高電流和低功耗可滿足從機械形式進展成機電形式的車電系統

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快捷半導體擴充低RDS（ON）MOSFET產品系列陣容推出11種支援馬達控制應用新型30/40V器件
  
快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其經過AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產品系列之陣容，推出11款新型器件。這些低壓PowerTrench® MOSFE是專為優化汽車應用的效率、性能和電路板空間而設計的，其應用包括動力方向盤、整合型起動器/交流發電機，以及馬達和電磁驅動器設計等。

快捷半導體的30/40V MOSFET適合用來提供較高的電流密度和較低的功耗，根據汽車市場的最新發展趨勢指出，高電流和低功耗的這些特性可以滿足那些正從機械形式進展成機電形式的系統。快捷半導體30/40V MOSFET的RDS(on) 可低至2.0m Ohms，是業界導通電阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，這些器件還可節省電路板空間，因為一個快捷半導體的低RDS(on) MOSFET可替代傳統這類設計中所使用到的兩個較高RDS(on) 之MOSFET。而且，這些MOSFET能滿足UIS要求，並達到嚴格的AEC-Q101汽車標準，可在嚴酷的電氣環境中提供高可靠性以保證其“堅固性”。

) `' p# w$ g' v8 l快捷半導體功能功率部汽車功率產品副總裁Paul Leonard表示：“快捷半導體的新款30V MOSFET，如2.3m Ohm FDB8860 器件，所提供的導通電阻僅為55V或60V MOSFET的一半，因此能把功耗降低至高壓器件的二分之一。在汽車設計中，低導通電阻意味著更高的效率，因為功耗較低及產生的熱量較少。除了支援30V和40V應用的11種新器件外，快捷半導體將繼續擴充全線的車用MOSFET產品系列，以便為客戶提供更好的協助，以滿足這個快速變化的市場需求。”
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快捷半導體支援汽車應用的MOSFET經鑒定，已可達到ISO/TS 16949 標準。此一標準是業界所逐步開發出、適用於整個汽車供應鏈的單一標準成果，包括設計/開發、生產及汽車元件的安裝和服務。此一標準是由國際汽車特別工作組 (IATF) 所起草的，已獲得國際的認可，並已成為北美和歐洲許多汽車OEM廠商的強制性要求。

" B# Q+ D7 T, p- g這些無鉛器件能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標準要求，並符合現已生效的歐盟標準。
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9 d, V, t$ D7 V8 i- w) _- e要瞭解更多有關這些MOSFET器件的資訊，請瀏覽網頁：http://www.fairchildsemi.com/markets/automotive/auto_app.html。

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快捷半導體的柵極驅動器

提高汽車應用的燃油效率

快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠改進汽車應用的功耗、雜訊免疫能力和瞬態電壓性能的柵極驅動器FAN708x系列，讓工程師開發出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動器在上橋和橋式驅動器應用中驅動
5 i( k# I' D, G# IMOSFET
$ ~3 \' f: c; @  q, G8 l$ |+ G和
; C. w4 \/ |% JIGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態功耗減少一半以上 (靜態電流100µA對比240µA)，容許設計人員最佳化系統和擴大工作範圍。這些產品具有業界最高的瞬態電壓性能 — 較同類產品高出一倍。這使得系統設計具有更強的雜訊免疫能力，即使在最惡劣的運作情況下也可實現MOSFET或IGBT的可靠及精確控制。

FAN708x系列產品能夠滿足業界最高的可靠性要求，並獲得AEC-Q100標準認可。這些柵極驅動器經設計能夠處理負向電壓擺動，具有更大的驅動器級柵閂鎖回彈性。FAN708x系列產品是高度集成的柵極驅動器，能省去10到15個分立元件，使到汽車電子設計人員可以節省40%的電路板空間。

快捷半導體在先進的製程和封裝技術方面擁有獨一無二的優勢，能將功率類比、功率分立和光電功能集成在創新的封裝中，針對汽車電子市場提供高能效的解決方案。快捷半導體備有業界最廣泛的產品系列，從1W至 >1200W，能最大限度地提高當今汽車電子應用的能效，包括功率管理、車身控制、電機控制、點火和引擎管理，以及電動和混合電動汽車系統。
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產品編號 7 b9 A7 v) J2 {. g. b) @	源/漏 (最小)	高速輸出口(HSO)	封裝 3 W& p$ H% f; v! f0 k. ?6 \
FAN7080 / P3 v5 M" o( i5 e1 n! [5 X- {3 U	250mA/500mA 8 T; o- e* d) r6 t	非逆變 . N5 |7 M* E; `! S. O	SOIC-8 3 l( ~* N# w5 s( x4 Z3 G8 ?- Z+ ^; e
FAN7081 $ e* }; N1 s4 K* o	250mA/500mA	逆變 / m9 c& r* m1 l	SOIC-8 ; r' G- t. X) R& Q- l1 O
FAN7083	200mA/400mA * v  R) ]7 y9 C/ Z1 R	非逆變 : P  H+ o) {* G! _0 j	SOIC-8 " z; v9 b, t( B1 d9 |
FAN7085 # S  t+ g$ `( }% U( f( x	300mA/300mA - b+ a" ^; O$ j2 L! Q	逆變 % p+ y" s( j# f2 `	SOIC-8

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