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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › Layout設計討論區 › 關於高壓NDD
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[問題求助] 關於高壓NDD

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1#
發表於 2011-6-12 15:31:35 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
通常高壓元件MOS  4 q- A/ A; z2 X- z$ u9 N
會打DRAIN NDD的原因是因為要跟SOURE隔離嗎?
5 z  U1 N! ~. Q
0 X: _2 a& T5 c& }# @! p; r還是有特別的意思?
8 z5 Z' B) a6 D$ v( A9 l0 R" d0 C& P. U* }8 V* `" v9 m7 a; i7 n, c; |

& T+ I6 P# B- w  y; n" m* X! W請各位大大幫我解答一下好嗎?
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2#
發表於 2011-6-15 13:48:58 | 只看該作者
NDD  这一层是为了增大高压器件drain端的耐压做的，用的是N型的注入，注入的浓度比Nplus低，但是比Nplus的结伸深
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