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[問題求助] MOS DUMMY大小

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1#
發表於 2020-10-26 10:48:13 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻; `7 ~" l5 _. V+ z( \
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
2 a) v$ t' c2 \, J- k* Q3 ]; N有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
  ^/ D$ N7 S0 s1 b
2 c# P5 I# E9 E& _
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2#
發表於 2020-10-28 01:20:27 | 只看該作者
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的+ {% ]4 u( V# W. S
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧' \5 \# h! B5 z" ~
3#
發表於 2020-10-28 10:03:15 | 只看該作者
補充,Stress spacing 也是考量之一," ^4 A( P9 @5 z8 V% W6 p; C

7 x( b7 h: W; V" y  l6 X至於說要怎麼設計?
8 u5 I6 x8 p4 b1 k8 ~/ I" y. g: b" K5 _
通常layout的作法,會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
/ i# N7 p) U8 b% G0 _" @  X) `! d. O$ C9 n- y7 O
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計,G接地即可" l6 d* l* g1 E" ?
( x9 Y, z. _7 m. D6 J" X
至於dummy加的量以designer為主,至於加多少量參考經驗值作為依據,每個製程被要求的dummy距離不一,
4#
發表於 2021-6-23 18:06:25 | 只看該作者
詢問有經驗的人,或直接請你的designer跟你說
0 m1 s% e% L# i/ r; n" W不同製程,情況都不同,所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃% l& I. M+ [- s4 x' P
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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