瑞薩科技致力於開發微處理器之全新中央處理器架構

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瑞薩科技5月21日宣佈目前正在開發全新的中央處理器(CPU)架構，相較於前一世代的微處理器(MCU)，在程式碼效率、處理效能(MIPS/MHz)及耗電量方面均可提供突破性的提升。瑞薩科技將推出兩款以新架構為基礎的CPU，以滿足16及32位元市場的需求，同時維持與瑞薩科技現有MCU的相容性。此架構將為上述兩種市場提供升級途徑，為瑞薩科技的MCU客戶提供強大且吸引人的系統解決方案。

1 u9 {2 T1 e5 @( D1 X* w4 T1 m相較於瑞薩科技目前提供的M16C與H8S 16位元CPU，以及R32C與H8SX 32位元CPU，此新架構提供許多創新改良，而且在CPU指令集、周邊暫存器集(peripheral register set)及開發工具等方面均可相容於現有的產品系列。它將結合M16C與R32C CPU優異的程式碼效率，以及H8S與H8SX CPU的高速資料處理能力。此外，新的CPU架構將進一步延伸這兩個產品系列的低耗電與低雜訊特性。結合上述功能，瑞薩科技的目標是達到世界最佳的整體效能，包括程式碼效率、處理效能(MIPS/MHz)、耗電量及成本優競爭勢。其中的程式碼效率特別重要，因為這有助於降低系統程式的大小，並可藉由採用快閃記憶體以降低整體系統成本。藉由採用這項新架構，瑞薩科技希望能降低30%的程式碼大小以及50%的CPU功率消耗。
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瑞薩科技公司MCU事業群董事兼總經理Hideharu Takebe表示：「瑞薩科技豐富的MCU產品多年來已在內嵌市場獲得成功，並有強大的產品開發、通過考驗的製造能力以及豐富的系統開發環境做為後盾。瑞薩科技的MCU每年皆贏得10,000項以上的設計，在各種應用領域獲得越來越高的接受度，例如消費性產品、汽車系統、工業產品、辦公室設備、及通訊產品等。在下一個階段，我們將在單一架構之下開發16與32位元的次世代CPU，以因應市場上對於16與32位元MCU產品日漸升高的需求。透過這次的發表，現有及未來的客戶皆可確信瑞薩科技不僅承諾支援我們現有的MCU產品系列，並將提供確實的升級途徑。瑞薩科技將致力於建立其全球領導地位，繼續領導MCU產品市場。(全球佔有率第一*1)。」
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0 H6 ]: D3 O! m3 a這項開發次世代16與32位元CISC*3 CPU的計劃，在瑞薩科技慶祝其創立四週年之際持續進行中。該公司計劃提供充足的資源以發展此計劃，而這些新款的CPU產品預期將可進一步擴大瑞薩科技的MCU事業。
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＜新CPU開發＞
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整合採用此新架構之CPU的裝置，其效能將可由16位元提升至32位元CISC。這些CPU將非常容易使用並將縮短系統製造商的開發時間。此外，由於維持與既有產品的相容性，新款CPU將可讓現有及未來的客戶保護其工程設計的投資。

瑞薩科技的標準開發環境High-performance Embedded Workshop將可為新款CPU及現有的MCU產品提供完整的支援。這將簡化軟體資源從現有產品轉移至以新CPU為基礎之MCU的過程，並可加快新軟體的開發與除錯速度。為確保客戶將可取得各種開發工具，瑞薩科技將推動聯盟合作伙伴計劃(Alliance Partner Program)，持續與協力廠商合作並透過網站積極主動分享有關新架構的資訊。

該公司將持續開發新產品並且為採用現有MCU產品的客戶提供支援。新款CPU的規格將於2008年上半年發表，而搭載新款CPU的第一個裝置預計將於第二季開始提供，亦即採用瑞薩科技90nm快閃MCU製程之CY2009。適用於汽車用途之裝置預計將在非汽車用途產品之後推出，並將依據市場需求決定時程。

* 1: 資料來源: Garter Dataquest (March 2007) "2006 Worldwide Microcontroller Vendor Revenue" GJ07168

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瑞薩(Renesas)發表內建快閃記憶體的R32C/118 Group微處理器，屬於內含R32C/100高效能三十二位元CPU核心之R32C/100系列產品。R32C/118 Group目前包含兩款產品，適用於多種用途，包括工業用設備及消費性電子產品，如音響元件。
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該系列產品是用在汽車用微控制器、工業及消費性設備領域M16C家族中複雜指令集(Complex Instruction Set Computer)微控制器的最高階產品。R32C/118 Group是接續M16C Family中M32C/80系列產品，處理效能約為現有產品的2.2倍。
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其內含的R32C/100 CISC CPU核心，是M16C家族中最強大的CPU核心，可相容於該系列現有的CPU核心，並且可提升作業處理效能、匯流排利用效率、及程式碼效率。R32C/118 Group的最大作業頻率為48 MHz，M32C/80 Series則為32 MHz。加上CPU核心架構的改良，整體處理效能大約為M32C/80 Series的2.2倍。由於相容於同系列現有的微處理器，因此可使用現有的軟體。只需升級微處理器即可獲得更高的系統效能。

該處理器內含CAN模組，可支援廣為汽車內設備及工廠自動化等產業領域所採用的網路標準。另外在序列介面通道數量方面，從現有的M32C/80系列的七個增加為九個。同時提供多種內建周邊功能，包括監時器、DMA控制器、先進功能計時器、A/D轉換器、及D/A轉換器。
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由於作業電壓範圍更大以及針腳相容性，因此可重複利用現有資源並強化系統效能。

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香港, 7月13日  -- Arrow Electronics, Inc. null 之全資附屬公司 -- 艾睿電子亞太集團今日宣佈它已將和瑞薩科技的分銷協議拓展至台灣市場。根據這項協議，艾睿電子亞太集團將為其在台灣地區發展中的客戶基礎帶來業界領先的瑞薩全套微控制器解決方案。
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, m1 ]1 W/ h% a; {0 H「基於我們當下在亞太地區的合作夥伴關系，我們很高興可以與瑞薩科技把合作業務拓展至台灣市場,」 艾睿電子亞太集團技朮服務及業務發展部副總裁梁淑琴表示，「瑞薩是微處理器行業中的領軍者，他們擁有以微控制器和微處理器為基礎的全套半導體解決方案﹔艾睿電子則具有強大的全球性實力和丰富的本土運營經驗。結合我們強大的營銷能力、技朮支持和供應鏈解決方案， 這次合作將助我們更有效地滿足來自台灣地區不斷增長的客戶需求。我們冀望與瑞薩精誠合作，全力拓展業務范圍以及加強發展市場的決心，提供符合本土業務及需求的產品及服務。」
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$ f9 i0 Q  }4 B0 u0 q# E7 F關於艾睿電子亞太集團

: H( Q  ^! |1 Q/ A$ y6 k/ ^7 O3 u艾睿電子亞太集團是 Arrow Electronics, Inc. null 的全資附屬公司，是亞太地區領先的元器件分銷商之一。亞太地區的總部位於香港，在亞洲十一個國家和地區共設有五十個銷售辦事處、四個主要的分銷中心和二十個本地倉庫。艾睿電子亞太集團經銷來自六十多家領先國際供應商的各種半導體產品、無源產品、機電產品和連接器產品，為一萬多家亞太地區的原始設備制造商和合約制造商以及商業客戶提供服務。

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在電源供應器與馬達控制應用的七項產品群中增加 30 項新產品
為市場需求強烈的特定領域挹注生力軍，擴展產品線進一步延伸並允許選擇最合適的裝置，以配合系統組態。  �
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" o! q  C9 n& t' o1 I4 D2007 年 8 月 27 日，東京訊  瑞薩科技今宣佈在七個產品群中增加 30 項新產品，這些新產品隸屬於 R8C/內建快閃記憶體之 Tiny Series 精密高效能 16 位元 MCU。 R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K 與 R8C/2L 產品群針對電源供應器控制與馬達控制而設計，具備 32-pin 封裝，而 R8C/2H 與 R8C/2J 則採用 20-pin 封裝。 預計將於 2007 年 8 月 28 日開始供應樣品。

R8C/Tiny Series MCU 均內建快閃記憶體，並結合高效能與使用簡易性。 R8C/Tiny Series 增添這 30 項新產品之後，產品總數將達 268 項。 瑞薩科技針對諸如電源供應器控制與馬達控制等特定領域而設計產品，使目前包羅廣泛的通用產品系列如虎添翼，提供能完美滿足特定客戶需求的解決方案。
! R" W9 ?$ \, J$ K- E這七項新產品群提供下列功能。

(1)D/A 轉換器與比較器 (R8C/2E 及 R8C/2F) 的第一個 32 pin版本
R8C/2E 與 R8C/2F 產品群是整合 D/A 轉換器 (8 位元 × 2 頻道) 與比較器 (2 頻道)，並新增至 12 頻道 A/D 轉換器的第一種 32-pin R8C/Tiny Series 產品，提供豐富的類比周邊功能，採用較少的針腳數量與精密的 32-pin 封裝，可用於廣泛的類比資料處理功能，而最適合電源供應器控制應用，例如安定器控制。
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* X0 L$ _9 q. q1 [+ {$ J& c(2)功能較少的產品群適用於較為廣泛的應用領域 (R8C/2G、R8C/2H 與 R8C/2J)
) J- b* c" M) AR8C/2G、R8C/2H 與 R8C/2J 產品群是現有 R8C/Tiny Series 產品的縮減周邊功能版本。 希望為系統選擇 MCU 以充分發揮功能的客戶，可用的選項數量因而增加。此外，這些 MCU 整合電壓偵測電路與比較器模式，能監控外部輸入電壓比較結果的電源供應器電壓或數位輸出。

! b# Z0 [( }9 a' [8 }(3)32-pin 封裝與計時器功能適用於馬達控制 (R8C/2K 與 R8C/2L)
) p, t+ o1 c+ d; lR8C/2K 與 R8C/2L 是 32-pin 產品群，計時器功能適用於馬達控制應用。 3 頻道 16 位元計時器具備輸入擷取/輸出比較功能。 單一 MCU 能處理 3 相 PWM (脈衝寬度調變；Pulse Width Modulation) 輸出與 3 相脈衝輸入，以控制無刷 DC 馬達等。
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< 典型應用 >
•產品適用於廣泛領域；包括電源供應器控制設備、馬達控制設備、家用電子設備、工業設備、電池驅動裝置、安全裝置、影像設備，以及辦公室自動化設備。

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電源供應器與馬達控制應用產品增加30項新產品
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瑞薩科技日前宣佈在7個產品群中增加30項新產品，這些新產品隸屬於R8C/內建快閃記憶體Tiny Series精密高效能16位元MCU。R8C/2E、R8C/2F、R8C/2G、R8C/2K與R8C/2L產品群針對電源供應器控制與馬達控制而設計，具備32-pin封裝，而R8C/2H與R8C/2J則採用20-pin封裝。預計將於2007年8月28日開始供應樣品。

; A4 e# L# N# c5 V1 T. n1 uR8C/Tiny Series MCU均內建快閃記憶體，並結合高效能與使用簡易性。R8C/Tiny Series增添這30項新產品之後，產品總數將達268項。瑞薩針對諸如電源供應器控制與馬達控制等特定領域而設計產品，使目前包羅廣泛的通用產品系列如虎添翼，提供能完美滿足特定客戶需求的解決方案。

R8C/2E與R8C/2F產品群是整合D/A轉換器與比較器，並新增至12頻道A/D轉換器的第一種32-pin R8C/Tiny Series產品，提供豐富的類比周邊功能，採用較少的針腳數量與精密的32-pin封裝，可用於廣泛的類比資料處理功能，而最適合電源供應器控制應用，例如安定器控制。

R8C/2G、R8C/2H與R8C/2J產品群是現有R8C/Tiny Series產品的縮減周邊功能版本。希望為系統選擇MCU以充分發揮功能的客戶，可用的選項數量因而增加。此外，這些MCU整合電壓偵測電路與比較器模式，能監控外部輸入電壓比較結果的電源供應器電壓或數位輸出。

) I9 i* Z! ?' t+ }  NR8C/2K與R8C/2L是32-pin產品群，計時器功能適用於馬達控制應用。3頻道16位元計時器具備輸入擷取/輸出比較功能。單一MCU能處理3相PWM輸出與3相脈衝輸入，以控制無刷DC馬達等。

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2007 年 10 月 9 日，東京訊 — 瑞薩科技今天宣佈其 2007 年環保報告書出爐(英文版本)。報告書涵蓋瑞薩科技總部與日本境內製造子公司的所有活動，並摘要說明 2006 年會計年度達成的環保成果，以及 2007 年會計年度的目標。

( ]: M: y* G! j. O) j5 i0 z9 b瑞薩科技為進一步將公司資源挹注於企業社會責任 (corporate social responsibility；CRS) 的領域，已採用「瑞薩科技集團 CSR 圖表」，並積極推動 CSR 活動。瑞薩科技並投入許多環境保育方案，這些方案也都屬於 CSR 的核心活動；且在下列三個領域推動環境保育及環保強化工作：
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. o, o9 M' W0 `(1) 以「生態工廠」(eco-factory) 方案減少溫室氣體的排放量 (PFCs*1)、節約能源，並達成零排放的目標；
% ^& C) e# M2 ~3 W: W, x2 V, y(2) 以「生態產品」(eco-products) 方案，經由產品評估，增加公司環保產品的種類與數量，並依據適用法規，例如 RoHS Directive *3，以管理產品的化學物質成分；
(3) 將「生態管理」(eco-management) 落實於環保會計、稽核，與資訊管理層面。

7 y  z# J! k7 T# y7 A新問世的報告書內含這些方案的詳細說明。2006 年會計年度已獲得的重大成果如下：

(1)減少 PFC，提早 4 年達成產業目標
瑞薩科技為減少排放 PFC，正在安裝 PFC 減量系統，並改採全球暖化潛勢 (Global Warming Potential；GWP) 等級較低的替代氣體。與 1995 年相較之下，2006 年的 PFC 排放量減少 14%，提早 4 年達成產業目標，此外也比 2007 年會計年度的原始目標日期提早一年達成減少排放量 10% 的目標。(半導體產業從 1995 年至 2010 年會計年度的整體目標是減少排放量 10%。)

(2)完全符合 China RoHS*4
; |+ y0 L$ G$ I2 E8 H7 _正如瑞薩科技的預期，China RoHS 規範於 2007 年 3 月 1 日生效，因此建立了產品內含物質的資料庫，並設置系統，將這些資訊迅速提供給客戶。
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(3)建置環保管理資訊系統
瑞薩科技以 2006 年會計年度成功啟用的環保資訊共用系統為基礎，建置了環保資訊管理系統，此系統連結化學物質管理系統與廢棄物管理系統 (於 2004 年會計年度開始運轉)，以及廢棄物處理商資料庫 (於 2005 年會計年度開始運作)，使資訊能在系統之間共用。此舉能集中管理來自於公司所有生產基地的環境負荷評估資料。此系統也用於收集資料、管理個別的報告書格式，並符合與 PRTR*5 及廢棄物清單相關的法令規定。
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瑞薩科技於未來將繼續努力降低事業營運的環境負荷；其中包括竭力減少製程負荷，並提供更符合環保的半導體產品。透過這些方案，最終目標是建立能真正重新活化自然環境的社會。

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支援7.2 Mbps高速通訊並相容HSDPA/W-CDMA及GSM/GPRS
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瑞薩科技日前宣佈，SH-Mobile G3高速高效能 System LSI正式問世。此產品是與NTT DoCoMo, Inc.、Fujitsu Limited、Mitsubishi Electric Corporation、Sharp Corporation及Sony Ericsson Mobile Communications等通信大廠共同開發之3G行動電話晶片。2007年10月起開始寄出試用版至各手機製造商，並預計此採用 G3 System LSI共同開發之3G行動電話平台*1將於2008年第三季完成。

. P4 F# F: O( @. A) s& X' BSH-Mobile G3為單晶片LSI，並且支援HSDPA cat，資料傳輸速率最高可達7.2 Mbps，具備雙模式通訊，可共用於WCDMA與GSM/GPRS。此晶片可讓手機進行高速資料傳輸，且適合用於日本及國際上的各類手機機型。此外，它整合baseband處理器，更方便進行通訊處理，並同時內含先進功能的應用程式處理器。例如，它可處理高階影像及高音質，並支援大型液晶螢幕，如WVGA等。

: h  j1 w5 k; i" D: A6 t先前的行動電話合作開發成果包括SH-Mobile G1，是一款單晶片LSI，適用於雙模式手機，並可支援WCDMA及GSM/GPRS。自從2004年7月NTT DoCoMo與瑞薩首次宣佈共同開發計畫以來，G1已於2006年秋天進入量產階段，且目前已廣為使用於各種行動電話產品。2006年2月，NTT DoCoMo、Renesas、Fujitsu、Mitsubishi Electric及Sharp更進一布宣佈共同開發3G行動電話平台，其中包括SH-Mobile G2, 支援軟體及多項功能，包括HSDPA高速資料傳輸等。G2平台目前仍持續開發中，搭載G2平台的手機產品預計將於2007年秋天上市。

也因為有此成功合作之基礎，共同開發計畫持續加溫，於2007年2月發表的最新型SH-Mobile G3及相關行動電話平台也進一步擴大及提升其功能，支援高速通訊。當開發工作於2008年秋季完成時，3G電話的使用將進入成熟的階段。屆時，對於行動電話之多媒體功能與快速下載大量資料的需求也將日漸增加，例如下載適用於大螢幕的高解析度影像等。此新平台將提供先進的功能，並有助於縮短開發時間，簡化手機的開發程序。

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東京與加州聖荷西電 — 2007年10月12日 — 瑞薩科技股份有限公司今天宣佈，有關Translogic Technology控告美商瑞薩與日立公司及其關係企業對其專利侵權部份乙案，贏得勝訴。日前美國聯邦巡迴法院(CAFC)裁定美國專利商標局授予Translogic Technology的專利案(No. 5,162,666)應屬無效，附帶並一併駁回前述的專利侵權告訴，推翻奧瑞岡州地方法院判給Translogic Technology 美金八千六百五十萬(含利息)損害賠償及禁止該爭議專利技術產品在美銷售的判決。

此項訴訟案是1999年由Translogic Technology向美國奧瑞岡州地方法院控告日立(以及後來從日立分出成為獨立子公司的瑞薩科技)及關係企業侵害該公司在微控制器的專利智慧權。在案件審理過程當中，瑞薩科技不斷向外聲明被控侵權之專利乙案並不成立，本身所製造的產品也並未違反任何專利智慧權，美國聯邦巡迴法院的判決最後證實這項聲明。
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過去瑞薩科技在第三者合法智慧財產權的議題上向來格外尊重及謹慎，未來仍將秉持這樣的精神，恪遵美國、日本、中國及其他國家等有關智慧財產權的保護法令。

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採用 90 奈米 (nm) 快閃製程 新一代微控制器(MCU)將是全球頂尖效能與最佳編碼效率的CISC裝置

2007 年 11 月 8 日，東京訊 — 瑞薩科技今天宣佈已完成創新型 CISC(1) (複雜指令集電腦；Complex Instruction Set Computer) CPU 架構的設計工作，此種架構將為瑞薩科技新一代 CISC 微控制器 (MCU) 的程式碼效率、運算效能與電耗，提供無與倫比的功能。採用此新架構的系列產品將以 「RX」 為名。
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RX 是率先採用瑞薩科技 eXtreme MCU 核心的系列產品，勢必在未來數年中為許多末端系統提供優異的效能與多樣功能。瑞薩科技預期，以新 CPU 的 16 與 32 位元版本為核心的 RX 裝置上市時，將加速擴展 MCU 業務，並支持瑞薩科技實現「普遍的網路化社會」的願景。
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目前的嵌入式系統因涉及較為複雜的設計，需要較高的效能及多種功能，並需使用先進的技術，因而使系統複雜度與程式大小均隨之增加， MCU 便必須執行得更快、且效率更高，才能即時執行大型應用程式。

+ ?! e& y1 S( D  g. o) N, B7 V& [瑞薩科技執全球 MCU 供應商牛耳(2)，已擁有廣泛的 MCU 產品組合，其中包括針對 16 與 32 位元市場的 M16C、H8S、R32C 與 H8SX 系列。全球對於這些泛用型微處理器的需求強勁，加上預測市場將繼續成長，尤其是 32 位元市場，激勵瑞薩科技挹注龐大的 R&D 資源，催生新架構問世。

2007 年 5 月宣佈圓滿達成目標的嶄新 RX 架構特性如下：
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# S; [; r1 F+ |. X& |% W; L7 ^$ A* J6 }1.最高操作頻率：200MHz
2.運算效能 (MIPS/MHz)：1.25 MIPS/MHz (Dhrystone v2.1 基準)
3.高程式碼效率(3)：與現有產品相較，目的碼大小減少達 30%
4.低耗電：0.03 mA/MHz
2 t5 |' ^4 W( y% I- W4 \5.與現有產品相容，且具擴充性
% d* Y3 z0 Z* ~  C' s# w) [
; R+ ]0 d  ?1 K" ]+ `此具備強大 CISC 指令的嶄新 RX 架構將提供這些強化功能，同時將瑞薩科技現有的 CISC 架構統一為單一平台。新平台將相容於現有 CISC 產品，使客戶能保持已有的投資成果。首款強化型 MCU 預期將於 2009 年第二季供貨，主要的目標市場包括辦公室自動化、數位消費性電子產品，與工業系統。

RX 架構重要特性之其他詳細資訊
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$ T& I0 G$ z$ @• 快速與高效能 CPU — 新架構提供高速操作 (200MHz)，同時每一時脈週期能處理更多指令：1.25MIPS/MHz (依據 Dhrystone v2.1 基準所測)。

新型 CPU 採用 Harvard 架構，此架構提供獨立位址與資料路徑，能在單一週期內執行指令與資料存取。此單週期功能也以獲得實證的瑞薩科技 MCU 予以測試及驗證。瑞薩科技為確保最高效能，在此架構上完成了包羅廣泛的設計與測試工作，結果此新架構藉由高效率使用暫存器、指令與位址模式而獲得完整最佳化。此外，它擁有 16 個 32 位元通用暫存器，允許 CPU 在所有可用暫存器中處理資料與位址。
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• 晶片內建浮點數單位 — RX CPU 為提供高度精密的即時控制與多媒體應用，整合了關鍵函式，例如乘、除，與乘加累計，也建置符合 IEEE754 規格的 32 位元單精度浮點運算器 (FPU)，以處理多種資料類型。FPU 減少資料處理工作所需的計算時間、數學計算所需的週期數量，以及回應任何發生事件所需的時間，因此即時效能獲得增強。
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• 程式碼的高效率使用 — RX CPU 核心具有 4GB 的位址空間，並支援 12 種類型的位址模式；其中包括 Register Indirect with Index 與 Post Increment。 新 CPU 核心支援從 1 至 9 個位元組的位元組單位可變長度執行指令，將 1 或 2 個位元組的指令指派至最常用的函式。所有這些增強功能使用較小的程式記憶體空間以編譯應用程式碼，因此降低整體系統成本。瑞薩科技預期新核心與瑞薩科技現有裝置相較之下，程式碼效率將增加 30% 之多。
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• 低耗電 — 將用於製造 RX 架構 MCU 的新開發 90 奈米製程，是低耗電、低漏電的技術。邏輯與電路設計上的提升，有效協助新架構在 CPU 全速運作時，使用中模式的耗電為 0.03mA/MHz 甚至更低。

3 t* L: W& j" S• 相容性與擴充性 — 瑞薩科技為提供客戶順暢的升級途徑，提升為較高效能的 MCU 或其他相容裝置，計畫為採用 RX 架構的所有裝置提供完整的開發工具套件。預期新工具套件將能簡化系統設計與應用程式碼的移轉作業，因此客戶能以較短的時間完成新產品的開發工作。新工具套件包括 C 編譯器，確保能重複使用程式碼，保護客戶在 H8 與 M16C 系列所做的寶貴投資。

附註：        
(1).CISC 代表 “Complex Instruction Set Computer” (複雜指令集電腦)。這種類型的 CPU 架構使用複雜指令，能提升控制處理的效能與程式碼效率。CISC 與 RISC (Reduced Instruction Set Computer；精簡指令集電腦) 相對，這種 CPU 架構的設計目標是藉助於精簡化指令集與高速技術，提高資料處理的效率。
/ v9 d# q7 n! z/ v# [(2).來源：Garter Dataquest (2007 年 3 月) "2006 Worldwide Microcontroller Vendor Revenue" (2006 年全球微控制器供應商收益)
; u9 ~; q1 [& B(3).程式碼效率：程式精簡度的指標。目的碼的效率越高，用以儲存程式所需的記憶體越小。

瑞薩科技新型 RX：CPU 核心規格
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) c. h) T- `" n0 P- U* C. |

項目	RX CPU 規格
CPU 核心	RX CISC 類型
最高操作頻率	200MHz
暫存器	32 位元 x 16 個
基本指令	87 個 ·可變長度指令格式 (1 至 9 個位元組) ·支援 3 種運算元
Endian 模式	·Little-Endian 指令 ·Big 或 Little Endian 資料
位址空間	4GB
定址模式	12 種類型 (Shortening register relative、Register indirect with post-increment、Register indirect with pre-decrement、Index register indirect 等)
浮點數單位	符合 IEEE754 規格，單精度浮點數單位 (支援加、減、比較、乘、除等)
Multiplier Unit (乘法器)	高速 Multiplier Unit (32 位元 x 32 位元 -> 64 位元)
Divider Unit (除法器)	高速 Divider Unit (32 位元 / 32 位元 -> 64 位元)
Multiply-and-Accumulate Unit (乘加法器)	高速 Multiply-and-Accumulate Unit : k) }2 T. x4 l% o' w; @) }(32 位元 x 32 位元 + 80 位元 -> 80 位元)
MIPS 效能 (目標)	超過 1.25 MIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
耗電 (目標)	0.03 mA/MHz 或更低

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2008/1/15- 瑞薩(Renesas)將計畫擴大其馬來西亞後端製程工廠，進一步強化該公司類比及離散半導體元件事業。此外，該公司已於馬來西亞新設立一家類比及離散半導體元件設計公司，藉此增加其設計資源。 該公司一向著重於兩項主要事業領域以獲得成長，分別是微控制器(MCU)事業及系統解決方案事業，並聚焦於行動通訊、汽車及PC/AV市場。2007年4月成立新標準產品事業群，以強化該公司類比及離散半導體元件事業。該公司藉由穩定基礎，已建立第三項主要事業，以達到進一步成長。 瑞薩目前在馬來西亞擁有兩座類比及離散半導體元件之後端製程工廠，分別是位於檳城(Penang)的Renesas Semiconductor (Malaysia)，以及位於吉打(Kedah)且為RSM完全擁有之子公司的Renesas Semiconductor(Kedah)。

  G; ]! g+ d$ p+ h  w目前的擴充計畫包括RSK的新廠房建築，將使該公司在馬來西亞的合併生產設施面積從目前約37,000平方公尺增加為43,000平方公尺。當2008年8月RSK的新廠房開始運轉時，於馬來西亞的類比及離散半導體元件生產量將會加倍，從目前每月六億個單元增加為十二億個單元。 此外，RSM的類比及離散半導體裝置設計部門將於2008年1月1日成立為獨立公司，名稱為Renesas Semiconductor Design (Malaysia)。該公司目前正在數個地點擴大其海外設計資源，例如中國與越南，藉此降低設計及研發成本。同時，該公司計畫將額外僱用一百位設計人員，在RDM的2009年會計年度將原本的一百人提升為兩百人。

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2008/4/30
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( N0 W/ Q; W2 zRenesas和歐洲的研發組織IMEC進行一項戰略研究合作，在Gbit/sec等級無線電通訊設備上，以130奈米RF收發器為基礎，發展45奈米Gbit/sec RF收發器。
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  X4 {0 R' j4 d　在短期內，IMEC的software-defined radio(SDR)計畫將專注於開發一種新的重組態無線電(reconfigurable radio)在45奈米數位CMOS製程技術，與一個可編程中心頻率(100MHz-6GHz)和可編程寬頻(100kHz-40MHz)，相較於state-of-the-art單訊號模式收發器，涵蓋所有關鍵通信標準。
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6 I7 h* y5 j7 R# G　Renesas將參加IMEC SDR的前段製程，其中包括可重構RF解決方案、高速低功耗類比數位轉換器(ADC)和數位化未來RF架構新方案，目的是為了更瞭解和研發Renesas未來移動電子產品的技術。
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　Renesas LSI產品技術部門董事會總裁與執行經理Masao Nakaya表示，「開發出一套創新RF結構的能力，與降低收發器產品中CMOS技術和電路技術的比例，將支援下一世代蜂窩標準(cellular standards)，如3GPP-LTE和4G是我們產品在成本、效能和功耗上高於標準的一項重要轉變。」

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瑞薩科技公司推出晶片內建1MB SRAM、適用於數位音效及圖形化儀表板之SH7262及SH7264 SuperH微控制器
無須外接SDRAM即可支援WQVGA TFT液晶螢幕；僅單晶片即可建構中低階系統
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7 K" ?, C, Z, `  V2 u瑞薩科技公司今日宣佈推出八款晶片:內建1MB SRAM記憶體、適用於數位音效及圖形化儀表板用途之SH7262及SH7264高效能32位元微控制器，預計於2008年8月起開始提供樣品。

2 h6 x3 ?; v) N1 c) G5 H在SuperH*1 32位元RISC微控制器/微處理器產品系列中，SH7262及SH7264屬於數位音效用途的SH7260系列微控制器。這些產品在晶片中內建1MB SRAM，可取代外接同步DRAM (SDRAM)，因此僅需利用單晶片，即可在中低階產品的圖形化儀表板系統或電視螢幕應用中，提供更強大的的繪圖功能。藉由豐富的周邊功能，在低成本的設計規格中提供更高的性能成本比(性價比)。由於最高運作頻率可達144 MHz，因此可在設備控制或數位音效訊號處理等用途中發揮更快的運作速度。

$ M6 e6 M' S. E) nSH7262採用176-pin QFP封裝，SH7264則採用208-pin QFP封裝。以下為上述產品主要功能摘要。

晶片內建業界最高的1 MB SRAM，無須外接SDRAM
! v: a- ^: k6 _7 H6 ^! s+ q晶片內建充足的1 MB SRAM可用於視訊顯示。在實現繪圖顯示功能時，它可以做為畫面暫存器以暫時儲存視訊資料，由於具備寬裕的SRAM容量，因此最大可使用WQVGA (480 x 240畫素)的TFT液晶螢幕，並且無須外接SDRAM做為視訊記憶體。如此有助於減少系統零組件的數量，並有助於設計出更精巧的產品。(在此範例中，晶片內建SRAM可做為畫面暫存器使用，最多可儲存兩個畫面。) 或者，亦可將內建SRAM用於儲存程式或資料。

由於內建多種周邊功能，包括新增的繪圖顯示功能，因此可大幅降低系統成本。
SH7262及SH7264提供新的視訊顯示及數位視訊輸入腳位，可運用於繪圖及視訊顯示。它可支援錄影、縮小畫面、透明及半透明影像重疊效果(alpha blending)及視訊輸入重疊等功能。數位RGB輸出腳位可支援RGB565格式(其中每個顏色為16位元：紅色[R]為5位元、綠色[G]為6位元、藍色[B]為5位元)輸出影像或視訊，最大尺寸為WQVGA。此晶片內建功能可供開發包含後方或側面攝影畫面的汽車資訊系統，以及中低階圖形化儀表板系統，僅需較少的零件及較低的成本。
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另外，16位元外部資料匯流排可直接支援外部記憶體，例如快閃ROM、SDRAM或SRAM，無須額外零件。新增的周邊功能包括可控制高達四種儀器顯示畫面的馬達控制PWM計時器，以及可解壓縮視訊資料的解壓縮單元。延續較早的SH7260系列產品的周邊功能包括CAN*2介面、支援USB 2.0高速規格之Host/Function功能及音訊處理。上述周邊功能可為中低階數位音效產品及圖形化儀表板系統提供所需要的完整周邊功能及介面。SH7262及SH7264唯一需要外加的裝置是儲存程式用的外接記憶體，因此幾乎僅需使用單晶片即可建構整個系統，如此有助於降低系統成本並縮短系統開發時程。

<產品詳細資訊>
6 O( H9 d& c, s. zSH7262及SH7264搭載SH2A-FPU CPU核心(整合FPU)，最大運作時脈144 MHz，可提供優異的處理效能。SH2A-FPU的指令集向後相容於SH-2A及SH-2 CPU核心，因此開發人員可重複利用為先前產品所建立的程式碼。另外，相較於SH-2，程式碼效率提升了約75%，因此，相同程式的程式碼大小可縮減為原來的四分之三，可節省用來儲存程式的記憶體空間。
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結合優異的訊號處理性能及程式碼效率，將可更快速地壓縮及解壓縮數位音效應用所需要的音訊資料格式，例如MP3、WMA或AAC (Advanced Audio Coding)，而且可降低程式的大小。由於新增大容量的SRAM，在單晶片上不僅可執行設備控制及數位音效的處理作業，並且可執行視訊顯示功能，如此將可減少所需要的零組件數量，並有助於降低系統成本及耗電量。
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由於這些豐富的晶片內建功能，因此幾乎單晶片即可建立完整的系統。它不僅可達成高階功能，並可降低所使用的零組件數量及系統成本。
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SH7262及SH7264各提供四種版本，每種版本具備不同的CAN介面及IEBus*4介面組合，因此共計有八種版本的產品。另外，每個產品版本均有兩種作業溫度範圍，分別為–40至85°C或–20至85°C，因此總計有16種產品料號，客戶可選擇最符合需求的產品。
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SH7262採用176-pin QFP封裝，SH7264則採用無鉛208-pin QFP封裝。這兩種產品均內建晶片除錯功能*5，可在最大運作時脈下進行即時除錯。E10A-USB除錯器使用USB匯流排電源，不需要外部供電，可用於開發環境。瑞薩科技提供中介(Middel-Ware)軟體，數位音效壓縮標準如MP3、WMA及AAC，可用於建立相容於多種codec的系統。另外亦提供CD-ROM使用之ISO 9660檔案系統及硬碟機使用之FAT32檔案系統的軟體，這些軟體解決方案有助於數位音效產品的開發作業。
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未來支援高階市場的SH7260系列微控制器將包含多重核心產品，提供優異的效能、更大的晶片內建記憶體、以及更先進的周邊功能，例如先進的顯示功能。除了上述可提供更快速、高效能、及豐富功能的產品之外，瑞薩科技亦將持續推出適用於低階系統的低成本產品，以因應市場的需求。
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< 典型應用>
# s3 }% y& V0 [/ R3 b( U數位音響、車用CD 播放機、內建硬碟汽車音響…等
繪圖式儀錶板及車用顯示系統
4 P! M! s: j. V* L! Q0 q工業設備、定序器、自動控制裝置

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瑞薩(Renesas)宣布開發RX600系列微控制器(MCU)，將重新定義複雜指令集電腦(CISC)MCU效能。這項新產品預計將於2009年第二季起開始供應樣品，並將是第一個整合次世代「RX」CPU架構之32位元產品，其最高可提供200MHz的CPU效能，並具備世界最快速的單週期快閃記憶體存取能力(100MHz)。  

; i% k% l& z7 F# R: {9 bRX系列產品的開發目的是為滿足市場對於高速、高效能、大容量內建記憶體及省電MCU的需求，以支援內嵌系統日漸複雜化的趨勢，以及對於高效能的需求。瑞薩希望推出RX系列產品，藉由具有擴充性的CISC架構，以因應32位元應用領域的快速成長。瑞薩於2007年5月發表次世代CISC CPU核心架構的開發計劃，並已於2007年11月宣布完成RX架構設計。  

% b( Z2 U( q8 ]2 b瑞薩董事兼MCU事業群總經理赤尾泰(Yasushi Akao)表示，RX家族將成為瑞薩MCU事業的重要核心產品，新產品線將包含次世代的各種系列，使其現有的16位元及32位元CISC MCU產品更加完整及強化。除新的32位元RX600系列外，RX家族還將包括16位元的RX200系列，其目標市場為低功耗及需要高速運算之應用領域。  
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/ d% t: S+ X( a' p! a) J瑞薩將繼續開發及大量生產現有的16位元與32位元CISC MCU產品，包括M16C、H8S、H8SX，以及R32C等家族。這些受到市場歡迎的裝置可應用於多種領域，特別是消費性產品、汽車、工業、辦公室自動化，以及通訊等領域。

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0 n( u& O, |) T+ P# d2 ]7 `/ K0 u" W相較於原有採用瑞薩功率MOSFET以Dual-Type所組成之產品，新產品的安裝尺寸僅有二分之一，可供設計尺寸更小的電源供應元件。

瑞薩科技推出RJK0383DPA Dual-Type功率MOSFET，可為筆記型電腦及通訊裝置等產品所搭載之記憶體或ASIC等元件提供同步整流DC/DC轉換器，並可提供更高的電源供應效率，預計於2008年10月起在日本開始提供樣品。

RJK0383DPA結合兩個不同類型的功率MOSFET，組成同步整流DC/DC轉換器，並採用WPAK*1 (瑞薩科技封裝代號)高散熱封裝技術，尺寸為5.1 × 6.1mm，厚度為0.8mm (max)。
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以下為RJK0383DPA主要功能摘要。

( k8 r# v6 ~. \9 j; W' L# l& M% K7 [(1)採用先進製程，可提供高達91.6%的電源供應效率
RJK0383DPA採用最先進的第十代功率MOSFET，可達到更高的電源供應效率。例如，將12V輸入電壓轉換為1.1V輸出電壓時，電源供應效率可達到91.6% (切換頻率為600 kHz)，為目前業界最高水準。相較於瑞薩科技較早期的Dual-Type產品，此功率MOSFET處理的電源供應輸出電流約增加為兩倍。

' _/ y, z9 P' f# D" j(2)相較於舊有的Dual-Type功率MOSFET產品，新產品的安裝尺寸僅有二分之一，可提供設計尺寸更小的電源供應元件以及更高的安裝密度
# L- l& }$ L7 q* J$ y由於可提供更高的電源供應效率，RJK0383DPA的晶片安裝面積為Dual-Type功率MOSFET產品二分之一，可提供製造尺寸更小同步整流DC/DC轉換器及更高的安裝密度。RJK0383DPA對於要求體積輕巧的應用特別有效，例如行動裝置。

RJK0383DPA將另外發展兩款具備不同輸出電流的衍生產品，分別是RJK0384DPA與RJK0389DPA。同樣預計於2008年10月起在日本開始提供樣品。
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. D" {2 V- G. c+ i, K< Product Background >
在典型的通訊裝置或資訊裝置上，例如筆記型電腦或繪圖卡，記憶體、ASIC、及繪圖處理器(GPU)所使用的電壓都各不相同，因此需要使多個同步整流DC/DC轉換器。另外，由於近年來這些裝置的功能與效能越來越高，所處理的資料量也越來越多，因此每個微晶片元件的耗電量也隨之升高。同時，市場也要求同步整流DC/DC轉換器應具有更低的電壓及更高的電流規格。由於單一系統內所搭載的功率MOSFET數量逐漸增加，問題也隨之產生。
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  ?* x7 K7 B0 u) t) }7 U" L為了因應上述問題，瑞薩科技致力於提升功率MOSFET產品的效能及封裝技術。藉由Dual-Type製造方式以提升同步整流DC/DC轉換器的電源供應效率，在不增加功率MOSFET數量的情況下，得以大幅提昇電源供應輸出電流。此外，瑞薩科技已成功開發並大量生產將兩個功率MOSFET整合為單一封裝的Dual-Type產品，藉此可縮小安裝面積。但是，由於Dual-Type產品由於有散熱的問題，因此在電源供應效率上不如分別封裝(two-package)的功率MOSFET產品，而且電流輸出也比較低。而市場明確地希望Dual-Type功率MOSFET產品能夠提升電源供應效率，以符合行動裝置的小型化需求。

RJK0383DPA是採用低耗損且先進的第十代製程的Dual-Type功率OSFET。相較於瑞薩科技舊款的Dual-Type產品，約可提高7%的電源供應效率。
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< Product Details >
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( |7 M- r2 A- k2 LRJK0383DPA整合了兩個不同類型的功率MOSFET，一個是Hight-side的元件，另一個則是Low-side的元件*2。High-side的功率MOSFET具備1.5 nC的汲閘負載電容(drain-gate load， Qgd) (當VDD=10V)，可提供高速的切換速度及高效率。Low-side功率MOSFET具備3.7 m� (typ. : 4.5 V)較低的導通電阻*3 (RDS (on))，可降低電源的損耗。
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+ I) q' y& {/ F- n1 `# Y另外，Low-side功率MOSFET與蕭特基二極體(Schottky Barrier Diode， SBD)整合在同一晶片中，以降低兩者之間的線路寄生電感*4。如此可在DC/DC轉換器的停滯時間(dead time)加快電流切換至蕭特基二極體的速度，以進一步降低損耗。同時也具有在切換時抑制電壓突增(voltage spike)的效果，因此可降低雜訊。
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相較於第九代製程，用於製造RJK0383DPA的第十代製程可達到更低的損耗及更高的效率。導通電阻約降低30%，而與其屬於相反特性的閘極電荷容量(gate charge capacitance， Qg)及汲閘負載電容(drain-gate load， Qgd)亦分別降低27%及30% (均為與具備相同導通電阻之舊款功率MOSFET比較之結果)。

! t; |0 `% T  ~, i2 WRJK0383DPA將另外發展兩款具備不同輸出電流的衍生產品，分別是RJK0384DPA與RJK0389DPA。為了因應市場需求，未來本系列產品將增加更多適用於其他DC/DC轉換器電源供應規格的產品。

4 y4 F& s' W+ b; v- ^% X6 n備註：
! a1 B% y8 Z9 i4 F! ?% J( b+ g1.WPAK高散熱封裝：在功率MOSFET中，產生熱的來源包括導通電阻、切換、及類似的耗損因素。可控制的電流量事由散熱的效率來決定的。WPAK封裝架構的內側備有散熱閘極接墊(die pad)將熱量分散至基板，因此可控制更大的電流。

2.High-side及low-side元件：這些元件使用於非絕緣型DC-DC轉換器開關，可在High side與Low side之間以切換開關的方式進行電壓的轉換。High-side在On期間控制一個週期內約10%的短脈衝，而剩餘的90%則為Low-side元件的On期間，因此High-side元件重視切換速度的特性，而Low-side元件則重視低導通電阻的特性。
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3.導通電阻：功率MOSFET的運作電阻。導通電阻是影響功率MOSFET效能的最大因素，當導通電阻降低時，其效能就會提升。
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4.線路寄生電感：一種自然出現在纜線中的相互電感，其數值大約與纜線的長度呈一定比例。此數值越大，功率MOSFET與蕭基特二極體之間的電流切換時間就會越長，而切換損耗也就越大。
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& c, u6 x' z5 W, }# C< 主要用途 >
) @% C2 U, B3 c. g  o# a筆記型電腦、繪圖卡、伺服器、及通訊裝置上的同步整流DC/DC轉換器

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2007 年 9 月 18 日，東京與都柏林訊：全球頂尖微控制器 (MCU) 供應商瑞薩科技*1 (Renesas Technology)，與電容式觸控感測技術領導廠商Quantum Research Group (QRG)，今日宣佈,  雙方將共同開發全新的電容式觸控感測解決方案。此協議將為客戶提供 QRG 的專業技術與經驗，並結合以瑞薩科技 MCU 系列的創新 QProx™ 技術，以及其素來優異之品質、生產力與可靠的供應鏈等,  作為兩者結盟之堅強後盾。

電容式觸控感測技術的特色,  在於不需使用活動零件，並能適用密封之表面，與前一代的機電控制技術相較之下，除了可提昇產品穩定度外，製造也較為簡易，並可容納更多的產品創新設計。
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+ F5 L1 u: w9 c. _電容式觸控感測技術, 將提供設計者前所未有的更多元介面，包括按鈕、彎曲控制表面上的轉盤與滑桿，以及近似真實產品功能與外觀的觸控式螢幕及面板等。預期將廣泛地應用於高成長速度的各觸控式技術領域,  其中包括行動電話、大型家電與汽車系統等。
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- f! O3 b( k& @- {1 V, |; X6 B* ^$ ]瑞薩科技 MCU 事業群董事兼總經理，Hideharu Takebe 先生表示：「此技術已在本公司 R8C 系列 MCU 上通過實證,  也即將擴展其應用至 H8 與 M16C 等系列。」
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) N3 D& Q/ H, s& `, F: k/ sQRG 和瑞薩科技已完成其 R8C/29 MCU雙按鈕示範裝置，此裝置是將QRG 之QTouch 技術部署於瑞薩的 R8C 系列上,  也將藉此開啟合作的開端,  更進一步共同開發世界各地之客戶的新產品與新應用。

6 R- B3 v& U( K* F- d! |2 S- vQRG 執行長 Hal Philipp 先生表示：「Quantum 極為審慎選擇策略伙伴。瑞薩科技是全球 MCU 領導供應商，製造高品質裝置，並注重供應鏈的可靠度與穩定度。本公司與瑞薩科技的協同合作，將為本公司與客戶帶來重大利多。」他繼續表示：「瑞薩科技的 MCU 產品系列涵蓋範圍極廣泛，可結合本公司產品,  更進一步滿足廣泛的應用領域。」
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8 ?6 n, _4 D. n( {* O) ?QRG 將配合客戶，創造優異的使用者介面，並依據應用領域及各種市場區隔，選擇最適用的裝置。瑞薩科技則將將提供原材料與供應鏈管理技術。

註 1：來源：Garter (2007 年 3 月) "2006 Worldwide Microcontroller Vendor Revenue" (2006 年全球微控制器供應商收益) GJ07168

: [: ~) Z0 B: ^6 o+ p關於 Quantum Research Group
( _) P* D9 g' }4 m( RQuantum 公司創建於 1996 年，為電容式觸控感測產品與技術之領導供應商，其獲獎的 QTouch™ 與 QMatrix™ 技術內嵌於 Quantum 製造的 30 多種專屬觸控感測控制器中，以滿足行動通訊與娛樂市場、PC、各式裝置，以及汽車產業中的各種應用領域。Quantum 的感測技術是以其專利的電荷轉移方法為基礎，並藉助多個按鈕、轉盤、滑桿、觸控板與觸控式螢幕進行各種應用。 該公司為私人擁有，總公司位於英國漢伯 (Hamble)，分公司設於愛爾蘭、德國、日本、中國、韓國與美國。若需詳細的公司與產品資訊，請造訪 www.qprox.com。

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手機與NTT DoCoMo 共同研發且內含雙模單晶片 LSI， 將由富士通與三菱電機生產

【2006 年 11 月 14 日 - 東京】瑞薩科技 (Renesas Technology) 今日宣佈 SH-Mobile G1已獲NTT DoCoMo 最近新推出的 FOMA 903i W-CDMA 行動電話所採用。SH-Mobile G1 於 2004 年 7 月發表，是由瑞薩科技和 NTT DoCoMo 公司共同研發的雙模單晶片 LSI，可同時支援 W-CDMA (3G) 與 GSM/GPRS (2G) 二種通訊標準。內含 SH-Mobile G1 的 FOMA 903i 手機，將由富士通公司 (Fujitsu Limited) (F903i) 與三菱電機公司 (Mitsubishi Electric Corporation) (D903i) 負責製造。

1 w& Q7 E* l& J富士通行動電話事業群平台研發處總經理坂田稔氏表示：「SH-Mobile G1 首先應用在 F882iES 系列手機上，由於 SH-Mobile 晶片讓我們能設計精巧輕薄的手機，使得此一系列從 9 月發表以來即大受歡迎。這次相同的晶片將用於 F903i 系列，以協助提升手機功能，並降低功耗、縮小尺寸。未來我們計劃推出一系列更多使用 SH-Mobile G1 的新手機。」

三菱電機行動終端中心副總經理佐田耕一指出：「新 D903i 所使用的 SH-Mobile G1，使我們更容易製造更輕巧、但功能大幅提升的手機。未來我們計劃利用 SH-Mobile G1 強化我們更多的產品。」
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1 Y1 _$ @/ }6 x: v瑞薩科技系統解決方案事業二處副總經理川崎郁也則指出：「我非常高興支援 NTT DoCoMo FOMA 服務的 F903i 與 D903i 新手機，能採用 SH-Mobile G1。我們計畫在未來以 SH-Mobile G 系列為核心，積極努力為全球 W-CDMA 市場研發新的行動電話平台，包括  FOMA 等等。」
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SH-Mobile G1 的目標在降低成本，並推動全球加速採用 W-CDMA 行動電話手機，如 FOMA 行動電話等。它是一種單晶片裝置，結合雙頻 LSI，支援 W-CDMA 與 GSM/GPRS 通訊標準，並採用瑞薩科技的 SH-Mobile 應用處理器。此 SH-Mobile G1 融合 NTT DoCoMo 的 W-CDMA 技術，以及瑞薩科技的先進 LSI 生產技術和多媒體應用技術，同時提供高效能與低功耗的特性。
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FOMA 903i 支援 Napster™、“one-segment”數位地面廣播及 Mega i-appli，具有更高的娛樂功能性及生活型態功能，例如包含電子錢包及 GPS 功能的 Osaifu-Keitai 加強版。
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3 L, C% H8 v$ C6 q) P; W. Z富士通 F903i 的螢幕具備旋轉功能，方便使用者開機及操作各種不同功能，包括啟動照相機與 i-appli 程式等。它的寬螢幕景觀螢幕提供輕鬆使用的直式顯示功能，讓使用者上網時能看到完整的瀏覽視窗，並享受優良畫質的電影。

9 f8 P4 y9 L$ }3 G9 W3 X三菱電機的 D903i 具備 2.8 吋寬螢幕 LCD 面板，可支援全瀏覽器視窗顯示。此外，它亦融合若干先進功能，如 FM 廣播及 FM 頻道發送器。  

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FOMA與  i-appli 是 NTT DoCoMo 公司在日本及其他國家的商標或註冊商標。NTT DoCoMo 的 FOMA 服務只提供日本地區的用戶。
Osaifu-Keitai 的行動電話配有非接觸式 IC，可支援線上功能及服務
5 U2 n% A1 H6 QNapster 是 Napster, LLC 在美國與其他國家的商標。
+ }" V* g$ [  X其他產品名稱、公司名稱或品牌，均屬於相關擁有者的財產。

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瑞薩科技與NTT DoCoMo、Fujitsu、Mitsubishi Electric、Sharp及Sony共同開發之3G行動電話晶片SH-Mobile G3 System LSI將開始供應樣品
/ d! }) {, _% K7 S$ T' q- 單晶片、雙模式LSI支援7.2 Mbps高速通訊並相容於HSDPA/W-CDMA及GSM/GPRS -

2007年10月3日東京訊 - 瑞薩科技公司今日宣佈，SH-Mobile G3高速高效能 System LSI正式問世。此產品是與NTT DoCoMo, Inc.、Fujitsu Limited、Mitsubishi Electric Corporation、Sharp Corporation及Sony Ericsson Mobile Communications等通信大廠共同開發之3G行動電話晶片。2007年10月起開始寄出試用版至各手機製造商，並預計此採用 G3 System LSI共同開發之3G行動電話平台*1將於2008年第3季完成。
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SH-Mobile G3為單晶片LSI，並且支援HSDPA cat.8*2，資料傳輸速率最高可達7.2 Mbps，具備雙模式通訊，可共用於W-CDMA與GSM/GPRS。此晶片可讓手機進行高速資料傳輸，且適合用於日本及國際上的各類手機機型。此外，它整合了baseband處理器，更方便進行通訊處理，並同時內含先進功能的應用程式處理器。例如，它可處理高階影像及高音質，並支援大型液晶螢幕，如WVGA (864 × 480畫素)等。
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0 H  _4 g- b3 x# T( L' {+ w) }/ \6 P先前的行動電話合作開發成果包括SH-Mobile G1，是一款單晶片LSI，適用於雙模式手機，並可支援W-CDMA及GSM/GPRS。自從2004年7月NTT DoCoMo與瑞薩科技首次宣佈共同開發計畫以來，G1已於2006年秋天進入量產階段，且目前已廣為使用於各種行動電話產品。2006年2月，NTT DoCoMo、Renesas、Fujitsu、Mitsubishi Electric及Sharp更進一布宣佈共同開發3G行動電話平台，其中包括SH-Mobile G2, 支援軟體及多項功能，包括HSDPA高速資料傳輸(最快3.6 Mbps)等。G2平台目前仍持續開發中，搭載G2平台的手機產品預計將於2007年秋天上市。

也因為有此成功合作之基礎， 共同開發計畫持續加溫， 於2007年2月發表的最新型SH-Mobile G3及相關行動電話平台也進一步擴大及提升其功能，支援高速通訊(HSDPA cat. 8最高可達7.2 Mbps)。當開發工作於2008年秋季完成時，3G電話的使用將進入成熟的階段。屆時，對於行動電話之多媒體功能與快速下載大量資料的需求也將日漸增加，例如下載適用於大螢幕的高解析度影像等。此新平台將提供先進的功能，並有助於縮短開發時間，簡化手機的開發程序。

全新的行動電話平台將採用統一的實作方式，並同時整合G3系列。其共同開發的參考設計包括週邊設備晶片組，如聲音/電源與RF frond-end模組、Symbian OS™、支援套件、及多媒體 middle ware等。

' ], L& ?4 s, D, Z# t% [Notes:        
' Y$ {" P5 S1 E% Q! S' _1.Mobile phone platform: A base system for mobile phones that integrates the necessary hardware, such as the baseband processor and software. (A baseband processor is a device that handles communication functions within a mobile phone, and an application processor is a device that performs processing for multimedia applications such as audio and video.)
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& j1 ]7 w: Y# U- b0 b6 q2.HSDPA: High Speed Downlink Packet Access. An enhanced and high-speed version of the 3G W-CDMA data transmission standard. The top data transmission speed of the current implementation of FOMA&reg; is 384 kbps. When the HSDPA cat. 8 standard is introduced, it will support communication speeds of up to 7.2 Mbps.        

4 g2 f$ d# r- F1 W“FOMA” is a registered trademark of NTT DoCoMo, Inc.Symbian, Symbian OS, and other associated trademarks and logos are trademarks or registered trademarks of Symbian Software Ltd.Other product names, company names, or brands mentioned are the property of their respective owners.

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瑞薩科技於M16C/5L與M16C/56 Group，推出14款新型16位元內建快閃記憶體MCU，適用於汽車車身與底盤控制應用。
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6 n2 D3 o+ _- ]2 Q, {+ k瑞薩科技公司9/26日宣佈擴充M16C家族中M16C/Tiny系列16位元微控制器(MCU)的產品陣容，推出14款M16C/5L與M16C/56 Group的新產品，適用於汽車車身與底盤控制應用。預計於2008年10月起在日本開始提供樣品。
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新產品為瑞薩科技M16C/Tiny系列中的M16C/28 Group及內含CAN控制器的M16C/29 Group的後續產品。它們提供先進的功能與效能，以及豐富的內建週邊功能，協助降低整體系統成本。M16C/5L Group內建CAN控制器。上述兩個Group的產品均相容於現有的MCU產品，可提供具有彈性的方式以擴充系統功能或進行版本升級。

另外，上述Group的延伸版本M16C/5M Group正在開發中，此Group的產品將增加CAN通道數、整合LIN介面、以及E2資料快閃記憶體以便於儲存資料，並將提供三種封裝(64-pin、80-pin、及100-pin LQFP)，且相容於現有MCU產品。總計將提供16個版本，預計於2009年第3季起開始提供樣品。如此將可提供客戶更多樣化的選擇以符合客戶的需求。
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2 z- o" k2 ~( j( V$ [2 L1 h0 Q2 S% z<產品背景>

* ~9 M$ I4 r4 Z4 E# l* qM16C系列MCU是以高可靠度為設計導向所開發的產品。由於具有低EMI (電磁干擾)、高EMS (電磁耐受性)、防止誤動作之保護措施、及安全功能，因此廣受各界好評。另外，其低耗電及優異的ROM code效率的優點也獲得高度的評價。瑞薩科技已大量開發及銷售此系列的產品，以因應系統開發人員對於更高效能與功能的需求。

其中的M16C/Tiny系列低腳位(low-pin-count， LPC) MCU搭載M16C/60高效能16位元CPU核心，已廣泛應用於多種汽車控制系統，例如車身與底盤控制、sub-MCU引擎控制、及機車引擎等。

在汽車控制系統領域中，除了要大幅提昇功能與效能之外，很重要的是為現有的軟硬體提供支援。另外，也必須提供現有及新的平台之間的相容性。因此，瑞薩科技設計了M16C/5L與M16C/56 Group，為M16C/Tiny系列產品帶來更高的功能與效能，同時可繼續利用現有的資源，這些新產品將可讓開發人員在短時間內建立具有更強功能與效能的系統。

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M16C/5L與M16C/56 Group的功能摘要如下。

: b7 [, V8 F) ~: s; ]5 x# T, r(1)與現有瑞薩科技MCU產品相容且提升運算速度1.6倍
/ n: }3 Z9 c* P* b  A4 j: }# H7 rM16C/5L與M16C/56 Group與此系列現有的MCU同樣採用M16C/60 CPU核心 這兩個新Group的最高運作時脈為32 MHz，約為現有MCU的20 MHz (供應電壓3.0 V至5.5 V)的1.6倍。提供64-pin與80-pin兩種封裝，以提供針腳與週邊功能的相容性。這使得以現有MCU設計的系統能夠很容易地更新功能與效能。

+ V0 [! K* ?9 ^5 M( {+ L* v(2)產品線中包含內建最大256 Kbytes快閃記憶體的產品，為先前產品的兩倍
) G9 t3 F! B4 CM16C/5L與M16C/56 Group的所有產品均內建快閃記憶體。80-pin封裝的產品提供96 Kbytes、128 Kbytes或256 Kbytes快閃記憶體，64-pin封裝的產品則提供64 Kbytes、96 Kbytes、128 Kbytes或256 Kbytes快閃記憶體。

最大記憶體容量256 Kbytes為此系列現有MCU產品的兩倍，因此可容納較大的程式以提供更先進的功能。M16C/5L與M16C/56 Group整合16 Kbytes快閃記憶體，適用於儲存小容量程式，例如重新寫入快閃記憶體等。為了降低外接記憶體的需求，新款MCU包含了資料快閃記憶體(4 Kbytes x 2 Blocks)，可供儲存資料，並可重新寫入一萬次。

, d) M1 H, ?" C3 g3 Z: S% B' {(3)配備豐富且先進的功能，可降低整體系統成本
* D1 D: X7 J' M* J$ @5 t這兩個新Group的產品可提供先進的功能及豐富的週邊功能，藉此可降低整體系統的成本。DMA控制器通道從原有的兩個增加為四個，其他功能還包括可利用內建高速震盪電路進行操作的高功能看門狗計時器(Watchdog timer)、低電壓偵測功能及內建高速震盪器。這些晶片內建的週邊功能有助於減少所需要的外部元件數量，例如可以省去外加看門狗IC及外部震盪線路等。

除以上所述之外，M16C/5L與M16C/56 Group還加入了即時時鐘(RTC)，可記錄的時間範圍從一秒到一星期，另外還有工作監視計時器，可用於管理工作處理時間，這些新增的功能將可提供更優異的系統功能。其他可用於汽車控制應用的晶片內建功能還包括三相馬達控制計時器；可支援輸入擷取、輸出比較及PWM輸出的計時器；序列介面；高速A/D轉換器以及CAN控制器(M16C/5L)。
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# Q5 K- W4 G8 n  n; P這些完整的晶片內建週邊功能可降低所需要的外部元件數量，藉此減少系統的尺寸及成本。

, N. W% F3 F3 M% LM16C/5L與M16C/56 Group亦提供低耗電的省電操作模式。藉由使用高速或低速的晶片內建震盪器，耗電量將比使用外部時脈輸入更少。藉由使用低速模式，例如subclock或等待模式，將可進一步降低耗電量。這些模式可為汽車車身應用提供所需要低耗電運作。
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為了因應汽車的需求，運作溫度範圍為–40至85°C。另外亦支援–40至125°C的廣溫版本。
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可提供的開發環境將包括E8a晶片內建除錯模擬器，亦可做為快閃記憶體程式開發工具使用，另外還有價格合宜的E100全規格模擬器。
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* J' L, y0 y. n% w1 R. G' u- T瑞薩科技將持續推出M16C/5M Group的新產品，開發高效能並內建週邊功能的MCU產品，以最快的速度因應客戶與市場的需求。

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& v7 z+ |7 E: c& z& N# j瑞薩科技推出採用65奈米製程之SH7786雙核心處理器，適用於高效能多媒體系統如汽車導航系統。
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3 Q! c. i( c% {7 O8 G4 f" i1 H瑞薩科技宣佈推出採用65奈米製程之SH7786雙核心處理器，適用於高效能多媒體系統，例如如汽車導航系統。這款處理器的處理效能高達1，920 MIPS(每秒百萬條指令) (960MIPS× 2，以533 MHz時脈運作時)，並具備超高的資料傳輸速率。預計於2008年10月起在日本開始提供樣品。此產品將於2009年開始供應瑞薩科技廣大的消費者及產業客戶。
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瑞薩科技先前已開發採用90奈米製程之SH7786雙核心處理器，並達到與65奈米製程產品相同的處理效能。但是，65奈米製程版本藉由更精密的製程達到更省電的目標，並整合DDR3-SDRAM記憶體介面而達到超高的資料傳輸速率。
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1 w/ M8 [$ w0 G9 c以下為新型SH7786產品的主要功能摘要
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+ X  P/ w& f) V& A$ i(1)兩個高效能SH-4A CPU核心可提供1，920 MIPS的優異處理能力
9 D& C3 F2 }8 {. K) V: N4 R+ d新型SH7786整合兩個SH-4A高效能32位元RISC CPU核心，在533 MHz時脈下運作時，每個核心的處理效能為960 MIPS，最大處理效能可達1，920 MIPS。它可以因應配備有影像顯示、高品質聲音播放及影像識別等功能之次世代導航系統對於高速處理複雜資料的需求。
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1 D% ^( n0 V9 [  C9 Q, M1 d- R另外，65奈米製程可降低耗電量及發熱量。而且兩個CPU核心可各自指定三種不同的低耗電模式，進一步降低耗電量。
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' ?/ v" D1 t3 [- b. {( y* S6 L(2)晶片內建DDR3-SDRAM記憶體介面及PCI-Express介面可提供超高的資料傳輸速度
新型SH7786整合32位元、運作時脈533 MHz之專用匯流排，可用於連接高速DDR3-SDRAM (Double Data Rate 3-Synchronous DRAM)，可提供高達每秒4.27 GB的超高資料傳輸速度。另外，多個PCI Express匯流排介面可支援大量資料傳輸，提供最高每秒800 MB的資料傳輸速率。
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! y, O; {$ I7 w/ m4 g因此，本產品可因應高複雜度的繪圖需求，例如可流暢地捲動複雜且逼真的3D立體圖像。
先前的90奈米SH7786產品相容於DDR2-SDRAM，作業電壓為1.8伏特。新型65奈米版本則支援DDR3-SDRAM，作業電壓為1.5伏特，可進一步降低整體系統的耗電量。
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(3)可支援多核心系統設計之開發環境
5 T! f# A; k- |0 b5 r
% Y9 v1 R; v0 g) K" x1 d在SH7786的開發環境方面，可提供支援多核心之E10A-USB版本晶片內建除錯模擬器。它可提供各種有彈性的同時除錯功能，包括同時執行、同時中斷(break)，以及單CPU中斷與再執行。另外，QNX Neutrino RTOS及QNX Momentics開發套件將完全支援新型SH7786。