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[問題求助] 請問p阱裡邊的淺色邊框是什麽?

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1#
發表於 2008-12-10 11:18:32 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
如題所說,n阱裡邊有一層淺色邊框,請教大家是什麽,謝謝~

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2#
發表於 2008-12-10 16:46:08 | 只看該作者
Pwell,Nwell标清楚一些麽!
3#
發表於 2008-12-10 19:31:52 | 只看該作者
it is Active .....................
* k  H- r1 R( V$ {; b1 J* |; a4 r. r2 q
[ 本帖最後由 m851055 於 2008-12-10 07:33 PM 編輯 ]
4#
發表於 2008-12-10 20:05:16 | 只看該作者
我猜...., e6 {; l1 J4 {3 H  L' _
裡面是DIFF0 L5 U* }# o8 g
外面是NIMP
5#
 樓主| 發表於 2008-12-10 22:01:56 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

有源區為藍色,                                 3 h5 ]8 J( @5 ]; ~
我的問題是藍色外面的那個框是什麽?
6#
 樓主| 發表於 2008-12-10 22:04:24 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-12-10 04:46 PM 發表 # l" h! c5 a, h' H9 _
Pwell,Nwell标清楚一些麽!
4 D: M4 s0 {, Y  u: V$ _" A
n-sub跟pwell我都有標注,請仔細看2 [  f# a" R# e8 I* d
外面的為n-sub,即n襯底,該mos電晶體為nmos,這下應該夠清楚了吧
7#
 樓主| 發表於 2008-12-10 22:07:47 | 只看該作者
這個是一個nmos管的照片,第一張是襯底層,第二張是染色層。
% \- Q# ^. K8 [( r對應同一個管子,只是不同層而已。
8#
發表於 2008-12-11 11:45:17 | 只看該作者
个人感觉有点像field oxide,nmos很清晰,旁边的1条是沉底接触
9#
 樓主| 發表於 2008-12-11 13:10:07 | 只看該作者
原帖由 jian1712 於 2008-12-11 11:45 AM 發表 5 h% Z+ H6 V4 L* d% _5 e
个人感觉有点像field oxide,nmos很清晰,旁边的1条是沉底接触
) o% ~. L5 Z! s$ I7 G
整個電路中僅有nmos電晶體有這種淺色邊框,pmos是沒有的(這個我先前忘說,抱歉,這裡進上傳了nmos電晶體照片)
* ~) c; B7 v! |( E. K. D9 x. p. `如果是場氧,那么pmos也該有這種痕跡才對哦。
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