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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,' S, `2 U7 e$ b4 O& |( [

5 Z6 {  d4 d0 `  H7 X4 I! M懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,. F3 g4 q7 u& Z! g
2 q# N8 C' l# @) p: ?: ~
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。% |& ?5 A( ]. e) `6 T0 \
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復

- t& @  Q$ k' q! {$ `* e, c# o, ]- a% R9 u( U8 D
電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,
/ }, S1 t8 E% s" Y1 V3 [: G9 B標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns): @2 l  ]0 m- F5 O# U4 s, @
輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
. @7 }3 E& O' P$ [! d4 H6 u. R在理想的switch中,輸出訊號正常。8 ^% J" K. k( V6 g! o
在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。
6 J( t  ]! {% T! k取樣電容大概=400f F左右。" V; r4 d# P! |! N
先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
$ s: m* }" x4 C+ p, C) u, p2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato 9 }8 b+ Z  W  _% i1 Y' ^7 h

! m+ V+ u, s$ C8 b5 u% R6 u. ?% }! s# e. G0 g
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
  a6 E$ O& w1 c' }& i6 C0 e
( V3 L3 e' [( \! s( d  E  l$ O先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
) ]/ \8 g: n8 g1 J+ t. b- u這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形' f8 p( w3 k* k( ~1 N
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值# V7 [: `( k$ z1 r1 T! q
列成一個表# Q2 F" S9 u8 n7 Q" g; W
之後看表拿進去套用即可
$ x9 ]% ~$ [2 A5 |此外此電路SH電容不大: _5 d- H: M$ U% ?
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019
2 s# B- A, ^1 ^( X" S, R# p2 H9 Y/ H! {; Q! F+ U) a
- n* x9 q4 M  S' g, N' u& P
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?# n/ P1 P- @- O  W4 I* f6 f. v8 v
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,
  `) Q5 x2 f. x* z6 q$ V4 l在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
0 T2 _2 r1 S# g5 _一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!- q# K7 d3 g! u% [- T
看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,9 i# I- Y' M, f" _
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??' S" Y2 H' V8 g  V" F/ ]
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,$ {2 b  O6 E8 G) n0 k3 d' n* \
另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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