國巨研發技術大躍進 成功開發X5R 1210 100μF超高容值MLCC

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經濟部工業局主導性新產品輔導計劃圓滿結案
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2007年5月21日-- 被動元件領導廠商國巨公司研發技術大突破，成功開發X5R註1 1210 100μF（微法拉）高容值積層陶瓷電容（MLCC），為國內廠商首次以高溫度穩定性材質成功研發的100μF高容MLCC，技術實力不僅大幅領先國內同業，同時晉升為全球高容MLCC主要供應商。
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國巨領先的研發能力備受政府關注與肯定，於2005年7月成功申請經濟部工業局「主導性新產品開發輔導計畫」，獲得新台幣2,200萬元補助金。國巨在此計畫執行過程中，以滿分通過每一階段的技術審查，順利達成該項計畫設定的生產良率目標，並於2006年底圓滿結案。

6 P3 O$ Y6 d; H6 z透過「新世代高溫度穩定性X5R 1210 100μF積層陶瓷電容」計畫的執行，國巨雙雙突破介電層厚度和電極層厚度的限制，成功推出介電層小於2微米、電極層厚度小於1微米的高容值MLCC，堆疊數高達八百餘層，顯示國巨與日本業者在高容值MLCC的技術能力並駕齊驅。

0 g, F  J! |* a" R. {6 k* @) [+ x; D國巨公司MLCC研發技術中心協理胡慶利博士表示：「X5R 1210 100μF積層陶瓷電容運用了多項先進技術，包括奈米粉體覆蓋、內埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國巨全球研發團隊資源、工研院材化所、台大材料所的研發能量及歐美、日本技術顧問的指導，在高容值MLCC產品的開發上，具備前所未有的指標意義。」
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過去100μF的高容值電容市場向來由鉭質電容主導，而X5R 1210 100μF積層陶瓷電容的溫度性穩定較高，在-55℃至85℃的工作溫度範圍內，誤差值僅為±15%，生產良率穩定，可有效取代鉭質電容市場需求。100μF高容值MLCC可應用於液晶電視、液晶顯示器、電源供應器，及低功耗的手持式消費性電子產品。
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國巨目前高階MLCC佔其整體營收比重約40%，國巨以領先同業的技術優勢，積極投入X5R、Y5V等高容產品的開發及量產，以滿足持續成長的各終端客戶需求。
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註1：被動元件常見的X5R、Y5V、及NP0，指的是MLCC容值對溫度的敏感性。其中NP0(Negative Positive Zero) 意指NP0的電容在溫度範圍內(-55  ~125゜C)是非常穩定的，從負到正溫度的容值差幾乎為0 ppm，受溫度影響極小，多應用於高頻通訊產品；X5R電容值在 - 55~85゜C之間，其變化量在± 15% 之間；Y5V電容值在 - 30~85゜C之間，其變化量在+20%~-80%之間，容值表現最易受溫度影響，但由於Y5V粉末便宜且較易製造高容值產品，是目前產量較大的產品。