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關於1011GN-700ELM RF電晶體
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1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能,包括700W峰值功率,21dB功率增益,以及1030 Mhz下70% 洩極效率,以降低整體洩極電流和熱耗散,其它的主要產品特性包括:
1 z2 X5 X# m% t$ F8 \' H' ]3 V
! M5 J8 z0 X5 w' n7 d# M$ \+ t• 短脈衝和長脈衝間歇模式: ELM = 2.4 ms, 64%和6.4% LTD5 R7 L* q% H4 v H
• 出色的輸出功率: 700W
7 r$ g/ x7 }- d' ~2 M, {4 j% P• 高功率增益: >21 dB最小值0 ?8 @4 P2 i0 P/ ^$ F* f4 m
• 經控制的動態範圍: 增量1.0dB,總計15 dB
$ ~+ x' y% Q) B- {1 i• 洩極偏壓 - Vdd: +65V
! F; F$ m7 l( G7 r- z- a2 F2 w$ q
4 F* o' _ S# t4 E使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括:7 e9 u7 k4 T% u+ M/ ]8 L) U
* ^+ u/ l' W1 X$ D' N1 }
• 採用簡化阻抗匹配的單端設計,替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件, D, w q( W8 `6 B7 V
• 較高峰值功率和功率增益,用於減少系統功率級和最終功率級合成' l1 \; l( N) _
• 單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率,四路結合提供4 kW整體系統功率2 ?. \, d) [, k! V# n0 G
• 65V高工作電壓,減小電源尺寸和直流電流需求
1 s' G. k4 s9 v• 極高穩健性,提高系統良率$ m$ \8 q' y! O
• 放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%' m# d9 v2 \) F% k2 u
; L) M# ?6 J8 C% r* K" k* L
封裝和供貨
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. C9 N. Q* E6 F, K1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨,採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線,提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期,但鑒於產品成本的緣故,不會提供免費的樣品。 |
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