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[問題求助] 请问在mim电容下放器件需要注意哪些呢?

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1#
發表於 2010-5-21 15:14:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
我准备用smic.18 1p6m rf工艺,需要在mim电容下面放器件来节省面积,有这么做过的大大讲下需要注意哪方面呢?谢谢
% a+ |  L6 l; o5 g( _. F" x$ s比如电容匹配性影响,寄生电容影响等,如何精确计算评估这些寄生影响,及后仿如何提取出这些参数影响呢。
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2#
發表於 2010-6-2 11:39:19 | 只看該作者
MIM底下最常放的東西是邏輯# I- J: m+ Z) U" B" L. T
但是也要RD同意7 ^9 k# H; y6 u3 {. _
至於寄生電容收抽POSTSIM就知道啦
) j% B# c; {7 I, k* ^& w. E- b2 u如果是很重要的電容要做match
1 e6 G- {  A8 }) a  Z那當然不能放啦# H0 t' |1 M: T5 Q
要放也要RD同意
3#
 樓主| 發表於 2010-6-11 10:46:50 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。
4#
發表於 2010-7-10 14:02:30 | 只看該作者
谢谢,仔细看了design rule,规定下面不能放任何有源和无源器件。
2 _7 v/ N# N* S4 C9 u# pscy8080 發表於 2010-6-11 10:46 AM

: z: `7 p1 U. u6 o. @! M6 B0 [7 A# x3 P/ a( t! ^
Foundry的rule是为了保证MIM电容的可靠性和精度,实际上,我们在下面做过期间,不过我们的MIM电容和下面的MOS电容都是加在电源和地之间,起decoupling作用,是在HHNEC 0.13um工艺上实现的。
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