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[問題求助] 討論基本電流鏡的佈局方式

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1#
發表於 2009-6-7 17:35:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
. v+ t% {& X' t9 P& n那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:. z2 T9 b- c9 j* @- y

# i" _3 S! F0 [. |' P* V# y假設M1:M2=2:4
3 w7 X: O3 {6 s: E1 {+ U; _+ ~8 B而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:
# J! p4 z- B9 d  y+ C" b* z' J! Q( w, {+ P
6 C( b, v) J3 [9 v* y" W
但是我個人不會這樣子lay( L. `7 f' h" X+ Y) |/ @
因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
( R* K) p  ]" o* H3 r9 u1 f) M) G9 a6 B% n1 {: ~
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
- v9 q. M/ H7 X2 H8 D可以以中心對稱。( t. x/ n3 x+ X' j6 v

+ O# Z9 H: y$ K1 K% X但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D). Q+ {$ s0 ~& [# [* Z
這樣的,但是M1的接線就有問題了。
/ U8 n8 k% l% t# m1 D9 z
' j5 ]' m9 v/ D$ a( G1 ?) I同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的
- a& I! a' R+ R9 a$ N4 rMOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
2 o3 a! s/ ?* t1 u
. E) I- `! _9 G! o& V# S他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。
" F$ d$ h& G! ]4 @6 q( x. t不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
% ]) Y. _7 @( g: l$ o* q/ C3 e" h針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
5 |# r7 F  B& ^: J; V4 u
; H: s* g/ C, M' k
0 e6 A3 N0 {6 m4 D* ?以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。. X5 j0 B  X" }7 W8 M
他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12
" ~1 a4 G" ~2 u; j& |(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?
, n( D7 N- B% q) p! D/ e我的原案是
, c2 w  z, p1 i4 n4 q6 GM2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY. A  P0 W  l2 M0 D0 s3 J8 D
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
1 o5 Q& r' \! n我考慮是
& I$ D: L4 I/ o1 K. G: l0 [M3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4
! U$ Y6 o, y0 o5 B( S* G' Z有人有比較好的建議嗎?
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2#
發表於 2009-6-7 18:16:58 | 只看該作者
樓主,你的圖都呈現X的狀態哩~~~0 T8 O; R% L8 `  O: B, u7 S" |: y
要修正一下喔
3#
 樓主| 發表於 2009-6-7 21:35:28 | 只看該作者
我再重貼一遍
9 Z$ u! J7 k. G7 a*********************************************************************************
/ B* b. e. p) {% Q) y* a; b, o各位好,最近在作layout,尤其是在lay偏壓電路時會有許多電流鏡。
) U9 D, w8 f7 h1 u那基本電流鏡的電路是如下圖這樣:
. d  H* o' P2 O; q# X
0 {1 ]; ?4 U" P假設M1:M2=2:4& H+ x: [1 ^6 [9 y! f4 Z: j
而佈局圖在普遍的教科書裡都是像(A)這樣教的:5 Q  G% Q, g3 _2 p. U1 c* k9 {

% h" Q; ]3 U- e5 O6 E
7 L: S3 h8 j. o7 {. a$ [但是我個人不會這樣子lay
- G! S+ d2 H5 R5 K6 J因為M1跟M2有相同的VSS,而POLY是弄成指狀的,如(B):
5 t3 s4 ^/ a* H* r0 k; k7 s( `+ u2 l% u+ m2 w4 z
不過聽同學說要lay對稱所以又覺得像(C)這樣lay,N1的電壓到左右M2兩邊的GATE
( y8 v# ?* y7 t9 a可以以中心對稱。
- |" J0 \4 `( D5 ?+ D; Y  x; _0 i9 ]3 `
但是同學又說了這樣子M1的POLY全集中在中間,沒有均勻散佈也不行,那我改這(D)$ [8 N6 H2 f: g  ~6 Y
這樣的,但是M1的接線就有問題了。
, O* k' L  s+ E4 u$ O+ g0 z+ \" e6 f+ n2 F1 _
同學又再說不要共用端點全部打散。因為有共用到VSS、N1、N2的關係使得相鄰的. g' Z# g3 ^6 @6 o9 x8 L7 g
MOS電流方向相反也不好。他是建議LAY成(E)這樣:
$ H7 @' }0 d' t( p' V3 v5 q) |' b0 J9 ~" a9 g( C: W$ m7 k
他說重點是在POLY的對稱性,說什麼gm值的比例會跑掉,這個我完全不懂。, j  _* x: }( B' I$ ~
不是只要M1 M2有在飽合區就好了嗎?請高手解釋一下。
3 b& s$ ^0 k  k9 @& o$ w; D1 A針對以上的方式不知道有誰有別的意見可以提供一下。
4 \3 P3 X3 i' N0 k2 q
5 m2 U5 R6 l7 s1 s7 |5 k
6 w- m9 d4 Q6 B) `5 K1 I( Y) n以上說的電流鏡在1:2的比例都很好佈局。
+ W5 m" c& Z/ [% ^. ^2 U他說對稱之外還要要求均勻分佈,但是我的電流鏡中有  M1:M2:M3 = 2:2:12( u* k( K3 c* f3 n4 h# F4 d2 O  n
(相同W與L)。這個要怎麼分佈法呢?; o/ G9 W: X; V- X9 v* X" t
我的原案是$ e# i2 H% W9 q: X2 X+ O
M2 M3*6 M1*2 M3*6 M2,用(C)的方式LAY5 Y2 m4 a/ j; c4 ?
因為M1 M2的FINGER數量太少,真要用(E)的方式的話。
9 y: B+ H8 b+ a% Q9 {我考慮是
- e$ |% U& ]5 D0 y3 p5 HM3*4 M2 M1 M3*4 M1 M2 M3*4" i! N0 J: ~+ n8 S9 [8 R
有人有比較好的建議嗎?

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小珍 + 3 Good question!!

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4#
發表於 2009-6-8 00:07:26 | 只看該作者
個人見解是C,記得在最外面加上dummy,減少mismatch。0 \; Y7 a! z; t7 C8 P, u% n; n8 `
或者你可以每種都試試看,然後都做post-sim來看模擬結果,
9 g$ j) j9 t  W9 c* u1 R哪個誤差量最少,就使用哪一種。( S( [# M  G* E0 Q7 I. r# l
) ?0 T3 v7 }  u4 T& q9 F
[ 本帖最後由 hiyato 於 2009-6-8 12:08 AM 編輯 ]
5#
發表於 2009-6-8 01:07:13 | 只看該作者
問designer最知道(他的電路只有他最清楚,不要自己猜),因為有的不需要很match,只要擺一起就可A,B都可
. [# A* ?/ c# C, I: V9 g* |- ?% p一般我會用C,不考慮面積E也行8 O2 N2 l9 `- K% G# S# }; U
製成越小我會改用E(反正不會差太多),C跟E其實spice model是不一樣,一個是n,一個是M,還有LOD效應(這我也不太清楚,看有沒有人懂製程的)) M5 O* G$ M: {& O3 o6 B
match是越集中越好,然後分佈均勻,一排就沒有2排match,反正就是不要拉太長(越正方越好)
6#
 樓主| 發表於 2009-6-10 02:49:38 | 只看該作者
C跟E的電流方向不一樣導致的影響,學姊說POSIM模擬不出來。
9 D- u: i7 u4 {( q+ C" b# l/ C但它們萃出來的寄生RC的確是會不一樣的。
7#
發表於 2009-7-14 10:47:17 | 只看該作者
我覺得E 比較好
) i+ M5 N0 u8 j, B$ q
* w0 v. \! O5 R0 }可是為什麼大家都選C
8#
發表於 2009-7-15 10:55:47 | 只看該作者
通常做類比的LAYOUT 不太會需要考慮到面積 只要不太誇張的浪費就好$ c& _6 k2 F& N7 W
* ]& P' `6 L) a* Q* q; F8 l
"他說對稱之外還要要求均勻分佈" 這句話是重點8 b0 L- O- G6 j6 G1 A1 ~- j
' X2 e; R# U, T: W
E的match效果 從製程方面去看 算是比較好
: \7 _' X% A$ }# t; n9 v) G) W6 G1 Y6 I. x/ {
不過 要用到2層M
8 ~- W( V. `8 c/ f( a& @* P: j+ o% K3 t! l3 R8 k
是不建議 用POLY去做連線
  M  N# D& r, R! q, _4 Q6 G% V5 ]; M: H) M
就算連接起來 最好 多打CONT
9#
發表於 2009-7-16 16:01:27 | 只看該作者
图看不见啊。不知道都是什么样子……                                 
& _( }0 m4 j+ v' p
10#
發表於 2009-7-16 19:39:29 | 只看該作者
C方式在萃取RC時,共用S D的部份0 w2 k7 K( {# d+ o$ [
它會除二,平均分給兩顆各一半一半
' N2 S/ n" m: U9 m; [8 d0 }且在計算寄生電容時,由周長引起的部份也會比較小- k* k2 D% @) n3 \  }7 r) f
,所以每個MOS抽出來的寄生電容效應會比較小,這在
7 c* v# ?' H3 o" }# |4 v做速度較快的電路時,差異更明顯,
2 e# j( Q; n8 L: S- t' VE方式在match的角度來看,是比較好的,但是他的寄生& v$ k% I4 Z  H) }
電容的萃取,都是單獨計算,會比較大! S* D6 z2 @, y' m4 W
所以若是速度較快的電路,會因為layout方式的不同, X' S! k- `, R0 e: t6 S) l! C- k+ G) q
而變慢,1 m- q) Q# h' P% a3 N0 h8 X
所以若designer注重的是速度可能C會比較好,若注重
8 [) o3 ~$ Q) i# Tmatch要好,可能會是E較好,主題是電流鏡,速度應該% J/ m/ X1 n8 F( h. e) o
比較可以不那麼care,所以我會選E方式,不過最主要還是
4 K/ b2 `: o% @6 |2 f+ O' c問看看你的designer他注重的是什麼,會比較正確

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sunwely + 3 你的經驗就是知識的來源!

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11#
發表於 2009-7-22 15:04:25 | 只看該作者
E是比較好的!!
" `% o8 H* T. K4 }) F在製程有x軸的徧差時就可以明顯看出來了!!
12#
發表於 2009-7-22 17:19:01 | 只看該作者
我也看不到圖啊,爲什麽…………
0 [3 z% z2 C' w7 T. h
13#
發表於 2010-1-20 15:17:48 | 只看該作者
知道了,,想想。。
, o, Q7 I7 _5 s$ K3 ]( c  m
8 X% H/ W8 S9 u, C, F, T8 c" V( L5 u; v6 O
  J  z/ _+ d& G0 V
QQ?房器
/ f& w& S$ c# e* i
% s" X# g9 r* w$ a% E3 {  s李??狂英?365句复?机外星版
14#
發表於 2010-3-1 16:46:41 | 只看該作者
看大家討論的非常精彩  可是都看不到圖 @@
; }! u) w9 j8 o可以麻煩樓主再把圖重新貼上嗎
* h  K) ?" W/ p. c0 m# @$ E3 m  m- Q0 j還是是我自己or 系統的問題6 q! r1 E) l$ Z8 K- y
謝謝
15#
發表於 2010-3-3 17:23:02 | 只看該作者
感謝分享了自己的體會見解/ T- p: g7 z" B6 C3 @
只是沒有圖配合著看  看不怎麼懂
16#
發表於 2010-3-29 12:56:59 | 只看該作者
图好像全挂了 ...........
17#
發表於 2010-4-21 17:09:02 | 只看該作者
沒圖沒真相啦!!版大要不要修正一下阿
18#
發表於 2010-6-30 16:56:05 | 只看該作者
講的好亂我就不想看了~~嘿嘿嘿!!!
19#
發表於 2022-11-18 20:13:10 | 只看該作者
gyamwoo 發表於 2009-6-7 09:35 PM
3 `8 d7 P% o; u. N: v我再重貼一遍
# R. K% G5 \0 S: J2 b' W7 a% ^$ C*********************************************************************************/ i! `4 f" }- Q' N: O2 p' C) H, P
各 ...

; O" G7 a4 K4 s) A& k% [謝謝大大的圖文解說,受益良多
. m+ b9 M5 V5 G( P
20#
發表於 2022-11-30 12:32:49 | 只看該作者
請問為什麼E的match比C來得好啊?
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