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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表
8 N: B- U) M8 R$ J方案一:
* z. ?4 z9 n5 d, w, q' v  AB     AB
+ h' H, P8 B7 @; J( I        x
% Z8 m  _" e* @$ Y6 q4 v  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central# B6 P7 l% F8 Z: K3 N

$ n" U( Y3 w$ k5 g5 l如果不共用
: E" d. Y) d  G& ^: D A      B          A      B
2 [! d( R, p- C% ~        x        X         x, }# d8 o% U3 M0 [* I9 ]
 B      A          B      A   " b  ^+ H2 A: R$ z" e2 A7 {
   ...
+ G% m) [2 j7 y  h! \5 o) W3 h

! t! ~# x' m" I  p) {方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.
1 R* r/ W9 G1 W1 \2 P
3 j  C6 v3 ]$ t5 B第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.# y% M+ U& O$ W/ \- f: Z
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表 9 j9 \% b' z: L& V6 k
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.& E+ N8 m. S4 E! k+ h
RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...

% r1 @/ e5 |7 @1 {  ^& D7 S  i* S4 I& F4 _" ?& R. x& g
+10 ^: u. n4 ]) }- }6 x$ S1 F9 }
; I5 N1 o8 Y1 g
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊  e- J. `- T# y. L& ]1 h3 R
1  面积小; i$ S' D8 v& w/ r& v# M6 O& n- S; c
2 drain 面积最小, 与sub 的电容小
6 k5 V. E5 J; }+ d% r3 符合common central  
7 }/ z+ _4 _' j( O' m) C
$ B9 t# k; a3 Z) X5 d. E类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者
" v% O2 S  p8 i, T- S) P8 W
# f. G* D+ y& c
' X# z) O4 F2 t% W2 ]( S" B

; A7 `4 t. [3 h5 `1 o) J! x* ~4 J6 P
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩! H3 P5 o9 `: u0 [& e8 s" E
0 q& w3 N1 J- L5 _
ABBA       ABBA# w2 w# Y3 A; b5 {
BAAB  和  ABBA
6 g; P: }/ w6 v" W, D5 z
* C4 k% `* {$ c4 Q' G5 p* F這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!1 a! U; X. u" h/ z& N# X- c
看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method ) g/ y8 L5 @: u1 q' k' G. R4 W/ N& g
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl : ]- Y+ M, A* d' J- Y7 X5 ~

/ g. k" c3 u2 R  V; H
/ w/ ^$ ^5 ~0 F7 u    我都用第2種方式~common-centroid
* N2 B; }, b6 q8 s+ d$ L* K    省面積~而且特性較好~/ g0 W  j, ?' k" K
    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
" s  I3 n6 h0 q# s& J+ @
8 I3 R9 j6 |4 W' K我也想知道不共用的理由是什麼?8 e! ~; v+ w8 i: C/ y& F
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。3 x; `  }$ T0 O/ b4 E7 q3 }+ e$ e

2 s& p- S1 Y% T$ I" J現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的7 M& O% [5 H& N+ M3 Q, |- [( H

! p; y" j4 |3 z+ v1 u# u依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。& W% n$ w6 _5 w
事情並沒有絕對,只有合理性,
& `/ C; }0 S3 N8 p: C+ ?" Ird與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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