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C方式在萃取RC時,共用S D的部份0 w2 k7 K( {# d+ o$ [
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
' N2 S/ n" m: U9 m; [8 d0 }且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小- k* k2 D% @) n3 \ }7 r) f
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
7 c* v# ?' H3 o" }# |4 v做速度較快的電路時,差異更明顯,
2 e# j( Q; n8 L: S- t' VE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生& v$ k% I4 Z H) }
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大! S* D6 z2 @, y' m4 W
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同, X' S! k- `, R0 e: t6 S) l! C- k+ G) q
而變慢,1 m- q) Q# h' P% a3 N0 h8 X
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
8 [) o3 ~$ Q) i# Tmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該% J/ m/ X1 n8 F( h. e) o
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
4 K/ b2 `: o% @6 |2 f+ O' c問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確 |
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