請問大家這兩張圖哪一張較好

frlrwk0001 · 發表於 2012-3-14 01:34:22

左右感覺都不錯耶....
感謝11樓的圖

Justin7288 · 發表於 2012-3-14 17:31:37

這兩種平常都有畫到，感覺不出有什麼差別...7 I2 ]+ W; H; U3 _( U* n7 o
通常都是以接線方便做選擇.... ...
( f5 w" L, v/ M4 u( h% ]" H- Ivic 發表於 2012-2-3 07:31 PM

我同意VIC的說話!要看你當下做的佈局各種因素來考量! 不見得右圖會不好!

james5168qoo · 發表於 2012-3-26 14:34:51

感謝分享!!~加油~加油!感謝分享!!~加油~加油!

stephen_jjh · 發表於 2012-4-13 10:58:41

个人不会用右边的画法，至少感觉别扭= =

liu.leon · 發表於 2012-4-16 10:02:13

+1我也認為沒差,因這二張圖VIA 都是打滿的,因METAL1 阻值很小,所以電流跑的速度很快,理論上會等效平均流過Drain端,但是GATE length 過大或是高壓製程 ,就說不定了.

一般LV MOS 都還好ㄌ

monkey9741 · 發表於 2012-5-2 08:45:54

雖然左邊感覺好點電流較均勻可是覺得沒多大差別

lanskee · 發表於 2012-5-8 10:30:26

不會差太多，重點CONT 是都有打到滿！

930709 · 發表於 2012-5-12 21:30:12

看你之後的線路!!在看你要選擇哪一個?

a619willy · 發表於 2012-5-18 04:10:29

如果有理論基礎作佐證，會更有說服力。

ptadx · 發表於 2012-9-3 17:22:53

左边会好点吧，电流均匀啊

shafon · 發表於 2012-9-4 11:08:20

嗯 ~ 感覺不會差太多.. metal 粗細比較重要..

tangent · 發表於 2012-9-9 03:25:41

學了一課!! 感恩~~~!!

pompom7788 · 發表於 2012-11-30 02:47:55

應該都一樣吧
想法跟17樓的大大一樣

alan0520 · 發表於 2012-12-4 14:49:38

回復 20# vic

在數位電路理沒差,在類比電路裡(尤其是driver & ESD)兩張圖都不行

shyhaw · 發表於 2013-4-17 16:39:17

個人觀點:
LAYOUT的形式，得看用在哪，什麼用途?
例如：DRIVER，左右都不行，大的MOS，Source與Drain出線的寬度與方向可能都不對，放在ESD裡，也都不合格。
一般設計單存看特性而言，似乎右邊比較好，但是若需連接的點在上方，總不能還從下面出線往旁邊走，再往上走吧~沒那吹毛求疵的，若是Design要求，真的得檢討他的設計了。

qwer00226 · 發表於 2013-6-5 14:45:31

感覺是左邊真的Layout 出來的特性會比較好

但是希望你右邊Drain端的 Metal 可以打滿

這樣特性應該會比較佳

t1FP125 · 發表於 2015-8-24 07:59:46

我感覺左邊的比較好
電流比較會流過

李寶容@FB · 發表於 2016-9-14 13:40:42

又多了一個知識囉!!!
謝謝妳無私的分享!!!

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