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[創新研發] Microprocessor Report年度「創新」獎揭曉

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發表於 2007-3-1 18:00:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Editorial: MPR Analysts' Choice Awards 3 z" a+ k) n) `2 f6 X1 h  d0 v
MPR Innovation Award: Razor
0 y+ [0 K9 N7 n7 P% f$ y& UMPR Innovation Award: Eutecus
/ Y1 w5 G- Q: J, L& `MPR Innovation Award: High-k
+ G) s. t9 }1 `" k3 UMPR Innovation Award: Planet82's SMPD $ _1 U+ i( k- t" X* K1 K
MPR Innovation Award: Ambric
8 f4 s( B* }( E5 D; j9 Y& n" ]* @, JMPR Innovation Award: ARM996HS
8 ~) I9 M7 S/ u2 }' JMPR Innovation Award: MRAM
9 e# ]- @; ]( ?5 HMPR Innovation Award: Intel Core
* k6 L' L9 k, p; M4 Y0 F
9 P' E0 m7 y8 e0 v1 m" ^* F. N飛思卡爾的MRAM元件榮獲Microprocessor Report的創新類獎項$ W1 ~8 f5 v) S/ Q# L
MR2A16A先進的磁電阻式隨機存取記憶體,陸續獲得業界肯定 $ d+ q! L, f$ o0 u% [0 ?

/ F+ O0 Y, f4 {8 O2007年2月26日德州奧斯汀報導 – 全球首屈一指的嵌入式半導體產品設計兼製造廠商飛思卡爾,其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選。
1 \0 ]& J; f" M- e2 d5 L: P7 c
! b, g- t7 X' x8 G: e& L& [MR2A16A元件融合了非揮發性記憶體(non-volatile memory,NVM)及隨機存取記憶體(RAM)雙方的優點,為新型的智慧型電子元件提供「瞬間啟動」及功率損耗防護等功能。MRAM元件適用於多種商業應用,例如網路、安全性、資料儲存、遊戲及印表機等等。MR2A16A的設計可以提供可靠、經濟的單一元件替代方案,以取代原本需要附帶電池的SRAM單元。該款元件亦可用在快取緩衝器、組態儲存記憶體,以及其他需要MRAM高速、耐久及非揮發性等特點的應用。
. F% C* ~& i0 ~% I- f1 h# {: ?) B9 Z3 c6 H" a. V( F- T# _- T7 u5 [5 B
飛思卡爾運輸及標準產品事業部資深副總裁暨總經理Paul Grimme表示:「從像In-Stat的Microprocessor Report這樣信譽卓著的刊物獲得來自業界的持續肯定,更突顯了MR2A16A MRAM產品在突破性創新及商業方面的潛力。身為第一家將MRAM技術商業化的廠商,我們堅信飛思卡爾的非揮發性記憶體產品,絕對會成為近十年來在半導體技術方面最重大的突破之一。」
% V& o4 V, \7 J$ l. x: `$ c: ~6 _, h5 u# H
獲獎者皆由In-Stat的技術分析師遴選而得,他們代表國際知名的新聞刊物如Microprocessor Report及春秋兩季的年度Processor Forum (處理器論壇)背後的團隊。In-Stat是Microprocessor Report的發行機構,於2月20日公佈了第八屆的分析師推選大獎。該獎項代表了微處理器業界中最富趣味及活躍的產品領域。要獲得入圍,候選產品必需要具備重大的技術創新及話題性、而且必須是去年推出的新產品。 / n+ U& {) i9 t' K) t- r8 L
6 H, l# ]# j" i+ P
有關飛思卡爾的MRAM產品及技術詳情,請參閱網http://www.freescale.com/files/pr/mram.html% t6 N( g& _6 L+ J3 i4 j' V, m

% z0 [2 g3 w5 X; q' b7 q, v8 U0 a[ 本帖最後由 jiming 於 2007-3-1 06:01 PM 編輯 ]
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