新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

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F-RAM低能耗記憶體產品系列中的首款新型超低功耗 (ultra low power, ULP) 記憶體
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. \5 c# W, A9 Y5 Y$ {; V: G世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 宣佈推出世界上最低功耗的非揮發性記憶體。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業界能耗最低的非揮發性記憶體，為功耗敏感的系統設計開啟了一全新的設計視野。FM25P16是Ramtron低能耗記憶體系列中的首款產品，其能耗僅為EEPROM 器件的千分之一，並具有快速讀/寫特性和次數幾乎是無限的耐用性。
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Ramtron市場推廣副總裁Scott Emley表示：“非揮發性F-RAM記憶體的快速寫入能力與創新性IC設計相結合，讓我們可以實現到目前為止功耗最低的非揮發性記憶體，典型的有效電流只有約3微安。藉由採用Ramtron的低能耗F-RAM記憶體，對功耗敏感的應用如無線感測器節點、遠端儀錶、保健產品以及新興的能量收集應用等，就能夠更高的頻率寫入數量級的資料，並同時降低系統功耗。”

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Ramtron 低能耗記憶體的優點隨系統寫入資料的次數更加頻繁而大大增加，與串列EEPROM不同，FM25P16能夠以匯流排速率執行寫入操作而無寫入延遲。這些能力使得FM25P16適用於同時要求極低功耗與頻繁或快速寫入特性的非揮發性記憶體應用。
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9 r  e9 |. r2 H. c4 l關於FM25P16 低能耗記憶體
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+ c, g# j! ]% k+ K0 QFM25P16採用先進的鐵電製程，獲得達到100萬億 (1e14) 讀/寫次數的幾乎無限的耐用性，且資料能夠可靠地保存10年。FM25P16採用快速串列周邊介面(SPI)，以1MHz頻率的全速匯流排速率運作。要獲得與F-RAM 低能耗記憶體系統優勢相關的資訊，請至www.ramtron.com/go/FRAM-advantage 網站下載相關的白皮書。

$ ~& A9 g5 Y6 P/ J. Y, Q特性
        16Kb 鐵電非揮發性RAM，採用2,044 x 8位元結構
7 W" h2 L4 q( {3 Q5 A9 `        無限的讀/寫次數
/ g0 M. |( m) C        資料保存10年
        無延遲 (NoDelay™) 寫入

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超低功耗運作
, d& n+ x+ G# R. o2 M$ e        1.8 至 3.6V 運作電壓
; n3 t- J1 Y' @( |        3.2 μA (典型) 有效電流 @ 100 kHz
, |' J. i3 H! J4 [+ ?" B' I8 _        1.2 μA (典型) 待機電流
. ]' r1 {# @& C9 {3 E+ i" `6 s. x0 [
, x( ~! H% ~# ?/ L0 `串列周邊介面 - SPI
; {9 u: p8 A8 [, e0 }2 k        頻率高達1 MHz
        SPI 模式 0 & 3
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工業標準配置
: H" m7 S3 e& s- y        工業溫度範圍為 -40°C至 +85°C
        “綠色”/RoHS標準8腳 SOIC封裝

- q8 t+ v* Y. V( B價格和供貨

Ramtron的FM25P16記憶體樣品已在供應中，訂購10,000個，每個FM25P16的起價為0.99美元。

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: k$ l$ ]) T- J* n
; Z2 M% A. K% c0 Q2012年2月7日，台北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出以0.18微米技術為基礎之全新FRAM產品系列，包括MB85RC64V和MB85R16V。兩款型號均支援I2C介面，並可在5V電壓下運作。富士通半導體從即日起開始向客戶提供樣品。

& X1 Q0 L1 R- v, w" t/ X- W# ~2 D近年來，FRAM產品被廣泛地應用於測量、工廠自動化應用和各種工業領域，因此資料擷取、高速寫入以及高耐用性等都是市場需求的關鍵因素。
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0 |( F, N* F: `" j% {' Y7 J. C為因應這些市場需求，富士通半導體此次推出的全新5V IIC FRAM系列，包括MB85RCxxxV系列中的MB85RC16V和MB85RC64V，其儲存容量(density level)分別為16Kb和64Kb。這兩款晶片均可在3.0～5.5V的電壓範圍內運作，可承受讀寫週期高達1兆次，並能在85°C的環境下將資料保存長達10年（正常運作溫度範圍內）。此外，其運作頻率最高可達400kHz。該系列產品採用8針腳塑膠SOP封裝含標準記憶體針腳配置，可完全與E2PROM晶片相容。
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5V IIC FRAM產品陣容

產品型號	記憶體容量	電源	運作溫度	寫入/刪除次數	資料保存時期	封裝
MB85RC16V	16Kb	3.0-5.5 v	-40-85	1 兆	10 年	SOP-8
MB85RC64V	64Kb	3.0-5.5v	-40-85	1 兆	10 年	SOP-8

& P% Y7 n: P/ p/ G富士通半導體憑藉其豐富的開發與製造經驗，進一步讓晶片設計與生產端之密切合作發揮最佳的效率和成效。這項優勢鞏固了富士通半導體在市場上的基礎，並透過穩定的供應鏈持續為客戶提供高品質產品。

為進一步滿足市場需求，富士通半導體計畫將持續擴大FRAM產品陣容。除了I²C FRAM系列產品外，富士通半導體也提供具備平行介面的SPI FRAM獨立式晶片，其儲存容量由16Kb至最高4Mb皆備。

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Ramtron和Revere Security合作實現安全且高能效的F-RAM半導體器件

. j) P( L: H- Q  M) q# |7 I1 N世界領先的低能耗半導體產品開發商和供應商美國半導體製造商 Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron) 和領先的超高效加密資料安全解決方案開發商Revere Security 宣佈雙方建立合作關係，計畫將Revere Security的Hummingbird HB-2安全技術整合到Ramtron的非發揮性鐵電隨機存取記憶體 產品中。根據合作協定，Ramtron和Revere Security將共同進行產品開發、共同行銷安全半導體解決方案，並共同制訂推動安全技術整合進F-RAM產品中的藍圖。

Ramtron對具有極低能耗的高速通信和頻繁密匙交換應用中工業強度加密解決方案方面的需求愈來愈強勁，而Revere Security的技術和服務正可以支援此一需求。採用Revere Security技術的F-RAM器件的應用包括儲存子系統、無線接入控制、智慧計量、高價值專案認證、資料記錄、代碼儲存、電子註冊和銷售終端機 (POS)等。
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1 U1 B! N" C  c% o0 d* f% lRevere Security首席執行長Rick Stephenson表示：“Ramtron和Revere Security的合作是建立在實現最低能耗的微電子加密安全的技術基礎之上。加入Revere Security的技術，Ramtron展示出在開發低功耗、安全且高性能的半導體解決方案方面，將繼續保持其領導地位和卓越成就。”

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Ramtron研發副總裁Doug Moran表示：“Revere Security的Hummingbird HB-2技術擴展了Ramtron目前AES-128加密產品的策略，因為它可為Ramtron的客戶提供標準安全和高能效專有安全的選擇。標準AES-128和Revere Security Hummingbird HB-2方法可以相互結合使用，以實現更強大的安全性和系統完整性，也可以獨立使用，以便在非常安全的應用中優化速度和功耗。”

) u2 ~2 H- ^) _  [& e2 nRamtron預計將於今年推出首款採用Revere Security技術的產品。
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關於 Revere Security

2 x6 m: m; f6 P, T5 [2 g9 HRevere Security是加密資料安全解決方案的私有企業，目標市場為小型且功率受限的晶片和器件，其解決方案包括非常簡單、但功能強大的高效Hummingbird HB-2演算法。該演算法是由公司共同創辦人Eric Smith、首席密碼員Whitfield Diffie和首席密碼分析員Peter Schweitzer三位共同開發的。前國家安全局密碼專家通過縝密的研究，對這種獨特的演算法進行了測試、分析，並且證明其非常成功。除專有的Hummingbird HB-2技術之外，Revere Security還提供標準加密解決方案，經高度優化可用於特定且資源受限的設計和系統。Revere Security技術能夠保護嵌入式系統、RF通信、感測器技術、行動計算等應用中的解決方案。

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新型FM25e64低功耗F-RAM及無線記憶體和處理器伴侶產品 可有效改善智慧型計量和POS終端的性能

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世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 在日前舉行的矽谷Design West/嵌入式系統會議 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 中發佈了新型的低功耗F-RAM記憶體產品，進一步加強公司協助客戶改善產品能效、存取速度和安全性的能力。此外，Ramtron同時還展出了可彰顯出類似系統優勢的WM72016無線記憶體和FM31T378處理器伴侶 (processor companion) 產品。這次展出的所有F-RAM產品均能夠降低功耗，提高資料完整性並降低產品部署及相關維護成本，從而為計量、POS及其它資料密集型記錄應用帶來許多優勢。

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超低功耗 — 控制時間

$ ^. m8 t8 l* x4 }Ramtron的F-RAM記憶體技術天生具有高耐久性、快速單週期和對稱讀/寫速度、低功耗，以及伽馬射線和電磁抗擾性等優點。現在，隨著超低功耗FM25e64的推出，Ramtron達到了電子可抹除可程式化唯讀記憶體(EEPROM) 技術等過去高功耗非揮發性記憶體技術所無法實現的功耗水準。
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4 C# N+ U" b/ L  D) ^Ramtron全球市場推廣副總裁Scott Emley表示：“能源消耗不能僅僅用伏特和安培來衡量，系統存取非揮發性記憶體的速度和頻率對總能耗有著顯著的影響。FM25e64除與生俱來的低功耗運作和低有效電流外，還可讓工程師控制能耗方程式中的元素時間(element time)，提供快速存取速度和高頻率寫入能力，從而以極低的能耗提升系統性能。

FM25e64採用高能效的1.5V或1.8V功率軌 (power rail) 運作，提供20µA的低有效電流，啟動、寫入資料和關閉記憶體僅需大約20µs。
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" z7 x) k& J$ r1 L在公用計量應用中，採用FM25e64記憶體可使儀錶寫入能耗和診斷資訊的速度更快，寫入頻率比標準EEPROM設計系統多出100到1000倍。此外，由於顯著縮短了記憶體的存取時間，大幅延長了系統高功耗處理器保持在睡眠模式情況下的時間，從而降低了儀錶的總功耗。而且，F-RAM的存取速度快，能夠在電源出現故障時立即保存儀錶的狀態，確保儀錶在恢復供電時不會遺失功耗資料。

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系統安全性

6 H  Z! {& ?" f* ~  G& h0 K在網路上隨手搜索“如何侵入POS終端” 就可以顯示POS終端資料的脆弱性。對消費者來說，如果系統能夠在被篡改或終端被竊取時完全將數據擦除的話，則POS終端將變得更友好和更安全。撇開在掉電時會遺失資料不談，使用揮發性靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 的POS終端可以保存備份資料，而這些資料可能會被要竊取POS交易資訊的駭客讀取。寫入速度超快的FM25e64可以確保資料在被破壞或電源週期內安全地被擦除，其擦除機密交易資料的時間只需要短短的10µs。

Emley進一步表示：“由於電能表也很容易受到駭客攻擊，因此智慧型儀器表開發人員需要保護儀錶資料，以確保儀錶在其使用壽命期間能可靠且連續地測量能源使用的資料。FM25e64和Ramtron所有其它F-RAM產品的電磁抗擾能力可以防止磁攻擊。而且，Ramtron的FM31T378處理器伴侶等產品藉由內建的防篡改電路，可在發生惡意攻擊時對篡改事件進行記數或中斷主機處理器，從而實現更高的安全性。篡改輸入還可用於提示電力公司，並觸發系統關斷，切斷電力供應。”

; C4 G8 S+ a7 x, [8 H/ y% E生產和維護成本

) L* b. M' D3 s5 v5 t在開發F-RAM產品時，Ramtron不僅考慮到了元件成本，還考慮到客戶的總體解決方案成本。這些成本包括生產成本及終端產品使用壽命期間的維護成本。例如，生產期間終端產品的編程時間或現場更新韌體的成本，這些都將會顯著地影響客戶的生產成本和總體擁有成本。

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在生產期間對終端產品進行編程時，超低功耗FM25e64及Ramtron其它標準F-RAM記憶體的快速寫入能力可提供顯著的優勢。通過無線方式的編程，Ramtron WM72016無線記憶體產品能夠進一步提高生產力。例如，配備Ramtron WM72016無線記憶體的電能表可以進行編程，而不需要接觸銅線，這是因為採用工業標準RF通信協議，其嵌入的F-RAM記憶體能夠以無線的方式寫入。如果需要在生產線或現場更新韌體，韌體可以被動的方式進行編程，而不需要為設備供電，並且可以在儀錶下次上電時載入所編程式。

1 g8 b5 i. m, R: r( @5 |3 U6 dRamtron的FM31T378處理器伴侶在單一封裝中提供了溫度補償即時時鐘和其它常用的周邊，大幅地節省了電路板空間和成本，並縮短了生產時間。FM31T378中的即時時鐘可在儀錶生產時藉由編程達到較高的精度。
提供全面的解決方案
! {. [- d, E, I& }; P
8 {  c/ M( D5 d+ g$ j& ]Ramtron的目標是解決設計時所面臨到的挑戰，並在其開發的每種產品中為客戶提供寶貴的優勢。通過FM25e64等新產品以及現有的FM31T378和WM72016器件，Ramtron的產品發展藍圖為設計人員提供了許多優勢，能夠提高用於計量、POS終端、汽車、消費品、醫療、測試與測量、建築控制和工廠自動化市場之產品的能效、存取速度和安全性。

4 S& Z2 J' F% W價格和供貨

現在，客戶可通過Digi-Key、Mouser及Ramtron其它授權分銷合作夥伴來取得FM25e64記憶體的樣品 (樣品器件編號：FM25LX25-G)。FM25e64預計將於今年稍後開始批量生產，訂購1萬個FM25e64記憶體時的建議零售價為每個0.95美元。

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基於F-RAM記憶體的FM31L278處理器伴侶實現高精確性、運作連續性和易於控制等特性
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* r8 |+ O; G4 ^( r世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)和德國cab Produkttechnik GmbH & Co KG聯手宣佈，Ramtron FM31L278 F-RAM處理器伴侶為cab最新EOS熱敏標籤印表機系列的使用者帶來了顯著的優勢。

在設計時考慮到了工業電子計量、電子銷售點(POS) 及庫存管理產品等應用的需求，Ramtron 的256千位元 (Kb) FM31L278 處理器伴侶可提供非揮發性F-RAM記憶體的快速讀/寫性能和無限次的耐用性，在單一封裝中集成了即時時鐘、處理器監控器及其它常用的周邊設備。cab EOS印表機充分利用了FM31L278器件的優勢，因而可提供高精確性、運作連續性和易於控制等特性，進而有效地改善cab用戶的使用體驗。

cab EOS系列印表機的一貢關鍵特性是易於使用的觸控式螢幕。通過觸控式螢幕，用戶可以輕易地呼叫出現有的標籤、增添資料並進行列印，而所有操作均不需要與電腦連接。此外，全部標籤都可以儲存在USB隨身碟或印表機的內部記憶體中，從而讓該系列印表機成為一款兼具現代化及成本效益的解決方案，以作為生產、物流和零售標籤的列印之用。

) T) m1 F7 U# ], X0 d. l6 Ecab研發經理Jörg Falkenberg表示：“Ramtron是可為我們提供最具創新性熱敏列印解決方案的關鍵合作夥伴。Ramtron器件在單一封裝中結合了高性能非揮發性F-RAM記憶體和其它基本的周邊設備，能夠簡化我們的設計，並為我們提供一個可在產品中實現穩健特性的平臺。”

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Ramtron全球行銷副總裁Scott Emley表示：“我們非常重視這次與cab合作的機會，為其創新性熱敏印表機設計提供功能豐富的集成式IC解決方案。我們的使命是為客戶提供增強競爭力的器件，而cab EOS印表機正是一個好例子，可用來說明充滿靈感的產品設計與我們F-RAM半導體解決方案結合後所帶來的成果。”
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不會遺留標籤
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Ramtron的 FM31L278器件中嵌入的F-RAM記憶體的寫入速度因為夠快，使得在300dpi下以高達125mm/s速度執行任務的印表機能夠保存標籤設置，因而印表機在斷電後重啟時不會浪費任何標籤。FM31L278可避免標籤的浪費及省下相關的費用，並提高了cab EOS印表機的處理量。

, p( Y0 i) O/ D. E( I# e; M自動重啟工作
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除了儲存標籤設置之外，FM31L278內部的F-RAM記憶體可讓用戶快速而完全地刪除印表機內緩衝記憶體的狀態，並開始新的印表機任務，而不會對新標籤的列印造成影響。為了完成此一工作，cab利用FM31L278的篡改保護輸入功能，對主機進行計數和中斷，同時利用F-RAM記憶體獨特的快速寫入能力，向緩衝記憶體快速寫入零。

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FM31L278為印表機帶來的其它特點

cab EOS是一款聯網印表機，要求每台印表機要有一個獨一無二的序號，以便可在印表機網路中被區隔出來。此外，每台印表機具有一個可從觸控顯示螢幕存取的即時時鐘，這樣便可以輕易地在每個標籤上列印時間和日期。FM31L278處理器伴侶具有寫入鎖定64位元可編程序號、即時時鐘，以及包括低電壓重定、看門狗計時器、電源故障預警和簡單I2C介面等許多其它的特點，因而可以實現這些優勢。

  f$ J1 |9 O, S9 i6 k7 {關於FM31L278處理器伴侶

. R( [$ x8 C( m, }# `Ramtron處理器伴侶具有標準的 I2C介面和SPI 介面、無延遲寫入 (NoDelay™)、幾乎無限的耐用性和低功耗等特性。FM31L278具有增強型的涓流充電器、一個12.5pF外部時鐘晶振、可編程的低VDD電壓重定、可編程的看門狗計時器、手動復位功能、雙電池供電事件計數器、可鎖定的序號，以及用於預警斷電中斷 (NMI) 的通用比較器。FM31L278的工作電壓範圍為2.7至3.6V，可在整個工業溫度範圍內工作。Ramtron還可提供密度為64Kb和 256Kb的3V和5V處理器伴侶型款。
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價格和供貨

' {4 ], ~1 z9 {% w, [$ X; l客戶現可通過Ramtron遍及世界各地的授權分銷網路來獲得FM31L278，以改善工業設計；分銷網路包括Digi-Key Corporation、Mouser Electronics、Future Electronics及其它許多主要分銷商。訂購1萬片FM31L278 起的建議零售價為每片3.70美元。

ranica

招聘公司：A famous flash memory company
& u2 L& h, G. t+ {招聘岗位：Sr Product Engineer
工作地点：Shanghai

! h/ {) {  s+ \8 z岗位描述：
In this position, the individual will be responsible for NAND Product Engineer and Package Qual/Rel tests setup/FA/Action Plan. The individual will also be responsible for Product Evaluation DOE for Rel/DPPM improvement and D/S and KGD Sort Yield improvement.

/ S$ {3 u1 _: |职位要求：
The position requires a Bachelors degree or equivalent. Masters degree preferred. The ideal individual must have proven ability to achieve results in a fast moving, dynamic environment. Self-motivated and self-directed, however, must have demonstrated ability to work well with people. A proven desire to work as a team member, both on the same team and outside of the team. Ability to troubleshoot and analyze complex problems. Ability to multi-task and meet deadlines. Excellent communication (written and verbal) and interpersonal skills.

ranica

招聘公司：A famous flash memory company
  L+ y6 w3 n# \. T招聘岗位：Staff Characterization Engineer
工作地点：Shanghai

: Y! d; T8 i& Q, k( p7 e岗位描述：
6 w& h+ ?8 z+ w- ]& V! W$ A; k, r! e; yIn this position, the individual will be in charge of the test development of NAND memory test characterization using Nextest ATE test systems and handler. This includes some aspects of test debug, validation and correlation. Perform AC/DC and logic/data sheet characterization across process, operating voltage and temperature. This individual will do the low yield analysis on issues pertaining to design marginality. Support System Engineering with failures of Card qualification. Deliver the formal characterization report. In this position, the individual will do some training at the junior engineers and lead the Characterization test in the new projects.

职位要求：
• Require 8+ years of experiences in the area of NVM product development. • Require a BSEE degree, master is preferred, with an emphasis on solid state device fundamental and analysis. • Major in Microelectronics/ Test& Measurement/ Electro-communication • Prefer good problem solving skills. • Prefer good understanding of NAND basic logic operations, AC timings, DC parametric, and NAND Flash interface protocol. • Require familiarity with common lab equipment such as digital scope, logic analyzer, V/I sources… • Some exposure with electrical/physical failure analysis technique is preferable. • Require good interaction skills with other groups. • Require excellent written and verbal communication skills.

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萊迪思宣佈與聯華電子建立戰略夥伴關係
6 z' o! L% O  {! B* e) x( _ - 充分利用從SiliconBlue獲得非揮發性記憶體技術-
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【臺北訊，2012年7月10日】-萊迪思半導體公司（NASDAQ: LSCC）今天宣佈與全球領先的半導體代工廠－聯華電子（NYSE: UMC; TWSE: 2303）建立長期技術的合作關係。在此合作關係的基礎下，萊迪思與聯華電子將持續進行以先進科技製程為基礎的非揮發性產品的開發工作，並將成果快速擴展應用至萊迪思的其它產品線。

9 @6 }* H/ j. ?: s+ x萊迪思半導體公司總裁兼執行長Darin G. Billerbeck表示，「從通訊基礎設施到行動消費裝置，萊迪思越來越關注低成本及低功耗的市場，尤其我們了解其中的成功關鍵就在於擁有一個彈性的非揮發性技術。在2011年12月收購的SiliconBlue，就是提供這種技術的廠商，今天宣佈與我們成為代工合作夥伴的聯華電子，能夠快速地使用該技術開發創新的產品。萊迪思正積極地與聯華電子合作，我們計畫將於2012年底前推出由聯華電子製造的40nm非揮發性產品，未來我們也將推出以28nm節點製程為基礎的下一代主力產品線。」

聯華電子公司執行長孫世偉博士說，「我們很高興能夠擴大與萊迪思半導體公司的合作關係，將他們40nm和28nm產品推向市場。聯華電子的28nm HLP製程能夠滿足產品所需的性能，同時保有低功耗和低成本的特性，使萊迪思在低功耗FPGA市場中獲得競爭優勢。此外，我們也持續提升產能，300mm Fab 12A開創性的5&6 期生產技術，將滿足萊迪思長久以來先進的製造要求，我們也期待這段夥伴關係能帶來更好的效益！」

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前瞻性聲明：

上述段落含有前瞻性的陳述，涉及估計、假設、風險和不確定性。這些前瞻性陳述包括有關的聲明：我們計畫到2012年底發佈40nm非揮發性產品，以及我們針對28nm節點製程的下一代主力產品線。其他前瞻性聲明使用的文字如「將」、「可能」、「應該」、「會」、「期望」、「計畫」、「預期」、「打算」、「預測」、「相信」、「估計」、「預測」、「建議」、「潛在」、「繼續」或這些術語的負面，或其他類似術語。萊迪思認為一些因素可能導致實際結果與前瞻性陳述有所落差。
, }; T$ D$ h/ r* y
本新聞稿中可能導致實際結果不同於前瞻性陳述的因素，包括技術和產品開發的風險。本新聞稿中描述的其他風險，以及我們提交給證券和交易委員會的其它陳述，無論此事件的結果或情況為何，或有任何無法預料的事件發生，本公司並無計畫於日後更新或修改任何前瞻性陳述。

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Ramtron和ROHM 簽署F-RAM 產品製造協定
ROHM 生產就緒的F-RAM 生產線將生產Ramtron首批 F-RAM產品的訂單
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世界領先的低能耗半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation與日本ROHM Co., Ltd.簽署了一項製造和授權許可合作協定，根據這項長期協定，ROHM公司將在其成熟的F-RAM生產線上為Ramtron公司製造基於F-RAM技術的半導體產品。
0 u1 f+ |; F5 D' C9 g5 b- p- |; }
初期的低密度F-RAM產品業已符合商業生產的要求，Ramtron希望在大約60天的時間內收到並開始銷售在ROHM生產線上製造的首批F-RAM器件。此外，Ramtron的市場行銷和工程技術團隊也已著手開發將在這條生產線上生產的新的Ramtron產品。除了在ROHM公司新增的產能之外，Ramtron在位於美國德克薩斯州達拉斯的德州儀器公司，以及位於美國佛蒙特州伯林頓的IBM公司皆擁有F-RAM記憶體的生產線。

Ramtron與ROHM的新協定是兩家公司自1994年起延續至今的一項雙方合作關係之成果，當時，雙方就ROHM開發和製造F-RAM產品達成了一項製造授權合約。從此之後，Ramtron 和 ROHM就一直在找尋能讓雙方合作更加緊密的機會，這次的製造和授權許可合作協定是雙方合作關係的新頁章。

amatom

Ramtron首席執行長Eric Balzer表示：“ROHM公司的先進生產線已做好了生產商用F-RAM產品的準備，為Ramtron提供了具有吸引力的成本結構和沒有阻礙的產品開發靈活性。從戰略的角度來看，在Ramtron繼續擴展產品的目標市場並推動未來增長的過程中，擁有ROHM這樣的合作夥伴，將會進一步增強公司的競爭地位。我們期待與ROHM公司進行合作，以掌握半導體市場中基於F-RAM解決方案的重要且未經開拓之商機。”
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" P4 T" I) b% U' CROHM先進LSI製造總經理Koji Yamamoto表示：“我們期待可以將ROHM成熟的製造能力和Ramtron的F-RAM品牌領導地位和產品開發及市場行銷專有技術相互結合起來，從而擴展Ramtron產品在全球各地的使用情況。我們預期可與Ramtron進行長期的合作，擴大業界對F-RAM產品及其先進技術的採用，以滿足電子系統對高性能和高資料完整性非揮發性記憶體解決方案逐漸增長的需求，”
關於ROHM Co., Ltd.
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* p7 ]( s& m$ U: l3 YROHM公司是使用最新半導體技術開發系統LSI、分立元件和模組產品的業界領導廠商，該公司的專有生產系統包含了某些最先進的自動化技術，這是該公司在電子元件製造行業保持領先的主要因素。ROHM擁有在設計、開發和生產各個方面擁有專有技術且技藝精湛的工程師。這使得ROHM具有應對廣泛的應用和專案的靈活性，以及為汽車、通信和電腦子市場中客戶，以及消費產品OEM廠商提供服務的能力。要瞭解更多的資訊，請瀏覽公司網站 www.rohm.com。

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Ramtron推出可與飛思卡爾Tower System搭配使用的F-RAM記憶體模組
藉著以基於飛思卡爾系統解決方案中的F-RAM記憶體來快速構建原型，讓新增模組化平臺可加快開發速度
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世界領先的非揮發性鐵電隨機存取記憶體(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣佈，即刻起開始供應可與飛思卡爾半導體公司廣受歡迎的Tower System開發平臺共用的全新F-RAM記憶體模組(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了Ramtron F-RAM磁芯記憶體和整合式產品的擴展集，為採用飛思卡爾基於ARM® Cortex™的Kinetis®和i.MX、ColdFire®、PowerQUICC™、QorIQ®和其它微控制器和微處理器方案來開發產品的工程師，提供了一個易於使用的平臺，以便在其設計方案中展示、評測和使用Ramtron的F-RAM記憶體。