RAMBUS AND CADENCE COLLABORATE PCI EXPRESS SOLUTIONS

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RAMBUS AND CADENCE COLLABORATE AND DELIVER FULLY INTEGRATED AND INDEPENDENTLY VERIFIED PCI EXPRESS SOLUTIONS
4 x' J* |; [) W3 F; w2 ONew offering combines best-of-breed design and verification IP for high-quality, low-risk, and simplified design integration

Taipei, Sept. 5, 2007 – Rambus Inc. (NASDAQ: RMBS), one of the world's premier technology licensing companies specializing in high-speed chip architectures, and Cadence® Design Systems, Inc. (NASDAQ: CDNS), the leader in global electronic-design innovation, today announced fully integrated and independently verified PCI Express® solutions. The two companies have collaborated and now offer highly adaptable PCI Express digital cores and PHY IP from Rambus, tightly integrated and verified with Cadence verification IP.

2 F( a9 |7 E! B1 t2 f9 [, U# V* _( bThe result of the joint work provides SOC designers with an independently verified solution that seamlessly integrates Rambus’ design IP with the automated verification IP from Cadence. This solution helps shorten time to market with an efficient, predictable, and low-risk SOC design and verification to enhance the quality of the end product. In addition, the solution includes the Cadence Compliance Management System (CMS) featuring a PCI Express compliance verification plan (vPlan) and compliance tests, both of which have been specifically customized to the Rambus design IP. The CMS provides an automated plan and metric-driven solution to reach high levels of coverage without the need to develop tests. Based on the Cadence Incisive® Plan-to-Closure methodology, the offering allows customers to maximize design quality while minimizing protocol expertise and verification time.  

“As a company developing cutting-edge technology, it is critical that we build our solutions on proven, tightly integrated technology,” said John F. Brown, vice president, Engineering at Tilera Corporation. “Using the combination of the Rambus configurable PCI Express Digital Controller with the independently developed verification IP from Cadence enables the rapid and successful IP integration we are looking for.”
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“Through this collaboration, we are able to provide an ideal combination of Cadence verification IP and methodology expertise with Rambus design IP. This solution leverages the strengths of both companies, speeding up the IP integration process and increasing productivity and quality for customers,” said Steve Glaser, vice president of Marketing at Cadence’s Verification Division. ”Designers will gain a higher degree of predictability with the functional coverage provided by the Rambus design-IP-specific CMS. The result gives our mutual customers confidence that they will get to market on schedule with a quality product.“

The PCI-SIG-compliant and interoperability-tested Rambus PCI Express solution has been implemented and shipped in numerous high-volume applications. Rambus digital core IP has adaptable application interfaces that minimize the amount of glue logic required for integration. Rambus PHY cells are delivered as complete serial communication cells, optimized for maximum production yield.

“Increasingly powerful computing and consumer electronics applications require IP solutions that are flexible and seamlessly integrate into our customers’ designs,” said Tim Messegee, vice president of Marketing at Rambus Inc. ”With this collaboration, Cadence and Rambus continue our commitment to provide the market with superior integrated IP and EDA solutions that accelerate time to market and reduce design risk.”

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新產品結合了單項優勢設計以及驗證IP，實現了高品質、低成本，並簡化了設計集成
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7 Y' H+ F; e3 x( N2 z0 V7 V美國商業資訊2007年9月4日加利福尼亞州LOS ALTOS及加利福尼亞州聖何塞消息——Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）是專門從事高速晶片體系結構開發的全球主要專利技術授權企業之一。Cadence(R) Design Systems, Inc.（納斯達克股票代碼：CDNS）是電子設計創新領域的全球領先企業。今天，兩家公司發佈了全面集成以及經獨立驗證的PCI Express（R）解決方案。這兩家公司已結成合作關係，目前，Rambus公司提供具有高適應性的PCI Express數位核心以及PHY IP，這些產品緊密地集成了Cadence公司的驗證IP，並通過了Cadence公司驗證IP的驗證。

* H7 @5 O8 i' i- E- Y這一合作成果為單片系統設計人員提供了一套經獨立驗證的解決方案，該解決方案無縫地集成了Rambus公司的設計IP以及Cadence公司的自動驗證IP。通過高效、可預測及低風險的單片系統設計和驗證，該解決方案可提升終端產品的品質，從而幫助縮短面市時間。此外，該解決方案還包括以PCI Express合規性驗證規劃（vPlan）及合規性測試為特色的Cadence合規性管理系統（CMS），這兩項特色已被專門用於Rambus公司的設計IP中。CMS提供了一套自動規劃以及指標驅動解決方案，可在無須開展測試的情況下實現高級別的覆蓋。基於Cadence Incisive（R）從規劃到實現（Plan-to-Closure）的方法，該產品使用戶能在最短的驗證時間內以最低的協議專業知識實現設計品質的最大化。

4 O5 g. l+ Y! Y/ Q8 k. fTilera Corporation工程副總裁John F. Brown說：“作為一家尖端技術開發公司，在已經驗證且緊密集成的技術上構建自身的解決方案是極其關鍵的。通過使用Rambus公司可配置的PCI Express數位控制器以及Cadence公司獨立開發的驗證IP這一組合產品，可以快速且成功地實現IP集成，這也正是我們所期待的。”
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Cadence公司驗證部門的行銷副總裁Steve Glaser說：“通過此次合作，我們可提供結合了Cadence公司的驗證IP、專業方法技能以及Rambus公司的設計IP的理想組合產品。該解決方案憑藉兩家公司的實力，可加速IP集成的進程，並為用戶實現生產能力以及品質的提升。設計人員將通過Rambus公司專用於設計IP的CMS提供的功能覆蓋獲得更高的可預測度。該成果為我們的共同客戶帶來了信心，他們將帶著高品質的產品如期進入市場。”
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相容PCI-SIG且通過互用性測試的Rambus PCI Express解決方案在諸多高容量應用中已有實施和供應。Rambus數位核心IP具有可適應的應用介面，可使集成所需的膠合邏輯降至最低。作為連續通信蜂窩的Rambus PHY單元已有供貨，它是實現生產成品率最大化的最佳選擇。
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Rambus Inc.行銷副總裁Tim Messegee說：“日益加強的計算和消費電子應用需要靈活的IP解決方案，也需要將解決方案無縫地集成到用戶設計中。通過此次合作，Cadence公司和Rambus公司將繼續致力於為市場提供優秀的IP和EDA集成解決方案，以縮短面市時間並降低設計風險。”

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完全整合之DDR3 PHY 架構能提供最高1600 MHz之資料傳輸率

(台灣RAMBUS DEVELOPER FORUM開發者論壇/ 新竹訊，2007 年 10 月 17日)專精於高速記憶體架構的全球知名技術授權廠商Rambus Inc. (Nasdaq: RMBS) 今天宣布推出為業界標準DDR3 DRAM所設計之記憶體控制器介面解決方案。這個完全整合的硬體巨集功能晶片單元(hard macro cell)提供控制器邏輯與DDR3或DDR2 DRAM 裝置之間之實體層(PHY)介面，資料傳輸率最高可達1600 MHz。  
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Rambus DDR3 記憶體控制器介面電路單元在設計上降低耗電功率並減少矽晶片所佔面積，因此可以容納廣泛多樣之應用，包括PC主記憶體、消費性電子產品、伺服器、工作站和網路通訊等。為了滿足這些應用的需求，Rambus架構並開發了這個DDR3 記憶體控制器介面巨集功能晶片單元，讓工程師能夠順利地整合至其客戶自有工具(COT)或特殊應用型積體電路 (ASIC).  
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「隨著主流DDR DRAM的信號頻率持續增加，對系統效能攸關重要的記憶體介面在設計上的挑戰性也愈發增加。」Rambus工程部門資深副總裁 Martin Scott表示「 透過我們廣泛的信號完整性技術，我們得以建構一個低風險、高度最適化的DDR3記憶體控制器介面，以滿足主記憶體和消費者應用之效能需求。」

: r2 h8 e; i! k. P: R為了確保矽晶片開發一次成功(first-silicon success)、高產量之可靠系統環境和快速系統內安全評估之目的， Rambus DDR3 介面解決方案整合了下列Rambus 創新技術:
" [; J3 R- c, O* ?7 T•        FlexPhase™ 時序調整電路，能與時脈作精準之數據校準。
•        可校正的輸出驅動能力(Calibrated output drivers)
+ _" w! x8 i/ F$ ?' v•        晶片上的終端電阻(On-die termination)
  \: X! Z) N. _•        LabStation™ 軟體環境，有助於終端應用之DDR3介面的安全評估與確認程序。

其他主要介面功能包括:
" X3 I/ p8 J# P; h" C3 P5 T, I•        800 至1600 MHz 資料傳輸率
, H& n* f! G, E" A6 {6 }1 f% W•        支援 DDR3 和 DDR2 訊號模式
•        On-chip 相位鎖定迴路 (PLL)
' T; Q7 ^+ c# K' _. S•        On-chip 延遲鎖定迴路 (DLL)
( R7 L; ^) [1 w- @1 H9 ?•        飛躍式指令和定址(fly-by command/address)架構之層級化支援(levelization support)
( q; j$ O( A- C  d2 K9 f+ _•        In-PHY模組之Rambus FlexPhase™ 技術，能提供生產系統當中之特性描述與測試能力。
•        Multi-drop 匯流排與multi-rank 模組支援大容量系統
! D: }- ^- B- n4 A  U. q7 j•        可變數據位元寬 (8、16、32以及 64位元) 與選擇性 ECC支援

! D5 A  T* }5 R: ~Rambus DDR 晶片單元由完整之系統設計與整合服務支援，其包括一組完整的設計模型與整合工具，包括GDSII 資料庫、時序模型、電路圖驗證電路表、邏輯閘層級模型(gate-level models)、區塊配置與繞線佈局略圖(place-and-route outline)，和配置準則等。另外也提供封裝設計與系統機板配置服務。如需關於Rambus DDR3 記憶體控制器介面之進一步資訊，請上網www.rambus.com/ddr 查詢。
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9 L" R3 _4 l" }! _/ ]Rambus 公司簡介
3 D/ B* |. y1 T* R% [! zRambus （納斯達克股票代碼：RMBS）是全球致力於高速晶片設計，並擁有先進科技的技術授權公司。自 1990 年成立以來一直憑藉專利的突破創新技術及聞名遐邇的整合技術，不斷協助領先業界的晶片及系統公司將優秀的產品導入市場。Rambus 的技術與產品協助客戶解決最複雜的晶片和系統級的介面挑戰，使運算、通訊和消費性電子應用達到前所未有的性能提升。Rambus 授權領域不僅包括世界一流的專利，還涵蓋各種業界領先並符合產業標準的介面產品。總部設於美國加州的洛斯拉圖斯 (Los Altos)，而且在美國北卡羅來納、印度、德國、日本、韓國及台灣等地均設立了地區辦事處。若需 Rambus 公司的相關資訊，可上網至 www.rambus.com。

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先進的發明使記憶體系統之運作速率高達16Gbps的新紀錄

  `! j. f) o* [( K9 K% [* s2 [. G# b3 L（RAMBUS 日本開發者論壇，2007年11月28日） 全球專精於高速記憶體架構的主要技術授權公司Rambus Inc. (NASDAQ: RMBS)，今日宣佈其創新的一兆位元組頻寬技術(Terabyte Bandwidth Initiative)。此突破性的創新技術包括新發明的記憶體信號的開發，其超高速的傳輸速率達16Gbps，使得未來單一晶片系統(SoC)的記憶體架構能達到空前的每秒一兆位元組(TB/s)(1 terabyte=1,024 gigabyte)記憶體頻寬。透過這個領先開發的創新技術，Rambus將能夠大幅增加記憶體資料的傳輸速率，超越目前全球最快的4.8GHz Rambus XDR™ DRAM。Rambus將在今日的日本開發者論壇上展示其創新的一兆位元組頻寬技術之測試晶片的絕佳效能。  
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+ Q% _. K) g# q: A6 M% j「Rambus將進一步推動記憶體訊號技術的發展，其突破性的進展將遠超越當前技術可能達到的水準。」Rambus工程資深副總裁Kevin Donnelly表示。「秉持Rambus的創新精神，我們的工程師與科學家在技術上不斷突破，為未來十年的遊戲、運算和消費性電子系統創造了每秒一兆位元組資料傳輸速率的記憶體架構。」
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Rambus創新的一兆位元組頻寬技術包括突破性發明的新世代記憶體系統，例如：

•        32倍的資料傳輸速率 – 每時脈週期輸入32位元資料；
- n8 v3 `/ c* e, ]•        完全的差動式的記憶體架構 (FDMA) – 業界第一個資料和控制/位址 (C/A)的差動信號；
2 V; s' g6 W- A* v* L8 C•        FlexLink™ C/A – 業界第一個全速的點對點C/A link。

一兆位元組頻寬技術是Rambus科技開發的最新成果，具體呈現Rambus的創新傳統。 17年來，Rambus 工程團隊開發了業界領先的創新技術，促成了更快的信號傳輸速度與先進的系統設計。Rambus致力於高速記憶體架構的先進研發活動，不惜重金投資於先進電路設計、高速邏輯介面、低耗電介面解決方案、系統工程、信號完整性、認證與測試等領域。截至目前為止，由Rambus工程師與科學家所研發的創新科技，全球已累積超過一千項完成核發或在申請中之專利。

+ [! x+ e8 F6 Z  k. N: M+ ^5 }! P8 ]更多關於一兆位元組頻寬技術與其創新的資訊將於東京Rambus開發者論壇(2007年11月28-29日， http://forum.rambus.co.jp/)上公佈。關於一兆位元組頻寬技術的進一步資訊請參閱以下網址：http://www.rambus.com/terabyte。

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前瞻性創新使得TBps級的記憶體子系統的資料傳輸速率達到了創紀錄的16Gbps（Gb/秒）

美國商業資訊2007年11月28日東京消息——Rambus公司（納斯達克股票代碼：RMBS）是全球頂尖的技術授權公司之一，專業從事於高速記憶體架構業務，公司今天公佈了其TB級帶寬技術項目（Terabyte Bandwidth Initiative）。該技術專案包括開發新的記憶信號創新技術，這將有助於實現16Gbps的超快資料傳輸速率，使得未來的記憶體架構可以為單個系統晶片（SoC）提供空前的TBps級（TB/s）（1 terabyte = 1024 gigabytes）的記憶體帶寬。憑藉通過該專案開發的技術，Rambus公司將可以大幅提高記憶體的資料傳輸速率，並超越目前全球最快的Rambus 4.8GHz XDR(TM) DRAM記憶體的資料傳輸速率。Rambus公司將於今天在日本舉行的Rambus 公司開發商論壇上展示一個針對其TB級帶寬技術專案的矽測試系統。　
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2 n/ W' ?( @' v- w( p- MRambus公司負責設計的高級副總裁Kevin Donnelly說：“我們將進一步促進記憶信號技術的發展，其在性能上的提升可能會遠遠超越我們當前所能達到的水準。我們的工程師和科學家們秉持Rambus公司的創新傳統，率先為未來十年的遊戲、計算及消費電子系統開發了將支援TBps級記憶體架構的新技術。”
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Rambus公司的TB級帶寬技術專案包括針對新一代記憶體系統的具有突破意義的創新，如：

8 u1 [0 u2 }3 x, i! R: ~——32X數據率：每個輸入時鐘週期32個資料位元；
——全差分記憶體架構（FDMA）：業界首個針對資料和命令/位址（C/A）的差分信號；
——FlexLink(TM)命令/地址：業界首個全速率點對點命令/地址鏈；
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/ s& T0 W3 a& H$ y: ?4 m" U0 [TB級帶寬技術項目是Rambus公司長期率先開展的技術開發專案中最新的一個專案。7多年來，Rambus公司的工程設計團隊已經開發了具有領導地位的創新技術，加快了信號及先進系統的設計速度。Rambus公司致力於高速記憶體架構的前瞻性研發，在先進電路設計、高速邏輯介面、低功耗介面解決方案、系統工程設計、信號完整性、認證以及測試方面均投入了鉅資。迄今為止，Rambus公司的工程師和科學家們已經開發了眾多的創新技術，在全球擁有1000多項已經發佈和正在審批的專利。

更多有關TB級帶寬技術專案及其創新技術的資訊將在日本東京舉行的Rambus公司開發商論壇（RDF）（2007年11月28－29日， 　http://forum.rambus.co.jp/　）上提供。有關TB級帶寬技術專案的其他資訊，還可以登陸網站 　http://www.rambus.com/terabyte　查詢。

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陪審團裁定Rambus在作為標準制定組織成員期間的行為沒有不當之處

美國商業資訊2008年3月26日美國加利佛尼亞州洛斯阿爾托斯報導——Rambus公司（納斯達克：RMBS）今天宣佈，在一宗涉及海力士半導體公司 (Hynix Semiconductor，000660.KS)、美光科技公司（Micron Technologies，紐約證券交易所股票代碼：MU）和南亞科技公司 (Nanya Technology Corporation，2408.TW)的審判中，陪審團做出了Rambus公司勝訴的判決。該陪審團裁定，Rambus公司在20世紀90年代初作為一個成員參與標準制定組織JEDEC期間的行為得當，上述記憶體製造商無法證明其反壟斷和欺詐索賠的合理性。本裁決應當了結一宗涉及海力士的一個案子。前一個陪審團在2006年4月裁定海力士侵犯了Rambus的一系列專利。Rambus在那個審判階段獲得1.336億美元的賠償。

6 Y9 f9 P8 r* _( v. L7 {Rambus公司高級副總裁兼首席律師Tom Lavelle說：「這一判決應會解決Rambus公司忍受了多年的一系列未決指控。我們的業務是向業界頒發我們的革命性技術的許可證，獲取合理補償。在我們繼續與業界合作，向市場推出富有吸引力的產品的過程中贏得這場官司，我們感到很高興。」

牽涉海力士公司的案子最初由海力士公司於2000年8月指控Rambus公司而立案。Ronald Whyte法官閣下將此案分成三個獨立階段，Rambus公司現已在所有三個階段獲勝。在北加州地區，牽涉海力士公司、南亞公司、美光公司和三星公司的案子尚未判決；在特拉華州地區，牽涉美光的案子也尚未判決。

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美光公司認為陪審團的判決不符合證據和以前的判決，打算對判決結果進行上訴

/ [( X6 N3 h/ \2 L+ P美國商業資訊2008年3月26日愛達荷州樹城報導——美光科技公司（紐約證券交易所股票代碼：MU ）今天宣佈，它堅決不同意美國聯邦法院陪審團的如下判決，即Rambus公司未違反反壟斷法或在制定電腦晶片業重要標準時非法欺騙JEDEC成員。陪審團的判決結束了1月末在聖荷西加利福尼亞州北部地方美國聯邦地方法院開始的審判。
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3 F+ D3 V8 V; n+ D在審判中，美光與同業記憶體製造商海力士半導體公司（Hynix Semiconductor）和南亞科技公司（Nanya Technology）認為，Rambus公司違反了反壟斷法，即該公司透過其專利壟斷或企圖壟斷六個技術市場，這些專利涵蓋關於DRAM介面技術的JEDEC行業標準中的內容。
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6 W" ^9 n" C, M- ]8 U' E美光公司堅定地認為，在審判時它提出的證據證明Rambus公司違反了反壟斷法並實施了詐欺行為，美光打算對判決結果提出上訴。美光公司的官員還認為，陪審團的這一判決不符合美國聯邦貿易委員會（FTC）和歐洲委員會（EC）之前的判決。2006年8月，美國聯邦貿易委員會一致判定，透過一連串的非法及欺騙性的行為，Rambus公司能夠扭曲關鍵JEDEC標準制定過程，並從事反競爭的“阻滯”電腦記憶體業發展的行為。類似地，2007年7月，歐洲委員會發表了《異議聲明》，聲明中表達了這樣的意見，認為Rambus在標準制定過程中實施了蓄意欺騙行為（又稱“專利伏擊”），隨後就相關專利的使用索取了不合理的使用費，違反了歐洲委員會法律。
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- O' O0 B6 b( Z: J2 O美光公司負責法律事務的副總裁兼總法律顧問Rod Lewis表示：「美光公司認為，Rambus公司從事了一系列欺騙、銷毀證據、虛假證詞和其他不正當活動，企圖誤導和提取不公正的專利許可費用。我們將繼續提出我們的有力指控，Rambus公司從事了各種損害美光利益的非法活動。」

/ B, h. F1 u1 X6 ]: u3 C涉及某些對Rambus行為指控的這一審判階段只是美光與Rambus若干懸而未決的案件中的一個階段。例如，在2007年12月在特拉華州由羅賓遜法官審理的法官審判中，美光公司提出證據，認為Rambus銷毀證據並從事不法訴訟行為，以從美光提取不當的許可費用。作為這些不法行為的後果，美光公司已經要求美國特拉華州法院駁回Rambus向美光提出的專利索賠。關於此案的判決仍在審理中。

另外，美光也認為，Rambus的專利權是無效的，沒有受到侵犯，是不能執行的。最近，在關於Rambus一項關鍵專利的複審中，美國專利和商標局（PTO）初步拒絕了Rambus要求的一切索賠。2008年2月，作為複審過程的一部分，美國專利和商標局初步拒絕了Rambus的美國專利6715020的所有索賠，該專利是Rambus向美光公司和其他記憶體製造商索賠的專利之一。一組其他重要Rambus專利仍在美國專利和商標局等待複審。同樣，歐洲專利局（EPO）已撤銷或大幅縮小了Rambus在各歐洲國家對美光的專利索賠。結果，在英國、德國和義大利，Rambus的侵權索賠均被駁回。

2000年9月，Rambus公司在英國倫敦、德國曼海姆、義大利蒙紮和法國巴黎對美光提起侵權訴訟，指控稱美光侵犯了Rambus的歐洲專利525068。2000年10月26日，美光公司向歐洲專利局提出對Rambus的歐洲專利525068的異議。2004年2月，歐洲專利局永久地撤銷了該專利。因此，英國倫敦和德國曼海姆法院隨後也駁回了Rambus的專利侵權案件，並將訴訟費判給美光。當法院駁回Rambus的侵權指控時，義大利蒙紮案件2001年5月24日被駁回。法國巴黎案件的駁回仍在審理中。

2001年8月，Rambus公司在義大利帕維亞起訴美光，指控稱美光侵犯了Rambus的歐洲專利1022642。2001年9月，美光公司向歐洲專利局提出對該專利的異議。2005年5月，歐洲專利局異議司初步駁回了所有642號專利的索賠。Rambus公司隨後放棄在義大利帕維亞對美光專利侵權案的起訴。

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屢獲獎項肯定的記憶體架構 為先進的運算與消費者電子應用提供優越的頻寬效能

(台北訊，2008 年 3月31日)全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus（納斯達克股票代碼：RMBS），今日宣佈全球 XDR™ DRAM的元件出貨量已達逾五千萬顆。

屢獲各大獎肯定的XDR 記憶體架構，主要特色包括從Rambus創新專利所研發而成的多項關鍵技術，例如低電壓、低功率的 DRSL 技術；可在每個時脈週期傳送 8 位元資料的8倍速傳輸 (ODR) 技術；可提高晶片內資料排列與時脈校準精確度的FlexPhase™ 電路技術；用於增強信號完整性和可擴充性的動態點對點 (DPP) 技術等。

+ j! m8 {) \5 K. J! r' K' h5 s爾必達(Elpida Memory Inc)數位消費者電子產品部門主管Yoshitaka Knoshita表示，市場對高效能與符合成本效益解決方案的需求持續大幅成長，而利用XDR 記憶體架構，爾必達能提供客戶具備更新、更優異功能的DRAM產品。

' W# G7 |  A4 N: o; F4 [0 \XDR 記憶體架構已大量應用在具成本競爭力的產品中，是以4.8Gbps頻率運作，一顆2位元組寬的XDR DRAM能提供市面上難以匹敵的最高記憶體頻寬9.6GB/s。Rambus計畫將XDR DRAM頻率擴充至 8.0 GHz，並為每項元件提供 16.0 GB/s 頻寬，以持續提供一系列較目前標準記憶體更高的容量與效能。透過XDR DRAM，設計人員即可利用最少裝置，實現前所未有的極高效能。

Rambus銷售、授權與行銷資深副總裁Sharon Holt表示，XDR 記憶體架構是高階消費者與運算應用的理想解決方案。Rambus完整的XDR 記憶體解決方案與全方位的技術服務能夠將風險降到最低，並且協助客戶將突破性的產品導入市場。

近期獲XDR DRAM 授權廠商所達成的里程碑包括在2007年10月推出業界最快的DRAM—爾必達512 Megabit (Mb)，4.8Gbps頻率的 XDR DRAM 能以單一裝置提供領先業界的 9.6 GB/s數據傳輸率。除此之外，奇夢達(Qimonda) 512Mb XDR DRAM的樣本亦已開始提供。

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屢獲殊榮的記憶體架構為先進計算和消費電子應用提供優異帶寬
) G/ n7 K2 v/ s2 O6 u' [; l
. {/ {: l/ R' }) C+ O( M0 m美國商業資訊2008年3月31日加州洛斯阿爾托斯（LOS ALTOS）報導—Rambus公司（納斯達克股票代碼：RMBS），是一家專業從事高速晶片架構的世界一流技術特許公司，今天宣佈其客戶已在全球範圍交付5000多萬枚XDR ™ DRAM晶片。
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屢獲殊榮的XDR記憶體架構包括許多基於Rambus有限公司的創新專利的關鍵使能技術，其中包括低電壓、低功耗差分Rambus信號電平（DRSL）；八倍率資料傳輸率（ODR）技術用以在每個時鐘週期裡傳輸八位元資料；FlexPhase ™ 電路技術為資料和時鐘提供精確片內校正；動態點對點（DPP）則提高了信號完整性和擴展性。

) r+ _5 ]7 w8 r  w! H8 R9 r3 \$ t爾必達（Elpida）記憶體有限公司數位消費類業務負責人Yoshitaka Kinoshita先生說：「對於高性能且具備成本效益的儲存解決方案的需求持續顯著增長。由於有了XDR記憶體架構，爾必達公司可以為我們的客戶提供優越的DRAM產品用以實現令人驚訝的新性能。」
( U8 s* [  w3 z5 L
/ G# ]+ h/ f3 N0 R: |- w4 y! G" q8 ]經證明，在大容量的成本競爭型應用中，運行在4.8Gbps速度上的XDR記憶體架構在單枚雙位元組寬度XDR DRAM晶片上可提供無與倫比的9.6GB/s的峰值記憶體帶寬。而產品發展路線圖中的8Gps版本則可以在每個晶片上提供16GB/s帶寬。XDR DRAM與目前標準記憶體相比，提供了更高數量級的性能。設計者可以利用XDR DRAM以最少的晶片實現前所未有的性能。

) `  H. B, p8 B0 {! O; G* ~8 A2 PRambus有限公司的全球銷售、特許及行銷高級副總裁Sharon Holt先生說：「對於先進消費應用和計算應用，XDR記憶體架構是一個理想的解決方案。我們完善的XDR記憶體解決方案和綜合工程服務可以最大限度地降低風險，並幫助我們的客戶將突破性的產品推向市場。」
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0 n2 X7 b0 f/ a6 d最近來自XDR DRAM被授權人的重大里程碑式事件包括：2007年10月，由爾必達記憶體有限公司推出了業界最快的記憶體，即512百萬位元（Mb）4.8Gbps XDR DRAM。該晶片提供了業界領先的資料傳輸速率，單個晶片速度為9.6吉位元組每秒（GB/s）。此外，奇夢達（Qimonda AG）公司已經開始交付其512Mb XDR DRAM樣品。

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單一低功率 SerDes IP單元支援從1.25到6.4Gbps 的廣泛範圍協定
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(台北訊，2008年4月23日) 全球高速晶片設計技術授權公司Rambus (納斯達克股票代碼： RMBS)，今日宣佈授予 IBM Rambus先進網路、伺服器和一般ASIC應用所需之多重協定SerDes (串列器/解串列器) 單元。此一精密的多重協定SerDes 單元將提供IBM一個高效能與低功率的解決方案，以供其45奈米絕緣層上覆矽 (SOI) 技術之應用。
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IBM半導體解決方案副總裁 Steve Longoria指出，ASIC和伺服器的SerDes需求日趨嚴格，並且涵蓋許多協定。Rambus的多重協定SerDes解決方案提供IBM一個具彈性的IP解決方案，能夠簡化設計流程，同時又不至影響效能、亦不會增加耗電功率或矽晶粒面積。
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; Z$ P4 t( y1 r) q0 L8 `3 \8 CRambus 多重協定 SerDes 為單一IP 單元，其利用可擴充架構，提供1.25 Gbps 到 6.4 Gbps的數據傳輸率。它具有先進的Rambus 相位鎖定迴路 (PLL) 架構，能在多種作業數據傳輸率下達到低抖動 (low-jitter) 的效果，並且在小矽晶粒面積當中達到同類最佳的效能。

7 o5 A! g3 K2 y$ X% P  R: [- jRambus的全球業務、授權與行銷資深副總裁Sharon Holt表示，客戶面臨設計上的挑戰，需要高性能與低耗電的解決方案，才能夠滿足其應用上的需求。IBM以其先進技術著稱，Rambus很榮幸能為其ASIC library和產品系列提供創新的多重協定SerDes解決方案。
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Rambus SerDes解決方案同時也整合了 Rambus LabStation™ 特徵化環境，能夠達到完整的資格符合、先進的測試性功能，並縮短產品上市時間。

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(台北訊，2008 年 4 月 24日) 全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus (納斯達克股票代碼：RMBS)，今日宣佈與全球最大專注於快閃記憶體解決方案供應商 Spansion® (納斯達克股票代碼：SPSN) 簽訂 DDR 工程服務協議，以及未來共同開發 MirrorBit® 快閃記憶體解決方案之合作備忘錄 。
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Rambus 將提供 Spansion DDR 工程服務，協助 Spansion 加速推出強大的高容量產品，服務包括訊號完整性模擬、系統與封裝設計，以及精確系統內電壓和時序容限監測。

Spansion 應用與平台工程執行副總裁 Ali Pourkeramati 表示，快閃記憶體在電子裝置中的應用日趨普遍，使消費性電子產品得以不斷創新，更趨多元化。Spansion 在快閃記憶體領域累積的專業知識，加上 Rambus 在訊號完整性及記憶體介面的豐富經驗，將有助於新一代先進 MirrorBit 快閃記憶體解決方案的開發。

7 x  i  I5 ^5 ]. F% G7 N8 gRambus 工程資深副總裁 Martin Scott 表示，Spansion 在快閃記憶體方面擁有優異的專業經驗，是開發未來消費性電子產品突破性解決方案的最佳選擇。期盼在雙方合作之下，能夠在快閃記憶體系統的功能方面提出重大進展。
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Rambus 與 Spansion 已在 2007 年初簽訂了專利授權合約。Spansion 解決方案的主要重心在於整合快閃記憶體市場，已獲包括全球前十大手機、消費性電子以及汽車 OEM  廠商採用。

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Qimonda 開始為PLAYSTATION®3 電腦娛樂系統量產 Rambus XDR™ DRAM

# K! y1 T$ K, X4 L. R(台北訊，2008 年 8 月 27日)   全球主要高速記憶體架構技術授權公司 Rambus Inc. 與記憶體產品領導製造商 Qimonda AG今日共同宣佈 ，Qimonda 開始量產 PLAYSTATION®3 (PS3™) 電腦娛樂系統所採用的 XDR DRAM。

3 }0 T6 g3 d5 Q5 k* C: w4 k6 {Qimonda 的第一批 512Mb XDR DRAM 樣本，已於 2008 年 1 月開始出貨。Qimonda 推出 XDR 記憶體解決方案，擴充了專門應用的 RAM 系列產品，以針對高效能與高頻寬應用的需求，進一步滿足迅速成長的全球電腦運算與消費性電子產品市場。

4 d" d6 n) f/ K8 X, {; s: @2 ?Qimonda 專門應用 DRAM 副總裁 Robert Feurle 表示，Qimonda對於開始量產 PS3 適用的 XDR 產品感到十分榮幸。這項里程碑凸顯了Qimonda 的產品多樣化策略，以及在專門應用記憶體市場的領導地位。Qimonda 已準備好以 XDR DRAM 支援所有客戶的各種應用。
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XDR 記憶體架構已證實適用於講求成本效益、大量生產的應用。Qimonda 的 XDR DRAM 運作速度高達 3.2Gbps，以單一 2 位元組頻寬裝置提供 6.4GB/s 的尖峰記憶體頻寬。未來 XDR DRAM 的設計可達到 6.4Gbps，每一裝置可提供 12.8GB/s 的頻寬，因此效能將遠超過目前的標準記憶體。透過 XDR DRAM，設計人員能夠以最少的裝置達到前所未有的效能。
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' l& W$ t9 Z( y5 I  l/ t2 j9 ^Rambus 全球銷售、授權暨行銷資深副總裁 Sharon Holt 表示，Qimonda 的領導地位與專注於 XDR 記憶體架構的成果，使這款進階記憶體解決方案的供應範圍擴及消費性與電腦運算等各項應用。Rambus期待透過與 Qimonda 延續XDR 記憶體解決方案上的合作，以滿足效能要求嚴格的大量應用。

獲獎肯定的 XDR 記憶體架構，具有完備的技術支援，從晶片設計到系統整合，包括以專利 Rambus 創新技術為基礎的重要啟用技術，包括低電壓、低功耗差動式 Rambus 訊號等級 (DRSL)、各時脈週期傳輸八位元資料的八倍速傳輸 (ODR) 技術，與時脈精確校準晶片資料的 FlexPhase™ 電路技術，以及提升訊號完整性與調整性的動態點對點 (DPP)。

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PANASONIC 採用 rambus DDR3 介面解決方案

架構可支援高達 1.6 Gbps 資料速度

(台北訊，2009 年 1 月 13 日)
% p* w$ e9 j2 b' E- I全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus宣佈 Panasonic已獲授權使用Rambus的DDR3記憶體控制器介面解決方案，運用於其消費性電子產品系統LSI實務。此一完全整合式巨集功能晶片單元架構提供控制器邏輯與 DDR3 DRAM 裝置之間的實體層 (PHY) 介面，資料傳輸率最高可達1.6 Gbps。
6 J$ W+ m$ G5 i9 ]' G
& r9 b8 m, S) U* P' |  ~Panasonic 策略半導體研發中心總監 Satoru Fujikawa 表示，Rambus 的高效能記憶體介面解決方案對於 Panasonic 的世界級消費性產品系列極具價值。該 DDR3 記憶體介面解決方案進一步提升了 Panasonic 推出創新功能及更高效能產品的能力，以滿足全球客戶的需求。
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. {* `- _. M! n, j# u$ H6 a( V為創造大量生產與第一次試產即成功的可靠系統環境，Rambus DDR3 記憶體架構整合專利的 Rambus 創新技術，包括以時脈精確校準晶片資料的 FlexPhase™ 時脈調整電路、可校正的輸出驅動能力 (Calibrated output drivers)，以及晶片上的終端電阻 (on-die termination)。
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6 A* O7 e# d, n6 O: \Rambus 授權及行銷資深副總裁 Sharon Holt 表示，更快的匯流排速度與更高的峰值傳輸率是未來應用效能的重要關鍵。Panasonic 團隊正處於推動新一代數位產品的最前線，而 Rambus 的先進 DDR3 記憶體架構可加速產品上市時程、提升效能，並且強化系統可靠性。

. K; Z2 t" U2 G* iRambus 介面解決方案提供全方位的架構與系統設計，以及設計模型與整合工具。此一解決方案包括 GDSII 參考資料庫、時脈模型 (timing model)、佈局驗證電路表 (layout verification netlist)、邏輯閘層次模型 (Gate Level Model)、區塊配置與繞線佈局略圖 (place-and-route outline)，以及配置準則。其中另提供封裝設計及系統機板佈局等服務。有關 Rambus DDR3 記憶體控制器介面的詳細資訊，請參閱 www.rambus.com/ddr。

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RAMBUS
$ \( L  M3 M9 T推出新一代行動記憶體技術

提供運作最快且電源效益更高的記憶體架構創新技術

(台北訊，2009 年 2 月 6 日)
全球領先高速記憶體架構技術授權公司
Rambus 發表其創新行動記憶體
(Mobile Memory Initiative) 技術。這項技術開發計畫聚焦於高頻寬、低功耗的記憶體技術，目標為在同等級最佳能源效率下，達到
4.3 Gbps 的資料傳輸率。此卓越效能可協助設計人員透過單一行動DRAM裝置，實現每秒超過17 Gigabytes的記憶體頻寬。這些技術推動的記憶體架構將可符合新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機和可攜式媒體產品等應用需求。Rambus 也於
DesignCon 2009 展場上以矽測試載具 (silicon test vehicle) 展示此創新行動記憶體技術。
5 l+ e9 w! u  S- i
, y$ c( _2 `. h; s) Q7 T2 |& I. N$ PRambus 研究與技術開發部門資深副總裁
; X. Q0 J- r5 h7 t6 w- u3 hMartin Scott 表示，隨著消費者對行動裝置的多媒體應用期望增加，市場也需要新的記憶體解決方案以滿足快速成長的頻寬需求。Rambus 透過此突破性創新行動記憶體技術的研發，支援廣泛多元的各式先進行動應用，進一步豐富全球消費者的生活。
+ _& q2 G$ V5 A3 C( l
. N  I+ j8 _  ^9 ?7 gRambus 結合其高頻寬的專業能力和高電源效率的訊號技術，為創新行動記憶體開發關鍵性的新特色，例如：
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• 極低擺幅差動訊號 —結合差動架構中穩固的訊號品質和創新的電路技術，大幅降低主動功率消耗；
• FlexClocking™ 架構 — 為一時脈前送
  (clock-forwarded) 和時脈分配
  / Z, D- a3 u; B$ `$ {(clock-distributed)
  1 _, ]) E% U  O4 w$ G拓樸 ，可實現高速運作和簡化的DRAM介面，以及
• 進階電源狀態管理 — 搭配
  FlexClocking 架構，可提供省電模式之間的快速轉換時間，並可在不同使用模式下達到電源效率最適化的目標。

4 h7 @8 _) |& V0 Q, \" G9 GRambus的行動記憶體計畫以獲獎項肯定的
XDR 記憶體架構和低耗電與
Tyrabyte 頻寬創新為基礎，更結合如 FlexPhase™ 和
* U1 {1 Z- H0 ZMicrothreading 等關鍵技術。過去近 19 年來，Rambus 的工程團隊不斷開發領先市場的創新技術，使訊號傳輸更快速、耗電更低。Rambus 也致力於高效與節能記憶體架構的進階研究、開發與應用，並投資於進階電路設計、高速邏輯介面、系統工程、訊號與電源完整性 (power integrity)、認證與測試等活動。Rambus 的工程師與科學家所開發的創新技術已在全球取得超過1200 項專利，包含已發布或申請中的件數。

更多 Rambus 創新行動記憶體的相關資訊，請參見網站：www.rambus.com/mobile。

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RAMBUS 實現世界最快記憶體的絕佳功耗

7.2Gbps XDRTM 記憶體系統較 GDDR5 系統功耗少 40%

(台北訊，2009 年 6 月 24 日)
全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus 宣佈推出完整的 XDR™ 記憶體系統，能夠以高達 7.2Gbps 的資料速率運作，並具備最佳的功耗效能。這款矽晶片內含 Elpida 最近推出的 1Gb XDR DRAM 裝置以及 XIO 記憶體控制器，能夠傳輸真實的資料型態。相對於 GDDR5 控制器，XIO 記憶體控制器的功耗效率較優達 3.5 倍以上，而且整個記憶體系統能夠以同等的功耗提供高達 2 倍以上的頻寬。此外，XIO 記憶體控制器的雙型態 (bi-modal) 運作可支援 XDR DRAM 及新一代 XDR2 DRAM。

- v: A1 o1 l/ E0 s5 N5 hRambus 研究及技術開發資深副總裁 Martin Scott 表示，未來的圖形及多核心處理器需要在嚴苛的功耗及散熱限制下，達到更高的記憶體效能。Rambus 所發表的這項技術特別突顯 XDR 及 XDR2 記憶體架構可達 3.2 至 7.2Gbps 的優異電源效能，同時可彈性擴充至 10Gbps 以上。

6 J$ y, n1 F3 }& _這款在美國加州聖荷西市的 Denali MemCon 2009 首度展出的矽晶片，是第一款支援XDR 記憶體架構所研發的產品，XDR記憶體架構結合了
Rambus Terabyte Bandwidth 部份的創新計畫。XDR2 的雙型態 XIO 記憶體控制器包含下列創新技術：
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• 全差動記憶體架構 (FDMA) – 業界首度透過時脈、資料及指令/位址 (C/A) 的點對點差動訊號處理提升訊號完整性及效能。
• FlexLink™ C/A – 減少接腳數並提高可擴充性。
• Enhanced FlexPhase™ – 達到全世界最高的記憶體訊號處理率，同時簡化佈線及電路板設計。

8 G% e. p* P% S此外，XDR2 記憶體架構包括：
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• DRAM 核心的微執行緒處理 – Rambus 於 2005 年初推出，可提升資料傳輸效率，並降低功耗。
• 16X 資料速率 – 能夠以較低的系統時脈達到極高的資料速率。

XDR2 記憶體系統採用上述的創新技術，能夠使系統單晶片 (SoC) 所需的記憶體頻寬達到 500GB/秒以上。單一 4 位元組頻寬且效能為 9.6Gbps 的 XDR2 DRAM 裝置能夠發揮高達 38.4GB/秒的尖峰頻寬，而且 XDR2 架構支援裝置頻寬高達 50GB/ 秒以上。

由於 XDR 及 XDR2 記憶體架構具有這些功能，其效能可延伸適用於廣泛多樣的裝置，諸如多核心運算、圖形、遊戲及消費性電子產品的電路板等。XDR 記憶體架構已由 Sony PLAYSTATION®3 電腦娛樂系統、DLP® 投影機、Teradici PC-over-IP 運算系統以及 Toshiba 的 Qosmio® 筆記型電腦與 HDTV 晶片組所採用。

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Rambus 與 kingston針對多核心電腦共同開發線程化記憶體模組原型

線程化記憶體模組設計可提升 50% 的資料處理效能並減少 20% 的功耗

* y: V# _, A2 h$ V- }5 K# J% w8 ](台北訊，2009 年 9 月 18 日)

全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus 與全球記憶體產品的領導獨立製造商 Kingston Technology 宣佈運用 DDR3 DRAM 技術共同開發線程化 (threaded) 記憶體模組原型。相較於傳統的模組，初期晶片的結果顯示此一模組可提升 50% 的資料處理效能，並減少 20% 的功耗。
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由於筆記型電腦、桌上型電腦和伺服器在大量運算上的需求持續增加，
對於DRAM 記憶體子系統的效能要求也大幅提高。因此，多核心電腦需要具備更大頻寬及更高效能以隨機存取DRAM 記憶體。
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Rambus 研究員 Craig Hampel 表示，由於多核心電腦逐漸成為主流，DRAM 記憶體子系統勢必將面臨資料處理效能無法滿足需求的問題。Rambus創新的線程化模組技術採用平行的架構，能夠提供更大的記憶體頻寬以滿足多核心系統，同時降低整體的功耗。

Kingston Technology 全球測試工程副總裁 Ramon Co 博士表示，Kingston 在尖端記憶體技術上與 Rambus 等創新業者密切合作，共同開發先進的解決方案。Kingston Technology與Rambus專業團隊所共同開發的記憶體解決方案有助於克服多核心電腦的重大挑戰。

. [  S# R" p/ q5 Y& Z- ~線程化記憶體模組技術運用業界標準 DDR3 裝置及傳統的模組基礎架構，此技術能夠將模組區分為具備共同指令/位址連接埠的多個獨立通道，進而提升運算系統的功耗效能。線程化模組在完全匯流排的運用下可支援 64 位元組記憶體傳輸，因此，相較於目前的 DDR3 記憶體模組，可提升 50% 的效率。此外，線程化模組的 DRAM 啟動次數是一般常用模組的一半，因此，可減少 20% 的整體模組功耗。

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RAMBUS在行動裝置的記憶體技術上功耗效能獲得進一步的突破
晶片測試結果顯示較先前的功耗減少 1/3

+ H% Q5 B/ X: t/ M(台北訊，2009 年 10 月 26 日)   全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus 宣佈其運用Mobile Memory Initiative (MMI) 所開發的最新晶片測試達到突破性功耗效能。最新的晶片測試結果顯示，高頻寬行動裝置的記憶體控制器透過MMI 創新技術的運用可達到領先全球的 2.2mW/Gbps 功耗效能。相較於初期的 MMI 晶片測試結果，此一數值減少將近 1/3 的功耗，而且大幅超過 LPDDR2 400 記憶體控制器所能達到的 10mW/Gbps。

& }# b& U. n9 R! F) E自從 2009 年 2 月推出以來，Rambus 的 MMI 便致力以極低功耗達到高頻寬，進而實現新一代智慧型手機、小筆電、可攜式遊戲機及可攜式媒體產品的先進應用。採用 MMI 新技術的記憶體系統以 4.3Gbps 運作時，可使單一行動 DRAM 裝置達到 17GB/s 以上的記憶體頻寬。

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Rambus 研究及技術開發資深副總裁 Martin Scott 表示，電池技術改進的速度遠落後於新一代行動裝置的效能需求。運用 MMI 來開發新技術可達到頻寬及功耗方面的突破性進展，進而實現先進的應用並維持長效的電池電力。

. E1 }; q2 e! _0 D' p9 ^* u+ LRambus 的 MMI 提供卓越的訊號處理及記憶體架構專業知識，其中包括極低擺幅差動訊號 (Very Low-Swing Differential Signaling)、FlexClocking™ 架構及進階電源狀態管理 (Advanced Power State Management)，可協助開發關鍵的創新技術。此外，Rambus 的 FlexPhase™ 及微執行緒 (Microthreading) 技術亦大幅提升行動平台的功耗效能。
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Rambus 並於10 月底美國矽谷 Santa Clara 會議中心舉行的ARM TechCon 3 中，演講 Rambus 如何面對行動記憶體的挑戰。此次的主題為「行動記憶體是否將耗用大量電力」，著重記憶體系統效能、電源、外型體積及相關成本等層面，並且針對行動市場內最佳記憶體架構的製造，討論在擴展性、電源效率、電源狀態結束延遲 (power state exit latency)、時脈回復 (clock recovery)、訊號完整性 (signal integrity) 及低成本封裝等問題上的因應之道。

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高頻寬、低功耗且符合成本效益的解決方案為消費者大幅提升優勢
; s2 A3 L) e* L9 B, y6 Y
) T) ^& ^# }7 K2 a+ Y(台北訊，2010 年 2 月 9 日)   全球高速晶片設計技術授權公司 Rambus 宣佈推出新一代行動產品適用的行動 XDR™ 記憶體架構。行動 XDR 記憶體乃延續 Rambus 去年所發表的創新行動記憶體技術，能夠提供高頻寬且低功耗的記憶體架構，進而使裝置的功耗與效能充分滿足新一代行動產品的需求。
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Rambus全球授權暨行銷資深副總裁Sharon Holt 表示，相較於現今的行動產品，未來的行動應用需要更高的效率與更長效的電池電力。行動 XDR 記憶體為設計人員提供理想的解決方案，能夠在低功耗且符合成本效益的完美表現下實現先進的行動設計。此外，針對能與目前生產製造基礎架構相互結合的SoC 和 DRAM 裝置，行動 XDR 架構可獨家提供上述優點，進而降低風險並縮短上市時程。
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- r6 s: A# l+ x% R% ^9 j* _' P行動 XDR 記憶體架構能使未來的行動記憶體平台達到各接腳 4.3 Gbps 的資料傳輸率，並發揮無與倫比的能源效率。在最耗電的使用情況下，如此突破性的效能可使 SoC 平台在單一行動 XDR DRAM 裝置中實現 17GB/s 以上的記憶體頻寬，同時將眾多行動產品的電池電力延長 30 分鐘以上。

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行動 XDR 架構能夠減少接腳數並縮小介面，因此可大幅節省 SoC 晶片的成本。另外，大幅減少快速轉換至節能模式所耗費的有效電力 (active power)，即能降低功耗。這使系統設計人員能夠將記憶體子系統的功耗降至最低，進而延長各種應用中的電池電力，滿足不論是簡單的語音傳輸，或是要求嚴苛的立體 3D HD 視訊等多媒體應用。
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行動 XDR 記憶體架構使採用 Rambus 創新行動記憶體的關鍵技術：

•極低擺幅差動訊號 (VLSD) — 使用接地參照的雙向差動訊號處理技術，可針對需要超大頻寬及絕佳電源效率的應用提供高效能、低功耗且符合成本效益的解決方案。
•FlexClocking™ 架構 — 在 SoC 介面中運用不對稱分割並加入重要的校準與時脈電路，可大幅簡化 DRAM 介面的設計。
•進階電源狀態管理 (APSM) — 降低記憶體系統功耗，並提供各類低功耗及主動操作模式之間的超快速轉換時間。

% W% z7 q2 m3 U# \( _/ ~- J1 V此外，Rambus 的 FlexPhase™ 及微線程 (Microthreading) 技術有助於達到行動 XDR 架構的絕佳電源效率。

行動 XDR 記憶體架構的關鍵元件包括行動 XDR DRAM、行動 XDR 記憶體控制器 PHY (MIO)，以及行動 XDR 記憶體控制器 (MXC)。行動 XDR 記憶體架構目前已提供授權。