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樓主 |
發表於 2008-1-15 18:31:49
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抱歉抱歉
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.TITLE Invetor Circuit
; ~& u. @# _. j8 S- U*
3 Z4 T6 }9 D. X" W+ u6 F, M.param PUL_WIDTH=OPT1(1ns, 0ns, 50ns)
; U' i5 N& D' [5 J8 \4 j7 g! ~: k( qVDD vdd! gnd DC=+15V
; @; Q5 E9 }1 {/ ?- y; o& LVIN in gnd pulse(0V 5V 5ns 5ns 5ns PUL_WIDTH 500NS)$ R% ]2 O- W4 p5 o% J
MP1 out in vdd! vdd! PMOS W=10u L=1.5u. o! o2 \! `0 ]
MN1 out in gnd gnd NMOS W=20u L=1.6u
d2 x' z8 ?) s3 I m.model NMOS NMOS (KP=20u VTO=1V LAMBDA=0.02 GAMMA=0.5)3 ]" C' C$ L& P" P+ Y
.model PMOS PMOS (KP=10u VTO=-1V LAMBDA=0.02 GAMMA=0.5)
9 h# ~( `' d5 j# a. K*/ ^% ? x* @/ u) Q4 P1 E0 ^+ u. K
.model OPT_model opt methode=passfail% ]) l2 H& h& ]4 a* F
.TRAN 0.1ns 200ns sweep optimize=opt1, U. P9 M0 I8 x$ J9 G4 k+ b& c
+results=delay model= opt_model' Y; C. w1 K. K: g
.measure TRAN delay trig V(in) val=2.5V RISE=1
3 q o2 Y6 t/ ^8 n- U2 ~8 |# j f+Targ V(out) val=2.5V fall=1/ T- d( m& X5 I1 t7 Q8 [% t6 W' P
.END |
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