RFaxis即插即用RF晶片即將亮相2009 Computex

jiming

創新技術以更低成本、更高性能提供高度整合的RF解決方案。RFaxis的新一代RF模組可廣泛應用于Blue Tooth、WLAN和Zigbee等RF通信裝置，並且具有更低的成本、更高的性能和整合度。此次在台北展出的是RFaxis最先推出的2款晶片RFX-2401和RFX-2402，可支援Bluetooth、Zigbee、WLAN和MIMO。未來將會推出支援WiMAX和WHDI的晶片。
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# A- F4 o8 i; X8 H1 G2009年5月31日 台北 新一代無綫通訊解決方案提供商RFaxis公司宣佈，即將在6月2日開幕的Computex Taipei上展示全球首創的單晶片即插即用RF 前端晶片（Front-end Integrated Circuit，RFeIC)和解決方案，可用來替代目前無綫裝置中的尺寸較大的多晶片（Multi-Die）前端模組(FEM, Front End Module)，其中包括7項已經申請美國和國際專利的技術。RFaxis的新一代RF模組可廣泛應用于Blue Tooth、WLAN和Zigbee等RF通信裝置，並且具有更低的成本、更高的性能和整合度。此次在台北展出的是RFaxis最先推出的2款晶片RFX-2401和RFX-2402，可支援Bluetooth、Zigbee、WLAN和MIMO。未來將會推出支援WiMAX和WHDI的晶片。

無綫通信技術已經廣泛應用于行動電話、電腦、電腦周邊設備、無綫路由器、網橋和其他手持终端设备等为基础。此外，Zigbee設備也是RF技術應用的重要領域，包括低功耗網格、樓宇自動化、工業控制、醫療設備、家庭自動化和其他監控設備等。RFaxis的解決方案有望在上述領域產生顛覆性的變革。

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儅向各類設備植入無綫通信功能的時候，設備製造商普遍面臨的最大障礙就是RF模組設計過程的複雜性以及RF設計工程師的嚴重短缺。設備製造商越來越迫切需要穩定快速的RF應用研發流程，一步到位地實現電路板中所有的無綫通訊功能。因此，一種真正即插即用（plug-and-play）並能輕鬆植入電路板的RF解決方案尤爲重要。
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1 q5 l5 ^+ g+ E3 v; R4 xRFaxis公司採用革命性的BiCMOS技術，製成了全球第一個RF Front-end Integrated Circuit (RFeIC)，實現了極高的整合度，可以顯著降低無綫模組的複雜度，同時大幅度降低成本，提高整體性能。這種單晶片(Single-Chip)、单矽片( Single-Die)RFeIC將會極大地簡化產品設計，從根本上提升產品性能，降低系統雜訊（System Noise）和最終產品成本。

! I$ y: u3 J# p  p) I傳統上，RF前端解決方案（front-end solutions）只能採用分離元器件或者前端模組 (FEM)的方式進行，在性能、整合度、尺寸、成本和可靠性方面都有很大的改進空間。現階段，大多數通訊廠商多採用FEM。如今，RFaxis的解決方案僅用一個BiCMOS晶片就可以實現前端模組，不僅把整合度、成本、耗電和性能都大大向上提升了，而且極大地拓寬了無綫通訊的應用方式和場合更加。對於整個通信產業而言，RFaxis可以説是提供了一種顛覆性的技術。

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RFaxis總裁兼CEO Mike Neshat在半導體行業已經擁有超過25年的經驗，他介紹說，“我們的RF半導體模組可以提供更高的整合度，更高的性能，並且降低最終產品的成本。更重要的是，我們的產品可以即插即用（Plug and Play），因而可以加速產品設計流程。這些已經申請專利的技術構成了RFaxis公司產品家族的技術基礎。在Computex Taipei上將會展出我們的第一款產品。”
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RFaxis公司已經與全球領先的半導體解決方案廠商STMicroelectronics結爲BiCMOS foundry合作夥伴，可以向市場快速、大批量、低成本地提供產品。

2 [& L2 \, r( F" j: ]RFaxis公司介紹
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RFaxis公司成立於2008年1月，總部位於美國加州Irvine，專業從事RF半導體產品的設計和開發。公司擁有多項正在申請專利的技術，引領著新一代無線通信解決方案系統設計的發展，可為Bluetooth、WLAN、802.11n/MIMO、Zigbee、WiMAX、WHDI和移動通信（CDMA/WCDMA/EDGE/Evolved EDGE/LTE-3G/GSM)等領域提供全新的解決方案。通過利用BiCMOS技術與自主創新技術方法的結合，RFaxis公司實現了全球首個RF Front-end集成電路（RFeIC）。更多信息敬請訪問www.rfaxis.com。

heavy91

【2010年6月7日，臺北訊】專注針對無線及連結應用市場開發次世代創新解決方案的無晶圓廠半導體公司 RFaxis在Computex Taipei 2010期間宣佈，該公司旗下一系列無線射頻前端晶片（RF Front-end Integrated Circuits，RFeIC）已合乎技術要求可順利使用於以電池驅動的超低電壓無線應用裝置上，並可提供業界最佳的效能及效率。

. f% d- o: _/ P5 ~# A( R  i  K5 ARFaxis總裁暨執行長Mike Neshat表示：「當行動數據移動呈指數級成長之際，全新類型的超級行動裝置正以迅雷不及掩耳之姿席捲整個業界。其中一個顯著的特徵就是，控制器及感測器必須在有限的電池容量條件之下以更! 低的電壓來獲得更長的操作時間。很明顯，所謂『無線裝置』不僅意味著行動及可攜式連結，同時也和電池續航力及電力使用效率息息相關。因此，業界不能把全部希望寄託在電池技術的改善，同時也必須著重於改善產品的設計，使其能更有效率也更理想地利用電池所提供的電力。RFaxis先進射頻前端架構和電路設計使我們的RFeIC矽晶片獨具特色，能在超低電壓之下提供高品質且高效率的無線傳送與接收能力，藉此即可延長可攜式無線裝置的操作時間，甚至只需使用一顆鹼性電池即可長時間因應所有必要操作。」

heavy91

RFaxis技術長Oleksandr Gorbachov博士進一步解釋：「現今所有射頻前端解決方案都必須在2.7到3.3伏特這個電壓範圍內運作；針對需要較高電量的ZigBee或藍芽（B! luetooth）應用，輸出功率則須提升至20dBm且增益（Gains）須達18 dB至20dB，若針對WLAN無線區域網路應用，則增益必須提高至25dB到30dB。相較之下，使用我們RFeIC的裝置僅需1.5伏特就能提供與上述相等的輸出! 功率及增益，等同使用一顆鹼性電池即可支應。而在某些較為先進的可攜式系統中，則更僅需0.8伏特即可有效率地運作，也就是等同使用一顆燃料電池即可支應。因此，若要改善設計以有效提升行動無線裝置的電力使用效率，我們的前端解決方案絕對是業界首屈一指的最佳選擇。」
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0 f( S1 m) d- J2 {4 U. Q8 eMike Neshat總結指出：「我們正處於一個無線裝置無所不在的世界，大量的無線應用充斥在每個人周遭，例如遊戲操控裝置、遙控器、筆記型電腦、小筆電（Netbook）、電子書閱讀器、攝錄影機、媒體播放器、嬰幼兒監控系統、無線耳機、建築物感測系統等等琳瑯滿目。如果能有效減少這麼大量無線裝置的電池使用量，對於環保將有顯著的裨益。RFaxis將戮力扮演推動綠能生活的催化劑角色，透過我們的節能產品為環保貢獻一份心力。總而言之，所謂『智慧能源（Smart Energy）』應該不只是意謂著發明出更聰明的裝置，我們也應著眼於天天都會用到的日常裝置，設法讓這些裝置變得更加聰明、有效率！」

RFaxis針對WLAN 802.11 a/b/g/n、ZigBee以及藍芽應用的超低電壓RFeIC產品目前已全面開始供貨。

atitizz

專注針對無線及連結應用市場開發次世代創新解決方案的無晶圓廠半導體公司RFaxis宣布，該公司旗下一系列無線射頻前端晶片(RF Front-end IC)已合乎技術要求可順利使用於以電池驅動的超低電壓無線應用裝置上，並可提供業界最佳的效能及效率。

( O) G% B" a, Q# x, q1 aRFaxis總裁暨執行長Mike Neshat表示，當行動數據移動呈指數級成長之際，全新類型的超級行動裝置正以迅雷不及掩耳之姿席捲整個業界。其中一個顯著的特徵就是，控制器及感測器必須在有限的電池容量條件之下以更低的電壓來獲得更長的操作時間。RFaxis先進射頻前端架構和電路設計使RFaxis的無線射頻前端晶片獨具特色，能在超低電壓之下提供高品質且高效率的無線傳送與接收能力，藉此即可延長可攜式無線裝置的操作時間，甚至只需使用一顆鹼性電池即可長時間因應所有必要操作。

RFaxis技術長Oleksandr Gorbachov博士進一步解釋，現今所有射頻前端解決方案都必須在2.7到3.3伏特這個電壓範圍內運作；針對需要較高電量的ZigBee或藍芽應用，輸出功率則須提升至20dBm且增益須達18 dB至20dB，若針對WLAN無線區域網路應用，則增益必須提高至25dB到30dB。相較之下，使用RFaxis無線射頻前端晶片裝置僅需1.5伏特，就能提供與上述相等的輸出功率及增益，等同使用一顆鹼性電池即可支應。而在某些較為先進的可攜式系統中，則更僅需0.8伏特即可有效率地運作，也就是等同使用一顆燃料電池即可支應。

9 K( W5 e. E. i# b$ \, H# BMike Neshat總結指出，身處於一個無線裝置無所不在的世界，如果能有效減少這麼大量無線裝置的電池使用量，對於環保將有顯著的裨益。RFaxis將戮力扮演推動綠能生活的催化劑角色，透過節能產品為環保貢獻一份心力。RFaxis針對WLAN 802.11 a/b/g/n、ZigBee以及藍牙應用的超低電壓無線射頻前端晶片產品目前已全面開始供貨。

sophiew

RFaxis第二代純CMOS單晶片/單矽片射頻前端積體電路的性能優於砷化鎵/矽鍺的射頻前端解決方案

(20120921 11:18:54)RFaxis開始為智慧手機和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍牙、WLAN 11a/n/ac、無線音訊、ZigBee和智慧能源/家庭自動化等市場量產七種新的CMOS射頻前端積體電路

加州歐文--(美國商業資訊)--專注於為無線連接和蜂行動通訊市場提供創新型新一代射頻(RF)解決方案的無晶圓廠半導體公司RFaxis今天宣佈，該公司將於2012年第四季開始其第二代純CMOS射頻前端積體電路(RFeIC)的量產。新解決方案將服務於智慧手機和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無線音訊、智慧能源和家庭自動化等快速發展的市場。
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5 j- r! z, N* y8 KRFX2401C和RFX2402C是全球首款適用於ZigBee/ISM和802.11b/g/n應用的純CMOS單晶片/單矽片RFeIC。在2011年底成功推出這兩種積體電路後，RFaxis很快將開始量產並交付其他七種RFeIC。這將使RFaxis的供貨範圍拓展到更廣的無線/射頻領域。
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% U7 \: o* |; k: K0 W/ z1 vRFX5000和RFX5000B工作於5GHz 802.11a/n/ac频段， 在輸出功率為+18dBm時，64QAM/OFDM的誤差向量幅度(EVM)為3%，包括天線開關和輸入/輸出阻抗匹配網路的所有損耗。連同高增益(33dB)、高效率（低電流模式下，+17dBm時的電流為170mA）、極低的基準EVM (<1.5%)、一流的熱穩定性和配備簡單CMOS邏輯的多模式控制，RFX5000和RFX5000B的性能優於當今市面上採用包括砷化鎵(GaAs)或矽鍺(SiGe)在內的任何現有技術的所有5GHz前端解決方案。此外，RFX5000和RFX5000B解決方案與現有的5GHz技術引腳相容。

sophiew

RFX8420和RFX8421針對如今已經成為主流智慧手機標準功能的雙模Wi-Fi/Bluetooth應用進行了設計和最佳化。RFX8420和RFX8421採用超緊湊的2.5x2.5x0.45mm QFN封裝，並與市面上多種GaAs的前端模組(FEM)引腳相容，還可提供最先進的射頻性能，包括極佳的EVM功率和效率。另外，這些RFeIC的SP3T開關的總插入損耗為0.8dB，且所有的隔直流電容均在晶片上整合。

RFaxis繼續拓展其針對ZigBee、智慧能源/智慧家庭、無線感測器網路和通用型ISM頻段應用的2.4GHz和Sub-GHz RFeIC組合。RFX1010是一種超頻寬的半瓦RFeIC，工作頻率為780至960MHz。新款RFX2411和RFX2410為該公司大受歡迎的RFX2401C增加了天線分集功能，不會影響到輸出功率/效率，也不會增加封裝尺寸。
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RFaxis董事長兼執行長Mike Neshat表示：「RFaxis已經打破了所有的技術障礙，這些障礙一度使得純CMOS無法超越GaAs和SiGe等現有技術的性能。我們不僅將開始大量部署與生產這七種新的RFeIC—從sub-GHz ZigBee到5GHz 11n/ac MIMO—還將提供RFX8825 RFeIC的試樣以支援智慧手機和平板電腦業界即將向雙頻/雙模的過渡、以及我們的RFX240大功率線性功率放大器以進軍Wi-Fi AP/路由器和戶外熱點市場。透過提供同級最佳的性能、最低的成本、最高的整合度和與我們競爭同業產品引腳相容的解決方案，RFaxis將『超越GaAs』，讓純CMOS技術成為射頻前端市場的主流。我們的目標是成為全球首選的射頻前端解決方案供應商，在2013年取代所有的同級競爭解決方案。」

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RFaxis刷新5GHz WLAN及802.11ac射頻前端市場的競爭格局 領先的半導體公司以震撼價格推出頂級全線 802.11a/n/ac 射頻積體電路
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& H, T5 t6 ?/ N4 v(20121120 11:52:31) 專注於為無線連接和蜂巢式行動市場提供創新型下一代射頻解決方案的無晶圓廠半導體公司RFaxis今天宣佈，該公司的5GHz WLAN射頻(RF)前端解決方案 RFX5000 和 RFX5000B將於下月正式投產，以配合多家客戶的產能擴張進度。RFX5000和 RFX5000B是RFaxis推出的第二代純CMOS單晶片/單矽片射頻前端積體電路(RFeIC)，該產品專門為快速成長的5GHz WLAN市場而最佳化，同時支援新興的802.11ac標準。RFaxis宣佈將以「前所未聞」的超低價格向客戶提供這些頂尖品質的5GHz射頻前端解決方案，與此同時，這些產品還將保持與當今市場上各種主流解決方案的引腳相容性，例如Skyworks SE5007T、SE5007BT、SE5012T和 SE5012BT。

RFaxis董事長兼執行長Mike Neshat表示：「自從我們在今年6月的臺北國際電腦展(Computex)上推出純CMOS 5GHz 射頻積體電路以來，客戶反應相當熱烈。現在，我們非常高興以業界前所未有的震撼價格為客戶帶來這些最尖端的5GHz射頻前端產品。隨著Wi-Fi產品從當今佔據主流的單頻段2.4GHz過渡到雙頻段2.4/5GHz解決方案，5GHz射頻前端的物料清單成本成為一個不容忽視的瓶頸。加之目前越來越多的Wi-Fi產品被部署為要求使用多個射頻前端的MIMO系統，以上問題變得尤為嚴重。RFX5000 和 RFX5000B的推出無疑是在一個最佳時間為這一問題提供了最佳的解決方案。透過採用這些獨一無二的純CMOS RFeIC產品，我們的客戶可以大幅度降低總物料清單成本，同時為最終用戶帶來不折不扣的頂級射頻性能。」

Neshat補充道：「我們目前還在積極準備推出下一代的5GHz RFeIC產品，這些產品體積更加小巧，而且還將支援直接鋰電池操作。新產品推出後，我們在雙頻智慧手機市場的佔有率將直線上升。」

! P2 s: X5 ]/ n* ?% @- J! l" J+ DRFX5000 和 RFX5000B 整合了5GHz WLAN射頻前端產品的所有重要功能，包括線性功率放大器、低雜訊放大器(LNA)、天線開關、輸入/輸出/級間阻抗匹配、射頻去耦、高線性/低電流模式控制以及一個採用定向耦合器的功率檢測器，這些功能全部整合在一個單晶片CMOS矽片中，封裝於一個緊湊型的 3x3x0.5毫米塑膠QFN中。這些產品提供高達 +18dBm的輸出功率，在5GHz 頻段，64QAM/OFDM的誤差向量幅度(EVM)為3%，包括天線開關和阻抗匹配網路的所有損耗。在低電流模式下，這些CMOS RFeIC在天線埠上可實現+17dBm的線性輸出功率（在3.3V電源下僅消耗170mA電流），同時能為802.11n HT40/MCS7保持出色的EVM (3%)。與此同時，這些產品還具備極低的本底EVM(<1.5%)，可滿足MCS9/256QAM 和 80MHz通道頻寬下802.11ac的嚴格EVM要求。連同高增益(32dB)、一流的熱穩定性和配備簡單CMOS邏輯的多模式控制，RFX5000和RFX5000B的性能超出了當今市面上所有的同類5GHz前端解決方案，包括採用GaAs HBT/pHEMT和SiGe BiCMOS技術的解決方案。

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RFaxis公司推出互補金屬氧化物半導體(CMOS)單晶片/單矽片802.11ac射頻前端積體電路
RFX5010 5GHz射頻前端積體電路(RFeIC)具有同級最佳802.11ac性能，且價格遠低於競爭對手傳統的802.11a/n解決方案

% f+ c. g. V1 a+ u(20121220 17:19:25)專注於為無線連接和蜂巢式行動市場提供創新型下一代射頻(RF)解決方案的無晶圓廠半導體公司RFaxis今日宣布，該公司已著手為其策略合作客戶和參考設計合作夥伴提供最新的5GHz 802.11ac射頻前端積體電路(RFeIC)產品——RFX5010的樣品。RFaxis公司將參展即將於2013年1月8日-11日在拉斯維加斯舉辦的2013年國際消費電子展(CES)，屆時該公司將展示RFX5010及其它新產品，包括其雙頻/雙模CMOS RFeIC。
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RFX5010是該公司快速擴大的純CMOS單晶片/單矽片RFeIC產品系列的最新產品，該產品系列支援所有現有和新增協定（包含2.4GHz和5GHz頻段下的IEEE 802.11b、g、a、n和ac）的Wi-Fi應用。RFX5010晶片可在天線埠上實現超過30 dB的增益和超過15dBm的輸出功率，並可滿足帶256-QAM調變以及80MHz通道頻寬的802.11ac MCS9的-35dB EVM要求。它與公司的11a/n RFeIC產品RFX5000引腳相容，後者已投入生產，預計將於2013年第一季量產出貨。RFaxis公司不久將新發布一款功率更高且與RFX5010和RFX5000引腳相容的802.11ac RFeIC，並將以802.11ac AP、無線路由器和戶外熱點作為目標市場。

% |4 g: t# L; n; v) R3 e% @4 A# K# x. yRFaxis公司董事長兼執行長Mike Neshat表示：「透過不斷地挑戰極限以獲得卓越性能、更高的整合度和更低的成本，RFaxis公司如今已經能夠重新定義802.11ac市場的競爭格局。我們認可Wi-Fi產業朝著11ac產品快速發展，11ac產品具有更高的資料傳輸量、更廣的工作範圍和更長的電池壽命，因而能夠增強用戶的無線體驗。在RFaxis獲得專利的單晶片/單矽片RfeIC基礎架構與新設計創新的基礎上，我們的設計團隊已開發出完全支援802.11ac的純CMOS RfeIC。我們很高興能為我們的客戶和合作夥伴提供全球同級最佳的802.11ac RF前端解決方案，且其價格遠低於競爭對手目前提供的傳統802.11a/n前端解決方案。」