11/11-12 New Non-Volatile Memory Workshop 2010

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近年來由於數位電子產品功能性不斷提升，對於記憶體功能需求也日益擴張。其中非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)之需求量預計在未來幾年將會大幅成長，也因此近年來全球各大科技廠商與研究機構相繼投入關於下世代非揮發性記憶體之技術開發。本研討會為舉辦第七屆探討此領域之專門會議，將邀請國內外12位包含學界與業界的學者及專家，針對於System Development、MRAM、PCM及RRAM等下世代非揮發性記憶體開發中所面臨的關鍵性問題以及最新的技術研發成果進行研討，並對於加速產業界於相關技術之開發提供最有效之交流平台。
" N& c, o- V  K3 b. Y7 {) C( \5 F
* w8 J! }" a, o' r4 V; ]( _時 間：2010年11月11 - 12日
  Q. z" ~5 `+ T9 I  q$ [2 R# s會議地點：工研院 51館422室;國際會議廳(新竹縣竹東鎮中興路四段195號)
主辦單位：工業技術研究院
奈米國家型科技計畫辦公室
& ~7 ]6 ?! x: @! S3 m' Q% @" C台灣自旋科技研究中心（國立中正大學、國立雲林科技大學、國立彰化師範大學）
參加對象：半導體產業相關廠商、記憶體製造商與模組系統廠、對奈米電子或先進半導體技術有興趣之人士
贊助單位：旺宏電子股份有限公司、瑞晶電子股份有限公司(依筆劃排序)
講 師：
(1) Dr. Henry Chien, Sandisk
) I( l4 x! a  [# A7 m8 s4 Q5 |(2) Dr. Robert Hsieh, Silicon motion
! t: F' U- J' i; ~, e+ U5 o0 S" i* F(3) Dr. Kyu Min, Intel
(4) Dr. Jean-Pierre Nozières, Crocus
3 t" s/ b% }$ f% i(5) Prof. Naoki Kasai, Tohoku University
. O2 c7 v& H/ u1 C(6) Dr. Koji Ando, AIST
; Q& g+ t8 z  p0 H9 t: l(7) Dr. Agostino Pirovano, Numonyx
8 ?7 v( O$ b, `4 q9 u(8) Dr. Jing Li, IBM
# K( C, t! T  D, d(9) Dr. Rainer Bruchhaus, RWTH-Aachen University
(10) Dr. Moon Sig Joo, Hynix
/ f: N- E* I. H1 U7 |& i(11) Dr. Akihito Sawa, AIST
/ E: L, a% @* F, p& N, p(12) Prof. Hyunsang Hwang, GIST

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Program
November 11, 2010 (Thursday)
09:00~09:30 Registration
09:30~09:35 Opening/ Dr. Yi-Jen Chan, ITRI
Session A：System Development
09:35~10:15 NAND Flash memory cost, performance, and technical challenges beyond 25nm generation Dr. Henry Chien Sandisk
10:15~10:55 Future opportunities and challenges for NAND flash in Embedded Applications Dr. Robert Hsieh Silicon motion
0 j% s* Q/ w; r# z, ?3 z7 M10:55~11:15 Break
6 H  {9 v2 p; g1 ]& h* g3 X' F' A. s6 Y11:15~11:55 Requirements and Challenges for Nonvolatile High Density Memory Based on Resistance Change Dr. Kyu Min Intel
11:55~13:30 Lunch
Session B：MRAM
13:30~14:10 Thermally Assisted MRAM and STT-RAM ”Dr. Jean-Pierre Nozières”Crocus
# D3 U- l; v& f  L) ]5 E14:10~14:50 MRAM Technology for Embedded Application in Logic Integrated Circuits Prof. Naoki Kasai Tohoku University
  J5 N, _* U" z14:50~15:30 Spin-RAM for Normally-Off Computing Dr. Koji Ando AIST
4 t; `% e! r9 ^9 |3 ?8 ^15:30~15:50 Break
Session C：PCM
  W& v4 f. a9 L) ]  f6 d( q15:50~16:30 Phase Change Memory Technology Status and Future Developments Dr. Agostino Pirovano Numonyx
16:30~17:10 Design Challenges in Multi-Level Phase Change Memory Dr. Jing Li IBM
* g) e$ T# C- V18:00~20:00 Banquet
November 12, 2010 (Friday)
% \+ s8 d4 i4 {/ X# O/ TSession D：RRAM
8 c" T: o1 l' b09:00~09:40 Bipolar Resistive Switching: Mechanisms and Scaling Dr. Rainer Bruchhaus ”RWTH-Aachen University”
09:40~10:20 Switching and Reliability Characteristics of Transition Metal Oxide based RRAM Device Dr. Moon Sig Joo Hynix
8 a( }0 B7 B+ @# d& E10:20~10:40 Break
0 @9 ]) i; X8 ~5 b" n6 j1 g  Z10:40~11:20 Impacts of oxygen vacancy on interfacial band diagrams in perovskite-oxide resistive switching junctions Dr. Akihito Sawa AIST
11:20~12:00 Electrical and Reliability Characteristics of RRAM for Cross-point Memory Applications Prof. Hyunsang Hwang GIST
/ o. y% }3 @) q/ c0 ]12:00~13:00 Lunch
# O9 j  h( Y( P7 a# F費 用：
0 l& m. y: ]) o/ O4 lRegistration Fee含稅、講義、午餐及茶點
$ m9 g8 b9 y" ?- s# K一般人士 NT$ 5,000
8 g! J( S9 t# I合作廠商 NT$ 4,000
工研院同仁NT$ 3,000
) |. N! K' Q: }6 u# _' r在學學生NT$ 2,500
" V8 h- S" C; w% H3 E# ?; p. P- N(憑學生證)
Additional Banquet Ticket NT$ 1,500
※因座位有限，請儘早報名，額滿後將不再接受報名

. r# q, @- ]; A/ o" x' c網路報名：網址 http://nnvm.itri.org.tw