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樓主: samgu
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[問題求助] 有人可以分享POWERMOS的畫法嗎

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21#
發表於 2013-4-14 14:15:24 | 只看該作者
適當的將source contact to poly距離放大(ex x2) 可以得到比較好的結果
22#
發表於 2013-4-15 09:34:59 | 只看該作者
奈電流量與area相關。若需考量ESD問題,一般ESD Drain contact是Source的4倍以上。
23#
發表於 2013-4-22 14:10:26 | 只看該作者
謝謝各位的分享了,學習了
24#
發表於 2013-6-30 13:46:07 | 只看該作者
回復 5# shmiyi
+ p+ f; j7 k0 I: Y: `: ~0 E/ @* v$ h" a. A4 e  c
5 w" n* p7 }) ~( E' e
    這位大大說得滿有道理的~~推
25#
發表於 2014-5-21 19:19:56 | 只看該作者
1.若用MIN的RULE來畫MOS,相同的面積可以得到最大的width--> width 夠大 ESD 應該還好吧
26#
發表於 2014-8-6 16:20:04 | 只看該作者
感謝你們的分享~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
27#
發表於 2014-10-5 22:29:11 | 只看該作者
謝大大們的心得,長知識囉 ^^
28#
發表於 2015-12-30 11:57:18 | 只看該作者
謝謝大大們的說明.! Z/ n2 o2 ~7 k, |. p5 B7 n3 Z
) j6 e0 y0 B; }% y7 Z- u8 L4 [
了解許多
29#
發表於 2016-1-7 22:46:35 | 只看該作者
這應該是designer要提供的吧& x. \7 E8 w; }* r; s
而不是layout決定的
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