日本新研發快閃記憶體技術 號稱大幅提升編程速度

小朱仔

日本無晶圓廠IC設計業者Genusion日前宣佈，該公司已成功研發一種創新的4MB快閃記憶體技術。Genusion所研發的這種稱為“B4-Flash”的技術，在生產過程中採用該公司專利的B4-HE (back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注射機制(injection mechanism)。該公司表示，該技術解決了一個大問題，提升了快閃記憶體的編程速度。

目前的快閃記憶體編程速度範圍為1~10Mbps，約為硬碟機速度的1/10。而Genusion表示，B4-HE機制具有達到100Mbps編程性能的潛力。該公司並聲稱已實際展示了一顆4Mb測試晶片，該晶片是採用現有快閃記憶體製程製造的，可望在2009年前投入量產。

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惠普記憶晶片技術大突破聯合新聞網 - Taiwan

) W. U( r0 ?9 X這種稱作「憶阻器」（memristor）的元件，可用於製造密度極高的電腦記憶晶片，只需消耗遠比今日記憶體晶片低的電力。憶阻器是具有記憶特性的電阻器，也可能用以製造高階邏輯電路，如場效可程式閘矩陣（FPGA）元件。憶阻器更大的潛力則是用以存取龐大的中介資料，而不限於 ...
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5 X) F3 x+ ?9 T7 E5 V聯合新聞網 - 2008年5月1日

憶阻器也將挑戰手持電子裝置目前普遍使用的快閃記憶體，因為它具有關閉電源後仍記憶資訊的能力。利用惠普公司這項新發現製成的晶片，將比今日的快閃記憶體更快記憶資訊，消耗更少電力，占用更少空間。 美國聖母大學電機工程系教授波洛德說：「憶阻器看起來肯定前景光明。 ...
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& ~! R( n' K% A6 P[ 本帖最後由 sunny.yu 於 2008-5-3 10:21 AM 編輯 ]