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[問題求助] what is native NMOS transistor ?

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1#
發表於 2008-11-26 08:44:53 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
Dear friends
% r, K) k8 Y6 V2 y9 o, {what is native NMOS transistor ?
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推薦
發表於 2009-1-7 10:00:01 | 只看該作者
Native這個字的意思是"原生的"
. i. i6 @2 i! R/ w. w$ o( F& L在製程上不用加任何光罩, 就可以得到這顆NMOS9 Z" \2 |( f, h/ L# U7 u8 i' K( p

0 s# [0 [  \0 M6 W. s( z6 E' s/ O( ?2 o8 x% m. v
VT接近0剛好是Native NMOS的重要特性" s" Y  M5 C8 M* \8 P' H9 ?
有甚麼好處呢?
& }+ ]/ h0 |, t8 e& E0 o. y- @拿來當source follower沒有壓降, 不會犧牲headroom* |( a. |" i1 {; U" M2 q
Commom mode不夠時候也可以拿來用7 |8 O- k* c; K# y; i8 D0 I" I
( Q# j" Y% g7 z% j
[ 本帖最後由 alab307 於 2009-1-7 10:01 AM 編輯 ]
2#
發表於 2008-11-26 10:27:30 | 只看該作者
I'm not clear,just know Vth is very low ,near zero!
3#
 樓主| 發表於 2008-11-26 12:07:28 | 只看該作者
難道是耗盡型的NMOS,異或是未作閾值調節的NMOS。不知道我理解的對不對?
4#
發表於 2008-12-9 13:02:15 | 只看該作者
不管是native VT  NMOS或是zero VT NMOS
& c, }3 y5 q& z. h3 o3 J- j0 j% v: R與一般NMOS相比都只是VT上較低的差異而已: I1 ^3 P5 `$ o4 T" P
(當然leakage是比較高)
% f1 A/ R6 [. Q! F5 C$ s  B" ?1 d一般而言需要額外MASK來調整VT
' @. \+ K. b4 k& p# Y9 Z% Q2 A0 d你可參考FAB提供的data (depend on process)
5#
發表於 2008-12-9 16:20:48 | 只看該作者
the Key is “能带来什么优势(好处)”
6#
發表於 2008-12-9 16:42:58 | 只看該作者
原帖由 semico_ljj 於 2008-12-9 04:20 PM 發表 . Q3 |" _/ I4 x( A/ \
the Key is “能带来什么优势(好处)”

, z3 {+ o8 y' b1 w) l0 e我想是不同的需要吧,谈不上好坏吧?你需要就用喽。
7#
發表於 2009-1-6 22:08:17 | 只看該作者
我也遇到这样的native nmos,Vt接近0
/ `) ^" b2 j9 |; m% Q2 C特别是针对提供很多MOS的工艺,应如何来選擇相應的mos做設計,請提出一些建議
1 \6 H! m9 e! \4 O謝謝
9#
發表於 2009-1-7 10:55:13 | 只看該作者
舉個例子...
7 ~- P1 f) E, c- m! E當你欲做個 charge pump , 如 dickson charge pump .6 E/ p* t6 b  s2 ~" _
內部會出現一整串的 nmos diode connect. " e3 i- b5 z8 a4 E# v
這時 Vth 會吃掉 pump output high limitation voltage level.
8 O2 F0 h8 h4 T2 g3 ^; L0 Y: g3 N; j* @- o+ y1 I, Y$ ?
有這 native nmos ; 幫忙  就容易多了.  況且. charge pump 對 leakage 容忍度稍高一點., `$ v* X/ L, o5 d2 S2 d# v
漏一點. 效率維持高一點.  還算 OK ....! Q! M  U3 U+ [* V( h. j+ M' O

, a& m$ I! Y! a( K# a共勉.* q# U8 v8 _5 v/ p
10#
發表於 2009-1-7 11:03:07 | 只看該作者
我的理解  nmos diode 串 是限壓用
+ P1 ~- o- _) Z* }6 H) W7 L5 d) A2 W
把 vth 用到 0 那要串幾個 nmos 才夠.... p, Z& U2 O: J  q  r

, F+ _3 R: o1 Q: ~若有不對  請告知...感恩!!
11#
 樓主| 發表於 2010-1-15 10:50:00 | 只看該作者
帖子发了这么久了,还有人关注,真是谢谢大家!
12#
發表於 2010-1-18 10:26:09 | 只看該作者
The native device is also the so called depletion mos, while for usual mos, they're enhancement type. For depletion mos, the most interesting part is even when there's no voltage, a channel has already established between drain and source. This will bring quite a lot convenience in many designs.
13#
發表於 2010-5-1 12:22:49 | 只看該作者
增强型nmos在制作过程中增加pwell
- E1 I7 D  |, V! a5 t" inative nmos就是在psub上制作
14#
發表於 2010-5-3 10:13:20 | 只看該作者
增强型nmos在制作过程中增加pwell
$ ]8 n( I3 S8 s/ ^+ f( U5 `7 H. qnative nmos就是在psub上制作( l/ W, C5 t+ k. `6 {  e) S
nepuba 發表於 2010-5-1 12:22 PM
4 O5 c6 ]5 `( ~! |0 |" N

0 n) e% I; m9 o2 Q0 h# h/ J6 n' ?5 w
: J# s# u$ u" B5 S9 A6 }    沒錯,以TSMC而言在Layout上差了一個NTN layer。
15#
發表於 2010-5-5 11:06:23 | 只看該作者
好处多多。。
16#
發表於 2010-5-9 21:12:37 | 只看該作者
native MOS最大的优点:因为VTH接近0 在做buffer时几乎不会有DC的偏移
17#
發表於 2010-5-12 18:04:34 | 只看該作者
好资料每页都看完了
18#
發表於 2010-7-16 16:57:44 | 只看該作者
拿來當電容相當好用
! H+ m1 b5 @, F/ E: E4 H4 |7 R0 t尤其當端點電壓不高時
19#
發表於 2010-7-16 19:28:37 | 只看該作者
Vth = 0?? 表示我 vdsat 可以以 normal nmos 大很多,低電壓操做更容易操作在satu?
. d  t3 p3 m2 c$ D& W) G: f0 O使用這個 mos 除了這些好處之外, 有沒有什麼缺點,使用時有需要注意什麼嗎??
20#
發表於 2010-7-16 23:29:43 | 只看該作者
印象中, mismatch的效應似乎會比一般的mos嚴重, 如果因為低電壓操作而使用native device, 可能會增加offset.
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