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樓主 |
發表於 2010-7-2 07:06:44
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工研院「三維立體積體電路研發實驗室」已建構完整且多樣化TSV相關的三維積體電路整合系統,包括黃光、蝕刻、電漿強化化學氣相沉積、物理氣相沉積、銅金屬電鍍、化學機械研磨及晶片/晶圓接合機七大設備,能針對先鑽孔、後鑽孔以及顯露鑽孔的矽基板穿孔(TSV)製程流程做彈性化技術整合,提供半導體實驗室少見的最小線寬蝕刻、最快速度的沈積、最穩定的製程研磨設備。除與美商Applied Materials、德國SUSS MicroTec等半導體設備大廠進行設備合作研發,也已與聯電、漢民、矽品、日月光、Atotech、DuPont、力鼎、AirProducts、Brewer Science、住程科技、弘塑、東京大學、DISCO、智勝、Cadence、BASF、Tazmo等19家Ad-STAC聯盟廠商進行合作開發。! R5 R f4 g6 Q+ v/ K4 A
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未來將透過研發聯盟及國際聯盟運作,以產品技術為導向的研發,共同開發3DIC技術、產品及應用市場,協助產業界在試量產階段作測試,大幅縮短從研發到量產的時程,協助廠商迅速地將先進晶片設計導入市場,同時也降低初期投入三維積體電路的投資風險。
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參考資料:$ C1 b8 ~: |( b! y$ k: e
% C( B! U( t3 D. F9 G& N1 v(1)三維立體堆疊晶片(3DIC):3DIC最大特點在於讓不同功能性質,甚至不同基板的晶片,各自應用最合適的製程分別製作後,再利用矽基板穿孔(Through-Si Via, TSV )技術進行立體堆疊整合,可縮短金屬導線長度及連線電阻,更能減少晶片面積,具有體積小、整合度高、效率高、耗電量及成本更低的特點。
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(2)矽基板穿孔TSV (Through-Silicon Via):TSV是3DIC堆疊式晶片的未來重點技術, TSV技術是透過以垂直導通來整合晶圓堆疊的方式,以達到晶片間的電氣互連,讓未來晶片如高樓般堆疊,節省空間。TSV技術主要能製造更小巧、低功耗、效能更高的晶片,如CMOS影像感測器,高速記憶體,先進邏輯晶片,以及無線通訊設備上需要堆疊之記憶體與混合訊號晶片。
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(3)電子設計自動化(ElectronicDesign Automation ,EDA):IC設計公司或學校用來設計IC晶片的自動化工具軟體。EDA軟體為數位電路半導體設計帶來了革命性變化,許多公司在1990年代中期推出的自動佈局和佈線工具徹底改變了數位電路佈局設計,其所造就的生產效率提升至今仍持續推動著大規模的晶片設計。 |
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