N junction的特性而已

所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
+ p# p" t) Q+ ]- r  q: r應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
$ r, {2 O/ h# G, W. k% y
" l/ D$ F- a7 n& d, k' |1 H但是何者較穩定就不保證了

因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
) Z+ Y( X' b+ a( ~' dNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
* \- g  S% c. e) C應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
, f, I0 V! D3 C- z& J假如G端也接地的話  ...

5 ?0 D% n$ _  a, `" W' z感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
0 ?/ R7 t" k# l1 Y! ]2 K6 j6 ~) M' F1 R