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新GaN 產品提供優越的功率、頻寬及效率組合+ L" o }0 r! q
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夏威夷檀香山, 2007 年6 月14 日 – (IEEE MTT-S) –針對驅動行動通訊、設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球領導廠商RF Micro Devices, Inc. (NASDAQ: RFMD)今日發表RF393X家族的48V 氮化鎵 (GaN)功率電晶體。RF393X 產品系列可提供從10W到120W 的功率效能,並具備非常寬廣的可調協頻寬-展現RFMD GaN 技術相對於競爭 GaAs 及矽晶LDMOS 技術之高功率與頻寛之優質結合。
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* A1 R s* ?3 D4 H; N5 s) j( l( dRFMD的 RF393X產品系列包含5 款48V GaN非匹配功率電晶體,而每一款均提供14dB至16dB範圍之增益,以及於2.1GHz時高於65%的高峰值汲極效率。RFMD GaN功率電晶體的優異效能特性,使其成為寛頻、高效能功率放大器應用的理想選擇,例如:廣播電視、無線基礎架構、高功率雷達、航太電子設備等。RFMD估計GaN高功率半導體的總體目標市場約為十億美元,其中,GaN非匹配功率電晶體約為一億五千萬美元。該公司目前已與多重市場中之頂級客戶進行合作,並預計於2007年下半年開始量產。
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5 Y: X- d) C0 O) KRFMD 總裁暨執行長Bob Bruggeworth 表示:「RFMD 已準備好爭取達十億美元之高功率半導體重要市場之佔有率,我們擁有在無線半導體產業中無與倫比的客戶關係,且是複合半導體製造產業的領導者,同時也是蜂巢式功率放大器的世界領導品牌。我們正發揮這些核心競爭力,以在多重高成長率的市場中,拓展我們的GaN 產品組合,以開發新成長機會。」
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+ `9 N( m% h9 h1 {RFMD 目前正開發三個高電壓GaN 產品系列。除Gan 功率電晶體之外,該公司亦正開發高功率GaN RF 積體電路(RFIC)以及高功率GaN 匹配電晶體。高功率GaN RFIC 能與高功率放大器完全匹配,其於多重八度音頻寛皆能提供高效率,且適用於軍事通訊、公眾行動無線電以及軟體定義無線電(SDR)。此高功率GaN 匹配電晶體包括內部匹配元件以提升阻抗和效率,並且適合如高功率雷達和針對WCDMA 和WiMAX 的基礎架構應用。5 A9 ~4 c: u: q3 N
1 \& \% }! T6 j: P, V5 {; k關於 RFMD: " I$ ]& T& a4 D7 z, o6 B+ U$ r2 ]6 Z
RF Micro Devices, Inc. (NASDAQ: RFMD)是針對驅動行動通訊應用,設計及製造高效能無線電系統及解決方案的全球領導廠商。RFMD 的功率放大器、轉換模組、行動電話收發器及系統單晶片(SOC) 解決方案致能了全球的無線應用,提供強化的連結性、並支援今日及新一代行動電話、手機基地台、無線區域網路 (WLAN)、 WPAN 及全球定位系統GPS 之先進功能。 |
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