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技術大突破 宏憶國際發了

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發表於 2007-4-5 00:21:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
宏憶國際(3079)去年第一季至第三季每股獲利分別為,0.26元 0.4元及0.83元,預估第四季的獲利應不會比第三季差,今年度在新技術的發酵及Vista刺激下,營運獲利表現將會更上一層樓& ]9 j6 p. t- `  u2 O& B( R. i
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文╱《投資情報周刊》' m2 u' J5 W- y+ s
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目前大盤月K線位置在7680至7700點之間、季線在7760點附近,然而未來月線將有可能突破季線,屆時月線將呈上揚,估計近期內,指數若挺穩7700點之上,月線可突破季線呈黃金交叉,此將有利盤面正面表現;本周各上市櫃公司的三月營收將陸續公佈,配合技術面及基本面表現,可逢低撿選具備業績題材個股操作。7 J$ D3 k$ |5 y4 H

/ O5 \7 W# ~! V2 W模組升級+手機Flash 兩大利多9 C, K2 [8 y! Q" E% O- K  ~

3 G* B" l7 C) B% G) T預期電子產業第二季至第三季強勁基本面成長的支撐下,大盤往下空間將非常有限,且科技類股價活潑,反彈空間往往比其他類股更大,空手投資人可等待大盤隨著時間呈現量縮打底後,科技類股買點可望浮現。1 i4 j3 i9 n; t% T4 r

  s# j; T' r. E! Z4 x根據全球半導體貿易統計組織WSTS最新的報告表示,今年半導體景氣將較先前預估樂觀。推動全球半導體銷售值成長的主要動力,是微軟新作業系統Vista與3G手機。WSTS預估今年全球半導體銷售值成長率為8.6%,較去年之8.5%還高。而明年將是本次景氣循環的高峰,年成長率將達12%。7 k. b" c; [/ I5 a/ h

9 g& t; J# \+ m7 l+ X2 b* i今年1月Windows Vista上市之後,對硬體的要求較Windows XP為高,除了64位元雙核心的CPU將成為市場主流之外,Vista炫麗的3D顯示,其所需知會圖晶片規格為PCI-E,同時需要能符合DirectX9以上的規格,將有助於推升高階CPU與DRAM模組的需求。; B9 C& F3 ]) C! c" s9 P0 u

% P6 A. y1 }, Z; X而本周所分析的宏憶國際(3079)即為其中一家受惠者,基本面相當看好,而且公司本身也有相當特殊的DRAM相關專利技術,比其他DRAM廠商更有競爭力。' H  ?: d, q/ Q! W  D# ]
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模組廠四月營收再攀高
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# B6 b5 c2 q. |# C0 U. \Windows Vista上市,除新機DRAM內建模組將由1G起跳,同時將刺激消費者購買DRAM模組自行升級。另Vista的Ready Boost功能讓消費者可以將隨身碟當成電腦的記憶體使用,增進Vista效能,將消耗大量的Flash。1 E3 _) [5 J& G( |

4 t" a# o! \5 {- `另外Apple的iPhone與各廠陸續推出音樂手機,預估今年音樂手機出貨將超過8,000萬隻,也將消耗大量的Flash。根據集邦科技(DRAMeXchange)的報告指出,手機應用將佔Nand Flash整體市場比重由去年的19.8%,上升至今年28.5%,成為Nand Flash最大的終端應用產品。明年1GB的手機用小型記憶卡將成為After Market的主流容量。預估明年全球手機市場對Nand Flash的需求將成長285%。
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日前NAND型快閃記憶體和DRAM雙雙傳出喜訊,不但8Gb容量的NAND型Flash現貨價再度大漲,一舉超越9美元的價格,在DRAM報價上,512Mb容量的DDRII 大漲至2.91美元,使記憶體模組廠近期的營運再創新高峰!在DRAM庫存漲價的效應下,加上NAND型Flash產業持續火紅下,模組廠4月營收更將再度攀高。( D- r% \4 i+ I. m$ q8 k& w3 r! D

7 a' T# b: d/ P( t( f  u今年第一季DRAM廠除了靠良率提升外,投片量並沒有大幅增加,因此產出貢獻相當有限。第二季有機會量產的新廠,也只有華亞科第二座12吋晶圓廠。因此下游對DRAM的需求仍相當強勁,由廠商生產成本推算,只要售價在5.5 美元以上,毛利率即有機會超過50%。由於新開產能有限,第一季供應仍相當吃緊,報價在上半年仍將維持高檔。
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! A7 H5 ^7 o; G& h$ g記憶體模組量產技術大突破, |% c6 u) v3 e2 w2 ?8 c
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DDR II於去年下半年起,隨著英特爾965/975及矽統656等晶片組陸續推出,市場需求明顯增加。宏億順勢推出嵌入式記憶體模組,新產品效益已經於去年逐漸顯現,可望在今年度更上一層樓,有助於推升整體業績表現。! Z3 W. `3 e: `% a+ b
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記憶體模組均以SMT生產製造,所有零組件包括記憶體IC在SMT製程中,於表面黏著後,須經過260℃以上高溫的迴焊爐,由於記憶體IC在高溫下,容易受損,極可能會降低模組生產良率,不良品需更換記憶體IC等,維修工作較困難。DDR II均以BGA方式封裝,在更換IC時須經過加熱、除錫、植球、定位上板等繁雜製程,不僅損失記憶體 IC,又浪費測試與維修時間及人工成本。$ P6 U5 T- z( A' l! ]
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有鑑於此,宏億研發出一種創新的「嵌入式記憶體模組」 (Removable DRAM Memory Module),使記憶體模組在SMT生產製程中,記憶體IC不須經過高溫迴焊爐,可減少記憶體IC被破壞,維修不良品時,僅須將不良IC直接取下,再將更換IC直接置入嵌入座即維修完成,完全克服BGA IC維修困擾,大大縮短維修時間及降低人工成本。4 S' ~* T% V7 e
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另外,記憶體IC並無黏著於PCB上,減少錫膏使用,符合環保 (RoHS)要求,產品已取得DRAM大廠認證,且申請多國專利,是記憶體模組量產技術上的大突破,這技術使宏憶生產成本大幅降低,提升獲利表現。( H! j- I) O7 z) x% `3 V

* k; [8 v* M3 x基本面後市看好
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宏億為DRAM後段製程廠商,業務中有一大部分為DRAM封測加工後之買賣業務,獲利相對於一般模組廠商為穩定,公司革命性新產品-嵌入式記憶體模組,具有提升良率、維修與升級方便並具有成本上之優勢等,頗具市場潛力。9 _) a& \9 A  t5 B

4 I! M# G9 G! _5 O) n7 \觀察該公司基本面,去年每季的表現漸入佳境,前第三季每股獲利分別為0.26元、0.4元及0.83元,估計第四季的獲利也是0.83元,整年每股稅前盈餘將會達到2.32元,以股價33元計算,假設全部配現金,推估殖利率可達到5至7%,ㄧ點都不輸其他傳統的高殖利標的,值得多加留意。
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