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[問題求助] 請問TSMC 90nm DRC ERROR 麻煩了!感謝!

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1#
發表於 2009-9-20 16:20:14 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
由於之前都用CIC的虛擬製程.這是第一次用真的製程所以我完全沒有頭緒.請各位前輩幫幫忙.謝謝+ ?' {* `4 K  f- ?& B2 D/ q  R
我LAY完一個子電路後跑DRC.但它出現以下幾個錯誤...(幾乎都是同一類錯誤.超多)
& b+ y, {. S) y3 m1.  DOD.R.1 {@ DOD is a must. DOD CAD layer must be different from OD's.
( {. X5 S! n3 g% i% c4 k- a                   CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DOD }" x' s. K! ?! j4 y$ @" j6 j
2. CSR.R.1.NWi {@ NWi is not allowed inside the empty area of chip corner.
$ f) L4 W9 ~; e7 w* ]% J                   EMPTY_AREA AND NWi }, c" H+ e5 C- s) l
3. DUTM.R.1 {@ DUTM is must. The DUTM CAD layer must be different from the the UTM CAD ) z1 r0 F$ ~, }/ f5 o
                     layer.7 ]4 E( r, `2 M: m4 H
                     CHIP_CHAMFERED NOT INTERACT DUUTM }
! V/ ]$ H6 M* r9 ]
3 |& p% Z$ a% ^! T麻煩了!
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2#
發表於 2009-9-21 13:54:35 | 只看該作者
2.是不能在角落的地方放layer 1 k( x( |; e. X5 `7 t
整體來看應該是 turn on ㄌ full chip check
+ K# M% t0 v/ _' u在 DRC command file 先把它 mark 掉
) i( |! ~& }6 p) M在 whole chip 時再來 RUN 會比較清楚些
9 f* w9 P/ Z% O. o0 N////#DEFINE FULL_CHIP* ?. Q" r1 \( U! J2 C' r( x) b) b* I
仔細研究一下 design rule
  V4 |1 k  [" _# d7 K# C4 [( s  @應該會有幫助
3#
 樓主| 發表於 2009-9-21 22:29:31 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉?
! {7 Q, F% s# ]4 r( v# }. M4 B" J還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
* G$ B7 r" L. C3 `# u3 Q3 N8 R
3 p# g' \  Y: P還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width 3 }; T# O( A; e: O
變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
' Y; S/ m2 n9 F( F3 ~4 V也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?: G' j. W8 D) f9 k  t2 w

0 m' F: h+ ]" ^( p5 T4 q, \[ 本帖最後由 henry90176 於 2009-9-21 10:31 PM 編輯 ]
4#
發表於 2009-9-22 14:31:03 | 只看該作者
恩!!!感謝m大!!原來還可以改DRC command file 喔!!請問要怎麼mark掉1 O4 M% g3 A4 x; Z
就是在這行 //#DEFINE FULL_CHIP# P2 V+ [& u2 F. z$ Z
在前面加 2 個 // 那行就被mark 不會被執行 (卡利柏驗證軟體)
: |% o) A" n* b; c6 ]. k, W如果是吸血鬼驗證軟體 就是在前面加一個分號  ;  N4 c3 Y" C, K' W" G) y$ F5 c
還有DRC command file是指那個file,就是跑drc那個file嗎?
1 W' v- z$ v# o8 l# J* b是的  有人說  rule file 也有人說  command file
# v, g5 Y$ n' i$ E% q" N& t
$ f9 n% ]7 F( M9 T; R: \還有再請問一個題外話!在畫MOS時.利用finger將mos的width :
7 t, p. d( p. U- M變小.跟不用finger,width很大.有什麼差?如果不考慮noise
! Y; m8 S" W% b. V/ y0 u  也不是RFMOS.那這樣除了寄生電容稍大還會有什麼不好的?
% Y1 w1 @+ A2 b( q沒瞎密差,也沒瞎密不好 通常是以整體考慮 ( i. H+ b/ z+ J7 Y/ l
例如 整排都是 w=5   只有 一個 w=20  那就是 鶴立雞群ㄌ2 U5 W8 U$ S$ V( Z& ~
通常會做成 finger 4  統整高度, 這類問題會先和 designer 討論4 R7 Z# H! j1 [7 q5 O9 S6 Y
後 做決定 有時電路有其考量  參考參考5 |2 V3 {4 _5 m# g; |2 y5 Y

  o' H. n% f3 c$ d:
5#
 樓主| 發表於 2009-9-22 19:18:00 | 只看該作者
真的很感謝M大!!問題大概解決了!!謝謝~~~!!!!!!!!
6#
發表於 2009-10-20 00:04:44 | 只看該作者
我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~
0 y( R* V/ H+ E) P: Y那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
7#
發表於 2009-10-21 14:48:26 | 只看該作者
原帖由 小包 於 2009-10-20 12:04 AM 發表
1 x9 `9 e1 ?; I/ q我知道卡利柏驗證軟體指的是calibre吧~3 C$ B$ o" s+ {9 p/ O+ z
那可以請問一下吸血鬼驗証軟體是…!!?
<<<<<沒記錯 virtuoso都是內建的DRACULA
8#
發表於 2009-10-22 22:58:07 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

哈哈哈…所以吸血驗証軟體指的是dracula嗎!!?
$ o6 E5 g3 \* v, E1 ^7 u' j; _原來我一直在用的就是吸血驗証軟體…  k  x. d( n4 z3 z+ A+ X- t% }
這個名稱還滿好笑的……
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