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台積電第三屆「傑出學生研究獎」暨「專題報告獎」自即日起受理申請
一、台積電為表揚在2007年從事半導體相關研究學生之傑出表現,特設立「傑出學生研究獎」及「專題報告獎」。
A% e3 Y* P; l- c1 i二、台積電「傑出學生研究獎」: ) z6 |; V9 `8 m/ a1 G; [9 e
1. 申請對象:從事半導體相關實驗或理論研究之碩士生與博士生(亞洲)。研究計畫執行期間為2007年。
% B; L/ W2 C/ }2 I( J2. 領域:( s @) f3 C" y+ ^3 u
(1) Category I: Circuit Design Technologies' Z L- I1 ?. x* a. _
(2) Category II: Electronic Device and Process Technologies
# l" t, g1 N9 y+ J0 G(3) Category III: Physics, Chemistry of Material for Nano-Scale Devices4 F- m2 R4 L( G8 t/ V, h
% J+ V9 k5 @# I" z7 |4 s0 A- ]3. 請有意申請者於97年5月10日前填妥註冊表(附件一)。: U: w/ L. o" B- u- `' {
4. 相關申請辦法及申請表請參閱附件二。
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9 k" A1 e. I, c- C! t" q1 E三、 台積電「專題報告獎」:
0 b1 a1 L6 o Q$ r% Z1 U1. 申請對象:從事半導體相關實驗或理論研究之大學部學生(台灣),專題報告內容為有關電子裝置、製作技術以及材料特性。計畫執行期間為2007年。
' A s: C: b3 z2. 領域:9 k* r9 }9 Z! P- ^9 E8 W# a$ f
(1) Device Technologies
5 A) C9 ]+ F2 ]3 u, q* N: c ^+ g(2) Process Technologies5 N7 Y% ?: w9 _' F' f9 y* T$ \
(3) Physics, Chemistry of Material Characterization and Analysis
, `- h& o2 G: `, C" v3. 請有意申請者於97年6月15日午夜前將申請表格與文件
2 @* z4 Y3 z% W7 J: K4 A. v9 ^辦法及表格 [43.9 KB] |
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